【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种低温漂CMOS振荡器电路，其特征是，包括脉冲发生电路和F‑V频率电压转化电路；脉冲发生电路包括第二电容、第四电阻、NMOS管、PMOS管、第二比较器、第一反相器、第二反相器、第一或非门、第二或非门；第二比较器的正向输入端B与比较器参考电压取样电路连接，同时经第四电阻与NMOS管的漏极连接，同时还与PMOS管的漏极连接；NMOS管的源极接地，栅极接至第二反相器的输出端P；PMOS管的源极连接至电源VDD，栅极连接至第二反相器的输出端P，源极与漏极之间由第二电容连接；第二比较器的输出端分别与第一反相器的输入端、第一或非门的第一输入端连接，第一反相器的输出端连接至第二或非门的第二输入端，第二或非门的输出端连接至第一或非门的第二输入端，第一或非门的输出端连接至第二或非门的第一输入端；第一或非门的输出端同时连接至第二反相器的输入端；第二比较器的反向输入端与比较器参考电压取样电路连接；F‑V频率电压转化电路包括第一运算放大器；电源VDD经分压后连接至第一运算放大器的正向输入端，第一运算放大器的输出端C连接至第二运算放大器的反向输入端；第一运算放大器的反向输入端连接至脉冲发生电路中的第二比较器的...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：白涛，
申请(专利权)人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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