一种多晶硅铸锭用高效氮化硅粉的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种多晶硅铸锭用高效氮化硅粉的制备方法，包括：采用纯度大于99.9％、粒径为0.01μm～10μm的硅粉、碳化硅粉和氮化硅粉为原料，溶于纯水中搅拌混合均匀，得到混合剂，其中，硅粉和碳化硅粉的混合物作为多晶铸锭形核剂；待石英坩埚进行常规的氮化硅喷涂结束后，将混合剂喷涂或刷涂在石英坩埚的底部以及侧壁，形成厚度为0.01mm～2mm的混合剂涂层，待混合剂涂层干燥后，获得不龟裂的混合剂涂层与/或龟裂的混合剂涂层，最后装料铸锭，获得多晶硅铸锭。本方法能获得晶粒大小均匀、硅锭缺陷少、位错密度低、成品率高的多晶硅锭。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于化学领域。
技术介绍
1.现有技术中多晶硅铸锭的方法主要有如下几种:(I)类单晶技术:类单晶技术是指在已喷好氮化硅粉的石英坩祸底部放置10mm-20mm厚的单晶作为籽晶，再装硅料。通过调整工艺参数，使硅料融化结束时的固液界面恰好位于单晶籽晶处，并使单晶融化掉一部分，未融化的单晶作为籽晶，并从籽晶处开始形核长晶，最终得到类单晶硅锭。(2)碎硅片技术:碎硅片技术即在石英坩祸底部铺置一定厚度的碎硅料作为籽晶，然后正常装料。硅料融化时则通过调整工艺参数保持碎硅料部分融化，晶体以未融化的碎硅料作为籽晶，从籽晶处开始形核长晶，得到高质量的硅锭。2.现有技术存在的缺点(I)类单晶技术:①单晶籽晶成本高；②类单晶硅锭中的位错密度分布不均匀，偏上位置处的位错密度比普通硅锭中的位错密度还高；此技术需要精准融化控制设备来精密控制硅料融化时的温度梯度，否则不能实现稳定生产。因此，此项技术还没有实现大规模的应用。(2)碎硅片技术:石英坩祸的底部存在未融化的碎硅料，会导致硅锭杂质率较高、铸锭成品率低。且该技术需要精确控制籽晶剩余量，但目前还无法实现自动控制，而人工对籽晶剩余量的控制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅铸锭用高效氮化硅粉的制备方法，其特征在于，包括：1)采用纯度大于99.9％、粒径为0.01μm～10μm的硅粉、碳化硅粉和氮化硅粉为原料，溶于纯水中搅拌混合均匀，得到混合剂，其中，硅粉和碳化硅粉的混合物作为多晶铸锭形核剂；2)待石英坩埚进行常规的氮化硅喷涂结束后，将混合剂喷涂或刷涂在石英坩埚的底部以及侧壁，形成厚度为0.01mm～2mm的混合剂涂层，待混合剂涂层干燥后，获得不龟裂的混合剂涂层与/或龟裂的混合剂涂层，最后装料铸锭，长晶时不龟裂的混合剂涂层以硅与碳化硅作为形核点进行铸锭生长，而龟裂的混合剂涂层则以硅、碳化硅及裂缝作为形核点长晶，获得多晶硅铸锭。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭大为，吕东，宋丽岑，柏小龙，孙洪亮，郭大荣，
申请(专利权)人：烟台同立高科新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37