【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机电场发光元件用材料、有机电场发光元件、显示装置、以及照明装置
本专利技术涉及一种使用多环芳香族化合物的有机电场发光元件、显示装置及照明装置。
技术介绍
先前,使用进行电场发光的发光元件的显示装置由于可实现小电力化或薄型化,故正在进行各种研究,进而,包含有机材料的有机电场发光元件由于容易实现轻量化或大型化,故正在进行活跃的研究。尤其关于具有以作为光的三原色之一的蓝色为代表的发光特性的有机材料的开发及具备空穴、电子等的电荷传输能力(有可能成为半导体或超电导体)的有机材料的开发,无论高分子化合物、低分子化合物,迄今为止均正在进行活跃的研究。有机电场发光元件具有包含以下构件的结构:包含阳极及阴极的一对电极;以及配置于该一对电极间且含有有机化合物的一层或多层。含有有机化合物的层中,有发光层或者传输或注入空穴、电子等电荷的电荷传输/注入层等,正在开发适于该些层的各种有机材料。作为发光层用材料,例如正在开发苯并茀(benzofluorene)系化合物或(chrysene)系化合物等(国际公开第2004/061047号或国际公开第2008/147721号)。另外,作为空穴传输材料,例如正在开发三苯基胺系化合物或咔唑系化合物等(日本专利特开2001-172232号公报、日本专利特开2006-199679号公报、日本专利特开2005-268199号公报、日本专利特开2007-088433号公报、国际公开第2003/078541、国际公开第2003/080760)。另外,作为电子传输材料,例如正在开发蒽系化合物或将中心骨架设定为联蒽、联萘或萘与蒽的结合物的化合物等(日本专利 ...
【技术保护点】
一种有机电场发光元件用材料,含有具有下述通式(I)所表示的部分结构的多环芳香族化合物或其盐,(上述式(I)中,X为B、P、P=O、P=S、P=Se、As、As=O、As=S、As=Se、Sb、Sb=O、Sb=S、Sb=Se、可经取代的周期表第3族~第11族的金属元素、或者可经取代的周期表第13族~第14族的金属元素或半金属元素,A环、B环、C环及D环分别独立地为可经取代的芳香族环或可经取代的杂芳香族环,邻接的2个环也可藉由连结基或单键而于该些环之间形成环,而且上述式(I)所表示的部分结构具有至少一个氢,而且所述部分结构中的至少一个氢可经氘取代)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.09.11 JP 2012-199232;2013.07.03 JP 2013-140001.一种有机电场发光元件的发光层用材料,含有下述通式(V-27)~通式(V-30)的任一个所表示的多环芳香族化合物或其盐,上述各式中,X为B、P、P=O、或者P=S,R为氢、经氟取代或未经取代的C1-20烷基、C3-8环烷基、C2-20烯基、经单芳基或二芳基取代的C2-12烯基、经单杂芳基或二杂芳基取代的C2-12烯基、经氟取代或未经取代的C1-20烷氧基、C1-20烷基羰基、氰基、硝基、二芳基氨基、可经取代的芳基、可经取代的杂芳基、B(Ra)2或Si(Ra)3,此处,Ra分别独立地为可经取代的烷基、可经取代的芳基或可经取代的杂芳基,于同一环上邻接的2个R也可键结而形成环己烷环、苯环或吡啶环,上述各式中的邻接的2个苯环也可藉由经由单键、CH2、CHRa、C(Ra)2、NRa、Si(Ra)2、BRa、Se、S或O的键而键结,而于该些苯环之间形成环,此处,Ra如上述所定义,n为0~4的整数,h为0~3的整数,而且上述各式所表示的化合物或其盐中的至少一个氢可经氘取代。2.一种有机电场发光元件的发光层用材料,含有下述通式(V-31)~通式(V-34)的任一个所表示的多环芳香族化合物或其盐,上述各式中,X为B、P、P=O、或者P=S,R为氢、经氟取代或未经取代的C1-20烷基、C3-8环烷基、C2-20烯基、经单芳基或二芳基取代的C2-12烯基、经单杂芳基或二杂芳基取代的C2-12烯基、经氟取代或未经取代的C1-20烷氧基、C1-20烷基羰基、氰基、硝基、二芳基氨基、可经取代的芳基、可经取代的杂芳基、B(Ra)2或Si(Ra)3,此处,Ra分别独立地为可经取代的烷基、可经取代的芳基或可经取代的杂芳基,于同一环上邻接的2个R也可键结而形成环己烷环、苯环或吡啶环,上述各式中的邻接的2个苯环也可藉由经由单键、CH2、CHRa、C(Ra)2、NRa、Si(Ra)2、BRa、Se、S或O的键而键结,而于该些苯环之间形成环,此处,Ra如上述所定义,n为0~4的整数,h为0~3的整数,而且上述各式所表示的化合物或其盐中的至少一个氢可经氘取代。3.一种有机电场发光元件的发光层用材料,含有下述通式(V-27')所表示的多环芳香族化合物或其盐,上述式中,R为经氟取代或未经取代的C1-20烷基、C3-8环烷基、C2-20烯基、经单芳基或二芳基取代的C2-12烯基、经单杂芳基或二杂芳基取代的C2-12烯基、经氟取代或未经取代的C1-20烷氧基、C1-20烷基羰基、氰基、硝基、二芳基氨基、可经取代的芳基、可经取代的杂芳基、B(Ra)2或Si(Ra)3...
【专利技术属性】
技术研发人员:小野洋平,枝连一志,生田利昭,倪静萍,松下武司,畠山琢次,中村正治,桥本士雄磨,
申请(专利权)人:捷恩智株式会社,国立大学法人京都大学,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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