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本发明提供一种硅异质结太阳能电池结构及其制造方法。该结构包括n型晶体硅，其正面和背面均使用氢化非晶硅进行钝化处理；p型氢化非晶硅层；n型氢化非晶硅层；第一TCO层，位于p型氢化非晶硅层的上方；第二TCO层，位于n型氢化非晶硅层的下方；非晶T...
该专利属于友达光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过友达光电股份有限公司授权不得商用。

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