【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种硅异质结太阳能电池结构，其特征在于，所述硅异质结太阳能电池结构包括：一n型晶体硅，具有一正面和一背面，所述正面和所述背面均使用氢化非晶硅进行钝化处理；一p型氢化非晶硅层，位于所述n型晶体硅的正面之上，且与所述n型晶体硅进行异质结；一n型氢化非晶硅层，位于所述n型晶体硅的背面之下，且与所述n型晶体硅进行异质结；一第一透明导电氧化层，位于所述p型氢化非晶硅层的上方；一第二透明导电氧化层，位于所述n型氢化非晶硅层的下方；一非晶透明导电氧化层，形成于所述第二透明导电氧化层的远离所述n型晶体硅的一表面；一银胶层，呈栅格状，形成于所述第一透明导电氧化层的上方；以及一缓冲薄膜层，溅镀形成于所述非晶透明导电氧化层的远离所述n型晶体硅的一表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张傑，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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