复合气体阻隔膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种气体阻隔膜及其制备方法，依次为基膜、气体阻隔功能层、黏接层和保护膜；所述基膜和保护膜均为聚合物膜；所述气体阻隔功能层为一层或者两层或者多层石墨烯膜或者石墨烯膜与纳米级金属膜的叠加。本发明专利技术所提供的石墨烯复合结构可用于气体、液体和固体的密封保护，这种石墨烯复合结构的气体、液体和固体泄露率相对于高分子密封膜和金属密封膜可大大降低；还可用于高分子膜导热方面，石墨烯具有优异的热导性，所以发明专利技术提供的这种石墨烯复合结构与不含石墨烯的高分子膜相比，导热性会大大提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种复合气体阻隔膜及其制备方法。
技术介绍
高分子膜由于在表面形成氧化硅、氧化铝、氧化镁等而作为一种气体阻隔膜，可有效地阻挡氧气、水蒸气等，因此广泛地应用于防止食品、工业用品和医药品等的变质的包装。另外，由于可有效地阻挡也能够气等，还可用于密封太阳能电池、液晶显示元件、有机EL元件等电子器件。但是氧化物粒子之间存在晶界缺陷，随着时间的增加，有些气体或液体会泄露，起不到严格密封的作用，因为高分子材料中存在很多孔洞，分子会从孔洞中穿过。金属密封膜的采用会改善密封效果，但密封效果仍不理想。人们选择在基膜上设置铝箔，可获得稳定的氧、水蒸气阻隔性，但是对于气体分子量较小的氢气、氦气的阻隔性较差。近年来人们开发的具有由聚偏二氯乙烯(PVDC)或乙烯-乙烯醇共聚物(EVOH)形成的阻隔膜，也可有效地阻挡氧气，但前者含有氯，对环境有污染，后者的阻隔性随环境影响较大。普通高分子膜的导热性能很差，一般工业上的高分子导热材料都是用导热作用的氮化硼、三氧化二铝粉作填料复合而成，制作过程复杂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合气体阻隔膜，其特征在于：依次为基膜(1)、气体阻隔功能层(2)、黏接层(3)和保护膜(4)；所述基膜(1)和保护膜(4)均为聚合物膜；所述气体阻隔功能层(2)为一层或者两层或者多层石墨烯膜(21)或者石墨烯膜(21)与纳米级金属膜(22)的叠加。

【技术特征摘要】
1.一种复合气体阻隔膜，其特征在于：依次为基膜(1)、气体阻隔功能层(2)、
黏接层(3)和保护膜(4)；所述基膜(1)和保护膜(4)均为聚合物膜；所述气体阻
隔功能层(2)为一层或者两层或者多层石墨烯膜(21)或者石墨烯膜(21)与纳米级
金属膜(22)的叠加。
2.根据权利要求1所述的一种复合气体阻隔膜，其特征在于：所述基膜(1)厚度
为10μm～250μm；所述黏接层(3)厚度为2μm～250μm；所述保护膜(4)厚度为
10μm～250μm。
3.一种制备如权利要求1所述的复合气体阻隔膜的制备方法，其特征在于包括以
下步骤：
步骤一：准备基膜(1)、含黏接层(3)的保护膜(4)；
步骤二：制备气体阻隔功能层(2)；所述气体阻隔层(2)为一层或者两层或者多
层石墨烯膜(21)；将气体阻隔功能层(2)与基膜(1)复合，或者与含黏接层(3)的
保护膜(4)复合；
步骤三：将气体阻隔功能层(2)加基膜(1)的复合结构与含黏接层(3)的保护
膜(4)复合；或者将气体阻隔功能层(2)加含黏接层(3)的保护膜(4)的复合结构
与基膜(1)复合。
4.根据权利要求3所述的复合气体阻隔膜的制备方法，其特征在于：所述步骤二
中，制备气体阻隔功能层(2)的方法为：
(2.1)采用化学气相沉积法在低压下获得含有石墨烯膜(21)的生长基体；
(2.2)使用热释放胶带法或者粘结剂法或者热释放胶带结合粘结剂法将n(自然数，
n≥1)层石墨烯膜从生长基体转移到基膜(1)上，得到气体阻隔功能层(2)和基膜(1)
的复合结构；
所述步骤三中，将含有黏接层(3)的保护膜(4)贴覆到气体阻隔功能层(2)上。
5.根据权利要求3所述的复合气体阻隔膜的制备方法，其特征在于：所述步骤二
中，制备气体阻隔功能层(2)的方法为：
(2.1)采用化学气相沉积法在低压下获得含有石墨烯膜(21)的生长基体；
(2.2)使用将含有黏接层(3)的保护膜(4)将n(自然数，n≥1)层石墨烯膜从
生长基体转移到保护膜(4)上，得到气体阻隔功能层(2)和含有黏接层(3)的保护
膜(4)的复合结构；
所述步骤三中，将气体阻隔功能层(2)贴覆到基膜(1)上。
6.根据权利要求3所述的复合气体阻隔膜的制备方法，其特征在于：所述步骤二
中，制备气体阻隔功能层(2)的方法为：
(2.1)将经过化学抛...

【专利技术属性】
技术研发人员：金虎，娄晓静，彭鹏，周振义，
申请(专利权)人：常州二维碳素科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32