【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机聚硅氧烷聚合物
本专利技术涉及具有创造性的有机聚硅氧烷聚合物。它还涉及包含具有创造性的有机聚硅氧烷聚合物的消费产品组合物,并且涉及制备和使用方法。
技术介绍
阳离子调理聚合物旨在沉积于带负电的表面诸如织物、皮肤或毛发上,并且包含于许多常见的消费产品组合物中。此类产品可提供消费者期望的有益效果诸如柔软性、润滑性、手感、抗皱、毛发调理、卷曲控制、皮肤保湿和颜色保护。任何具体调理聚合物的效果不仅取决于调理聚合物自身的化学和物理特性,而且取决于目标表面以及所述调理聚合物被递送于其中的产品制剂的那些化学和物理特性。包含阳离子调理聚合物的许多消费产品为水基洗去型组合物形式,诸如洗发剂、沐浴剂、衣物洗涤剂、和织物软化剂。尽管这些洗去型组合物受欢迎,但是此类产品形式在很多情况下遇到有效将这些通常疏水性的阳离子调理聚合物沉积在目标表面上的难题。将这些调理剂掺入到水基产品中,通常导致调理剂被优先从预期的沉积位点洗去而不是有效沉积。对于包含表面活性剂的清洁组合物,尤其是包含阴离子表面活性剂的那些清洁组合物,该问题尤其突出。阴离子表面活性剂可通过与所述阳离子调理聚合物形成复合物/沉淀而阻碍沉积。阴离子表面活性剂浓度越高,越难以沉积阳离子有益效果活性物质。这造成材料的非成本有效使用和浪费。另外,即使获得可接受程度的沉积,这些制剂仍可能因絮凝和沉淀而缺乏架藏稳定性,使得它们无法成为可接受的消费产品。本领域存在多种材料,但不是完全令人满意的。例如,由Ono(WO99/32539)描述的材料包含具有杂原子诸如氧、氮、硫或卤素的官能化端基。这些官能化端基可导致对于包含这些材料的组合物造 ...
【技术保护点】
一种嵌段阳离子有机聚硅氧烷,所述有机聚硅氧烷具有式:MwDxTyQz其中:M=[SiR1R2R3O1/2]、[SiR1R2G1O1/2]、[SiR1G1G2O1/2]、[SiG1G2G3O1/2]、或它们的组合;D=[SiR1R2O2/2]、[SiR1G1O2/2]、[SiG1G2O2/2]或它们的组合;T=[SiR1O3/2]、[SiG1O3/2]或它们的组合;Q=[SiO4/2];w=为1至(2+y+2z)的整数;x=为5至15,000的整数;y=为0至98的整数;z=为0至98的整数;R1、R2和R3各自独立地选自H、OH、C1‑C32烷基、C1‑C32取代的烷基、C5‑C32或C6‑C32芳基、C5‑C32或C6‑C32取代的芳基、C6‑C32烷基芳基、C6‑C32取代的烷基芳基、C1‑C32烷氧基、C1‑C32取代的烷氧基、C1‑C32烷氨基、和C1‑C32取代的烷氨基;M、D或T中的至少一者结合至少一个部分G1、G2或G3,并且G1、G2和G3各自独立地选自下式:其中:X包含二价基,所述二价基选自:C1‑C32亚烷基、C1‑C32取代的亚烷基、C5‑C32或C6‑C32亚芳 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.07.27 US 61/676,744;2013.02.11 US 61/763,0661.一种嵌段阳离子有机聚硅氧烷,所述有机聚硅氧烷具有式:MwDxTyQz其中:M=[SiR1R2R3O1/2]、[SiR1R2G1O1/2]、[SiR1G1G2O1/2]、[SiG1G2G3O1/2]或它们的组合;D=[SiR1R2O2/2]、[SiR1G1O2/2]、[SiG1G2O2/2]或它们的组合;T=[SiR1O3/2]、[SiG1O3/2]或它们的组合;Q=[SiO4/2];w=为1至(2+y+2z)的整数;x=为5至15,000的整数;y=为0至98的整数;z=为0至98的整数;R1、R2和R3各自独立地选自H、OH、C1-C32烷基、C1-C32取代的烷基、C5-C32芳基、C5-C32取代的芳基、C6-C32烷基芳基、C6-C32取代的烷基芳基、C1-C32烷氧基、C1-C32取代的烷氧基、C1-C32烷氨基、和C1-C32取代的烷氨基;M、D或T中的至少一者结合至少一个部分G1、G2或G3,并且G1、G2和G3各自独立地选自下式:其中:X包含二价基,所述二价基选自:C1-C32亚烷基、C1-C32取代的亚烷基、C5-C32亚芳基、C5-C32取代的亚芳基、C6-C32芳基亚烷基、C6-C32取代的芳基亚烷基、C1-C32烷氧基、C1-C32取代的烷氧基、C1-C32亚烷基氨基、C1-C32取代的亚烷基氨基,前提条件是如果X不包含重复的环氧烷部分,则X还可包含选自P、N和O的杂原子;每个R4包含相同的或不同的一价基,所述一价基选自:H、C1-C32烷基、C1-C32取代的烷基、C5-C32芳基、C5-C32取代的芳基、C6-C32烷基芳基、和C6-C32取代的烷基芳基;E包含二价基,所述二价基选自:C1-C32亚烷基、C1-C32取代的亚烷基、C5-C32亚芳基、C5-C32取代的亚芳基、C6-C32芳基亚烷基、C6-C32取代的芳基亚烷基、C1-C32烷氧基、C1-C32取代的烷氧基、C1-C32亚烷基氨基、C1-C32取代的亚烷基氨基,前提条件是如果E不包含重复的环氧烷部分,则E还可包含选自P、N和O的杂原子;E’包含二价基,所述二价基选自:C1-C32亚烷基、C1-C32取代的亚烷基、C5-C32亚芳基、C5-C32取代的亚芳基、C6-C32芳基亚烷基、C6-C32取代的芳基亚烷基、C1-C32烷氧基、C1-C32取代的烷氧基、C1-C32亚烷基氨基、C1-C32取代的亚烷基氨基,前提条件是如果E’不包含重复的环氧烷部分,则E’还可包含选自P、N和O的杂原子;p为独立地选自1至50的整数;n为独立地选自1或2的整数;当G1、G2或G3中的至少一者带正电时,A-t为一种或多种合适的电荷平衡阴离子,使得一种或多种电荷平衡阴离子的总电荷k等于部分G1、G2或G3上的净电荷并与其相反;其中t为独立地选自1、2或3的整数;并且k≤(p*2/t)+1;使得有机聚硅氧烷分子中的阳离子电荷总数与阴离子电荷总数平衡;并且其中至少一个E不包含亚乙基部分。2.根据权利要求1所述的有机聚硅氧烷,其中w为2至50的整数。3.根据权利要求1所述的有机聚硅氧烷,其中w等于2,x为20至1,000的整数,并且y和z为0。4.根据权利要求1所述的有机聚硅氧烷,其中每个E独立地选自C1-C32亚烷基、C1-C32取代的亚烷基、C5-C32亚芳基、C5-C32取代的亚芳基、C6-C32芳基亚烷基、C6-C32取代的芳基亚烷基、C1-C32烷氧基、C1-C32取代的烷氧基、C1-C32亚烷基氨基、C1-C32取代的亚烷基氨基。5.根据权利要求1所述的有机聚硅氧烷,其中y=z=0。6.一种嵌段有机聚硅氧烷,所述有机聚硅氧烷由以下结构表示:MwDx其中:M=[SiR1R2R3O1/2]、[SiR1R2G1O1/2]、[SiR1G1G2O1/2]、[SiG1G2G3O1/2]、或它们的组合;D=[SiR1R2O2/2];w=为1至2的整数;x=为5至15,000的整数;R1、R2和R3各自独立地选自H、OH、C1-C32烷基、C1-C32取代的烷基、C5-C32芳基、C5-C32取代的芳基、C6-C32烷基芳基、C6-C32取代的烷基芳基、C1-C32烷氧基、C1-C32取代的烷氧基、C1-C32烷氨基、和C1-C32取代的烷氨基;M中的至少一者结合至少一个部分G1、G2或G3,并且G1、G2和G3为相同的或不同的部分,其中每一者独立地选自下式:其中:X包含二价基,所述二价基独立地选自:C1-C32亚烷基、C1-C32取代的亚烷基、C5-C32亚芳基、C5-C32取代的亚芳基、C6-C32芳基亚烷基、C6-C32取代的芳基亚烷基、C1-C32烷氧基、C1-C32取代的烷氧基、C1-C32亚烷基氨基、C1-C32取代的亚烷基氨基,前提条件是如果X不包含重复的环氧烷部分,则X还可包含选自P、N和O的杂原子;每个R4包含相同的或不同的一价基,所述一价基独立地选自:H、C1-C32烷基、C1-C32取代的烷基、C5-C32芳基、C5-C32取代的芳基、C6-C32烷基芳基、和C6-C32取代的烷基芳基;E包含二价基,所述二价基独立地选自:C1-C32亚烷基、C1-C32取代的亚烷基、C5-C32亚芳基、C5-C32取代的亚芳基、C6-C32芳基亚烷基、C6-C32取代的芳基亚烷基、C1-C32烷氧基、C1-C32取代的烷氧基、C1-C32亚烷基氨基、C1-C32取代的亚烷基氨基,前提条件是如果E不包含重复的环氧烷部分,则E还可包含选自P、N和O的杂原子;E’包含二价基,所述二价基独立地选自:C1-C32亚烷基、C1-C32取代的亚烷...
【专利技术属性】
技术研发人员:S·D·史密斯,R·J·麦凯恩,Y·吉兹,R·K·帕纳戴克,C·巴雷拉,
申请(专利权)人:宝洁公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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