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本发明公开了一种半导体制造电镀治具电极接触区域形成的方法及接触区域，包括以下步骤：在半导体晶圆上形成正性光阻；在形成正性光阻同时在边缘喷射有机溶剂；把正性光阻未洗掉的边缘形成弧形；曝光，边缘经过曝光形成第一图案；显影预对准；在显影预对准单元...
该专利属于南通富士通微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通富士通微电子股份有限公司授权不得商用。

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