一种基于ECR电子照射硅基纳米结构碳膜的光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种基于ECR电子照射制备的硅基纳米结构碳膜光电探测器及其制备方法：选取电阻率7～13Ω·cm，厚度525μm的p(100)型单面抛光硅片，利用ECR等离子体加工系统，通过调节基片偏压在+10～+300V范围内变化，可实现硅基非晶纳米结构碳膜、硅基石墨烯嵌层纳米结构碳膜、硅基石墨化纳米结构碳膜三种不同结构的光电探测器的制备；操作简单，所得硅基碳薄膜光电探测器可靠性高，响应时均小于1ms；测试表明：硅基非晶纳米结构碳膜/硅基石墨烯嵌层纳米结构碳膜/硅基石墨化纳米结构碳膜光电探测器的光谱响应度峰值分别为：0.175A·W-1、0.21A·W-1、0.188A·W-1。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于ECR电子照射制备的硅基纳米结构碳膜光电探测器，其特征在于，包括由下至上依次排布的Au薄膜电极(1)、p(100)型Si基片(2)、ECR电子照射硅基纳米结构碳膜(3)和正方形网格状Au电极(4)；Au薄膜电极(1)和正方形网格状Au电极(4)通过银胶(5)与导线(6)粘接，形成具有光电探测能力的硅基纳米结构碳膜光电探测器；所述硅基纳米结构碳膜光电探测器光谱响应度峰值为：0.175‑0.21A·W‑1，响应时间小于1ms。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刁东风，胡改娟，范雪，杨雷，
申请(专利权)人：西安交通大学，深圳大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61