功率MOSFET驱动电路制造技术

功率MOSFET驱动电路，涉及MOSFET驱动技术领域，其包括第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET、电阻R3、R4、R5和R7，第一MOSFET源极和漏极与电阻R7串联后连接在+12V电源和地之间，第一MOSFET的栅极作为本驱动电路的输入端，第二MOSFET源极和漏极与电阻R4串联后连接在+12V电源和地之间，第二MOSFET的栅极一路连接于第一MOSFET和电阻R7的接点，另一路经由电阻R3接地，电阻R5一端连接+12V电源，另一端连接第三MOSFET的漏极，第三MOSFET的源极作为本驱动电路的输出端连接被驱动的功率MOSFET的栅极，第三MOSFET的栅极连接于第二MOSFET和电阻R4的接点。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术创造涉及MOSFET驱动
，具体涉及一种功率MOSFET驱动电路。
技术介绍
功率MOSFET(Metal-Oxide_Semiconductor Field-Effect Transistor,金氧半场效晶体管)，是指能输出较大的工作电流(几安到几十安)的M0SFET，通常用作功率输出级的器件。由于IC集成电路启动电压比较低，提供给功率MOSFET的栅极的启动电压也比较低，如果电路中有高压与大电流的功率M0SFET，则该功率MOSFET会由于启动电压不足而不能完全导通，此时该功率MOSFET的内阻较大，发热比较大，造成温升过高。
技术实现思路
针对现有技术存在的上述技术问题，本专利技术创造提供一种功率MOSFET驱动电路，其能让高压和大电流的功率MOSFET完全导通。为实现上述目的，本专利技术创造提供以下技术方案。功率MOSFET驱动电路，包括第一 MOSFET、第二 MOSFET、第三MOSFET、电阻R3、R4、R5和R7，第一 MOSFET源极接地，漏极与电阻R7 —端连接，电阻R7另一端连接+12V电源，第一 MOSFET的栅极作为该驱动电路的输入本文档来自技高网...

【技术保护点】
功率MOSFET驱动电路，其特征是，包括第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET、电阻R3、R4、R5和R7，第一MOSFET源极接地，漏极与电阻R7一端连接，电阻R7另一端连接+12V电源，第一MOSFET的栅极作为该驱动电路的输入端，第二MOSFET源极接地，漏极与电阻R4一端连接，电阻R4另一端连接+12V电源，第二MOSFET的栅极一路连接于第一MOSFET和电阻R7的接点，另一路经由电阻R3接地，电阻R5一端连接+12V电源，另一端连接第三MOSFET的漏极，第三MOSFET的源极作为该驱动电路的输出端连接被驱动的功率MOSFET的栅极，第三MOSFET的栅极连接于第二M...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王顺兴，陈家词，
申请(专利权)人：东莞市奥源电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44