半导体制造电镀治具电极接触区域形成的方法及接触区域技术

本发明专利技术公开了一种半导体制造电镀治具电极接触区域形成的方法及接触区域，包括以下步骤：在半导体晶圆上形成正性光阻；在形成正性光阻同时在边缘喷射有机溶剂；把正性光阻未洗掉的边缘形成弧形；曝光，边缘经过曝光形成第一图案；显影预对准；在显影预对准单元通过装置边缘曝光，在边缘形成第二图案；显影后在正性光阻上形成第三图案，同时通过显影液的冲刷把边缘第二图案洗掉形成规则的边缘。本发明专利技术还提供一种半导体制造电镀治具电极接触区域，是按照上述的方法形成的。采用本发明专利技术的方法在半导体晶圆边缘形成的无光刻胶电镀阴极金属环接触区域，不会造成电镀时设备报警，而且大大减少了电镀治具的预防性维护频次。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种半导体制造电镀治具电极接触区域形成的方法及接触区域。
技术介绍
在半导体晶圆级封装或凸点制造时，为了在晶圆表面形成设计凸点的金属线路或金属凸点，需要先在晶圆表面通过物理气相沉积的方法形成一层电镀所需要的金属种子层。然后在金属种子层上通过光刻图形转移方法形成有设计图案的正性光阻，而为了电镀工艺要求需要在这层正性光阻的晶圆边缘形成无光刻胶电镀阴极金属环接触区域。一般所公知的工艺步骤如图1所示，其工艺流程的产品截面图如图2所示，其流程如下。参见图1、图2和图3，S801:首先在半导体晶圆21上通过旋转涂布的方法形成正性光阻22；S802:形成正性光阻22同时在边缘喷出大量有机溶剂：通过在晶圆边上内喷有机清洗液的方法在半导体晶圆边缘形成无光刻胶电镀阴极金属环接触区域；S803:涂布结束时把正性光租22的边缘洗掉形成锯齿边缘22a；S804:曝光，形成第一图案22b；S805:曝光后显影前对中并显影。S805:显影后在正性光阻上形成设计第二图案22c。现有的方法在半导体晶圆边缘形成的无光刻胶电镀阴极金属环接触区域宽度范围为1.0mm到1.8mm之间，容易造成电镀时设备报警、电镀高度不一致甚至是产品报废。而且所形成的锯齿状边缘光刻胶22a容易脏污电镀治具的接触电极，增加电镀治具的预防性维护频次。
技术实现思路
在下文中给出关于本专利技术的简要概述，以便提供关于本专利技术的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本专利技术的穷举性概述。它并不是意图确定本专利技术的关键或重要部分，也不是意图限定本专利技术的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。本专利技术实施例的目的是针对上述现有技术的缺陷，提供一种不会造成电镀时设备报警，且减少电镀治具的预防性维护频次的半导体制造电镀治具电极接触区域形成的方法。为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案是：一种半导体制造电镀治具电极接触区域形成的方法，其特征在于，包括以下步骤：S801：在半导体晶圆上形成正性光阻；S802：在形成正性光阻同时在边缘喷射显影液；S803：把正性光阻未洗掉的边缘形成弧形；S804：曝光，边缘经过曝光形成第一图案；S805：显影预对准；S806：在显影预对准单元通过装置边缘曝光，在边缘形成第二图案；S807：显影后在正性光阻上形成第三图案，同时通过显影液的冲刷把边缘第二图案洗掉形成规则的边缘。本专利技术还提供一种半导体制造电镀治具电极接触区域，是按照上述的方法形成的。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：采用本专利技术的方法在半导体晶圆边缘形成的无光刻胶电镀阴极金属环接触区域宽度范围为1.2mm到1.6mm之间，不会造成电镀时设备报警、电镀高度不一致甚至是产品报废情况，所形成的电镀高度共面性为正负7％。而且所形成的光滑垂直截面边缘光刻胶不会脏污电镀治具的接触电极，大大减少了电镀治具的预防性维护频次。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术提供的半导体制造电镀治具电极接触区域形成的工 艺流程图；图2为现有技术提供的形成锯齿状晶圆光阻边缘的产品截面示意图；图3为现有技术提供的半导体制造电镀治具电极接触区域的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的半导体制造电镀治具电极接触区域形成的工艺流程图；图5为本专利技术实施例提供的形成规则晶圆光阻边缘的产品截面示意图；图6为本专利技术实施例提供的半导体制造电镀治具电极接触区域的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。在本专利技术的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本专利技术无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。参见图4、图5和图6，本专利技术提供一种半导体制造电镀治具电极接触区域形成的方法，包括以下步骤：S801：在半导体晶圆21上形成正性光阻32；优选地，在半导体晶圆21上形成正性光阻32的方法为旋转涂布的方法，即在半导体晶圆上通过旋转涂布的方法形成正性光阻32；S802：在形成正性光阻32同时在边缘喷射有机溶剂；所述有机溶剂为丙二醇甲醚和丙二醇甲醚醋酸酯的混合物。其中，丙二醇甲醚为混合物重量的60％～90％，所述丙二醇甲醚醋酸酯为混合物重量的10％～40％。本实施例优选的，丙二醇甲醚为混合物重量的75％，所述丙二醇甲醚醋酸酯为混合物重量的25％。在形成正性光阻32同时在边缘喷射少量有机溶剂进行洗边，所述有机溶剂的喷射量为每分钟50毫升到70毫升之间。优选为每分钟喷射60毫升。S803：把正性光阻32未洗掉的边缘形成弧形32a；涂布结束时把正性光阻32的边缘未洗掉形成弧形32a；S804：曝光；第一紫外光612a透过挡板611上的孔得到第一透过紫外光612b进行曝光后得到第一图案32b；S805：显影预对准；在显影前需要预对准；S806：在显影预对准单元通过装置边缘曝光，在边缘形成第二图案；在显影预对准后，在显影预对准单元通过装置边缘曝光形成第二图案32e；装置包括挡块715d，第二紫外光715c穿过挡块715d的空隙得到第一透过紫外光715e进行曝光，在边缘形成第二图案32e，在曝光的同时半导体晶原21旋转360度最终形成环状的第二图案32e。S807：显影后在正性光阻上形成第三图案，同时把边缘第二图案洗掉形成规则的边缘。显影后在正性光阻32上形成第三图案32g，同时把边缘第二图案32e用质量百分比浓度为百分之二到百分之三的四甲基氢氧化铵水溶液溶解形成规则的边缘32f。采用本专利技术的方法形成的半导体制造电镀治具电极接触区域宽度范围为1.2mm到1.6mm之间，不会造成电镀时设备报警、电镀高度不一致甚至是产品报废情况，所形成的边缘32f，其为光滑垂直截面边缘光刻胶，不会脏污电镀治具的接触电极，大大减少了电镀治具的预防性维护频次。本专利技术还提供一种半导体制造电镀治具电极接触区域，是按照上述的方法形成的。本专利技术的半导体制造电镀治具电极接触区域的宽度为1.2-1.6mm。本专利技术适用于形成半导体晶圆级封装或凸点制造显影时在半导体晶圆边缘形成无光刻胶电镀阴本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制造电镀治具电极接触区域形成的方法，其特征在于，包括以下步骤：S801：在半导体晶圆上形成正性光阻；S802：在形成正性光阻同时在边缘喷射有机溶剂；S803：把正性光阻未洗掉的边缘形成弧形；S804：曝光，边缘经过曝光形成第一图案；S805：显影预对准；S806：在显影预对准单元通过装置边缘曝光，在边缘形成第二图案；S807：显影后在正性光阻上形成第三图案，同时通过显影液的冲刷把边缘第二图案洗掉形成规则的边缘。

【技术特征摘要】
1.一种半导体制造电镀治具电极接触区域形成的方法，其特征在于，包
括以下步骤：
S801：在半导体晶圆上形成正性光阻；
S802：在形成正性光阻同时在边缘喷射有机溶剂；
S803：把正性光阻未洗掉的边缘形成弧形；
S804：曝光，边缘经过曝光形成第一图案；
S805：显影预对准；
S806：在显影预对准单元通过装置边缘曝光，在边缘形成第二图案；
S807：显影后在正性光阻上形成第三图案，同时通过显影液的冲刷把边缘
第二图案洗掉形成规则的边缘。
2.根据权利要求1所述的半导体制造电镀治具电极接触区域形成的方法，
其特征在于，所述S801中：在半导体晶圆上形成正性光阻的方法为旋转涂布
的方法。
3.根据权利要求1所述的半导体制造电镀治具电极接触区域形成的方法，
其特征在于，所述有机溶剂的喷射量为每分钟50-70毫升。
4.根据权利要求1所述的半导体制造电镀治具电极接...

【专利技术属性】
技术研发人员：施建根，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32