P-MOSFET驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种P-MOSFET驱动电路，包括，用于给P MOS管提供驱动电压的驱动模块和用于保护P MOS管的驱动保护模块，所述驱动模块与P MOS管的源极和栅极连接，所述驱动保护模块与所述驱动模块连接。通过额外设置的驱动保护模块，降低了栅极端的电压，有效在直流输入电压大于MOSFET额定电压时保护MOSFET，防止其被击穿，降低驱动电路的成本，实现批量生产。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及驱动电路领域，尤其涉及P-MOSFET驱动电路。
技术介绍
电力场效应晶体管分为两种类型，结型和绝缘栅型。一般绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET)，简称为电力 MOSFET (Power MOSFET), P-M0SFET 是用栅极电压来控制漏极电流，它具有驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高的显著特点。但是，其电流容量小，耐压低，只用于小功率的电力电子装置。现有的MOSFET驱动电路并未设置保护电路部分。因此，当输入直流电压大于P-MOSFET的Vgs (栅极电压)的最大耐压值(如30V)时，将会导致P-MSOFET的损坏。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本技术的目的在于提供P-MOSFET驱动电路，旨在解决现有P-MSOFET驱动电路未设置保护电路，输入电压过大时容易造成P-MSOFET损坏的冋题。本技术的技术方案如下:一种P-MOSFET驱动电路，其包括:用于提供给P MOS管提供驱动电压的驱动模块和用于保护P MOS管的驱动保护模块，所述驱动模块与P MOS管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种P‑MOSFET驱动电路，其特征在于，包括：用于提供给P MOS管提供驱动电压的驱动模块和用于保护P MOS管的驱动保护模块，所述驱动模块与P MOS管的源极和栅极连接，所述驱动保护模块与所述驱动模块连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘建飞，周大红，李战功，汪兆华，鞠万金，
申请(专利权)人：深圳市京泉华科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44