一种低电阻率碳化硅陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种低电阻率碳化硅陶瓷及其制备方法，所述低电阻率碳化硅陶瓷的组成包括SiC、AlN、B4C、C，其中，AlN 的含量1—5wt%，B4C 的含量≤1wt%，C的含量为0—3wt%，其余为SiC。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及，所述低电阻率碳化硅陶瓷的组成包括SiC、AlN、B4C、C，其中，AlN 的含量1—5wt%，B4C 的含量≤1wt%，C的含量为0—3wt%，其余为SiC。【专利说明】
本专利技术涉及一种低电阻率碳化硅(SiC)陶瓷的制备方法，属于SiC陶瓷领域。
技术介绍
大功率脉冲系统原理在于:先将从低功率能源中获得的能量储存起来，然后将这些能量经高功率脉冲发生器转变成高功率脉冲，并传给负载。在该系统中需要用到纯电阻器件，并要求其具有耐高压、大电流，低分布电感，低电容的特性，从而满足应用时的高稳定特性。与大功率脉冲系统用电阻相比，目前国内解决高电压、大电流、无电感、瞬时放电条件下的电阻解决方案主要包括金属类的多绕线电阻、膜式电阻、全金属氧化物组分的氧化锌电阻，其中金属类的多绕线电阻中，双绕线可以有效降低电感，但是如果遇到强电流快速冲击，会导致绕线烧毁，如果使用多绕线电阻，那么体积无法控制，不方便使用；膜式电阻可以应对较强电流快速冲击，但是成本较高，而且使用寿命短，长期使用就有可能被强电流击穿，同时还有不小的电感存在；全金属氧化物组分的氧化锌电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低电阻率碳化硅陶瓷，其特征在于，所述低电阻率碳化硅陶瓷的组成包括SiC、AlN、B4C、C，其中，AlN 的含量1—5wt%，B4C 的含量≤1wt%，C的含量为0—3wt%，其余为SiC。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈健，黄政仁，刘学建，陈忠明，姚秀敏，袁明，刘岩，闫永杰，朱云洲，刘桂玲，张辉，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31