晶圆级封装的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种晶圆级封装的制造方法，在第一芯片上形成第一光刻胶，在第一光刻胶上形成多个第一开口部，露出第一芯片的功能面；在从多个第一开口部露出的功能面上形成凸点下金属层，然后去除第一光刻胶；将第二芯片的功能凸点与凸点下金属层连接；在第一芯片和第二芯片之间形成填充层；在第一芯片上形成连接层，连接层的顶面高于第二芯片顶面；在连接层顶面植焊球。将第一芯片和第二芯片面对面设置，再在第一芯片上形成连接层，由此组成的封装结构在后续倒装工艺中，利用了第一芯片上的连接层与第二芯片形成的高度差，就可以将封装结构倒装，而不破坏封装结构，即倒装时不会损坏第二芯片，降低了加工过程中的风险。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种晶圆级封装的制造方法，其特征在于，在第一芯片上形成第一光刻胶，在所述第一光刻胶上形成多个第一开口部，露出所述第一芯片的功能面；在从所述多个第一开口部露出的功能面上形成凸点下金属层，然后去除所述第一光刻胶；将所述第二芯片的功能凸点与所述凸点下金属层连接；在所述第一芯片和所述第二芯片之间形成填充层；在所述第一芯片上形成连接层，所述连接层为层状结构；在所述连接层顶面植焊球，所述焊球的顶面高于所述第二芯片的顶面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁万春，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32