开关装置及开关电路制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种开关装置及开关电路，所述开关装置包括IGBT模块及换流模块，所述IGBT模块具有IGBT开关，所述IGBT开关具有门极、集电极及发射极；所述换流模块具有晶体二极管及电容器，所述晶体二极管及电容器均并联于所述IGBT开关的发射极及集电极两端，且所述晶体二极管的正极、负极分别连接于发射极与集电极。所述开关电路包括所述开关装置。本实用新型专利技术涉及的开关装置，适合用于中、高频率的场合要求的门极关断特性及高性价比且电能的利用效率较高。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电路开关领域，特别是涉及一种开关装置及开关电路。
技术介绍
继电器是机械式电力开关控制方案，通过电磁铁的方式，使两个触点接触和断开。可控硅(SCR):正式名称是反向阻断三端晶闸管，简称晶闸管(thyristor)。通过控制可控硅的导通和截止，进而实现对电力的开关控制。继电器方案由于是机械式的，在开关大电流的情况下，触点容易粘连，导致开关不能正常的开关灯具。自从可控硅(晶闸管)专利技术以来，功率半导体器件中也并没有适合用于中、高频率的场合要求及高性价比的门极关断特性的开关。由于可控硅的导通截止特性，在对交流电进行开关时，容易产生高次谐波干扰，而且由于相控工作方式的工作电流不是在整个正弦波周期内流过控制器件的，因而电能的利用效率较低。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种适合用于中、高频率的场合要求的门极关断特性及高性价比且电能的利用效率较高的开关装置。一种开关装置，包括IGBT模块及换流模块，所述IGBT模块具有IGBT开关，所述IGBT开关具有门极、集电极及发射极；所述换流模块具有晶体二极管及电容器，所述晶体二极管及电容器均并联于所述IGBT开关的发射极及集电极两端，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种开关装置，其特征在于，包括IGBT模块及换流模块，所述IGBT模块具有IGBT开关，所述IGBT开关具有门极、集电极及发射极；所述换流模块具有晶体二极管及电容器，所述晶体二极管及电容器均并联于所述IGBT开关的发射极及集电极两端，且所述晶体二极管的正极、负极分别连接于发射极与集电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：毛家勇，
申请(专利权)人：广州博翱电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44