双介晶化合物和介晶介质制造技术

本发明专利技术涉及式(I)所示的双介晶化合物，其中，R11、R12、MG11、MG12、X11、X12和Sp1具有权利要求1中给出的含义，涉及式(I)所示的双介晶化合物在液晶介质中的用途，特别涉及包含根据本发明专利技术的液晶介质的挠曲电液晶器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术涉及式(I)所示的双介晶化合物，其中，R11、R12、MG11、MG12、X11、X12和Sp1具有权利要求1中给出的含义，涉及式(I)所示的双介晶化合物在液晶介质中的用途，特别涉及包含根据本专利技术的液晶介质的挠曲电液晶器件。【专利说明】双介晶化合物和介晶介质 本专利技术涉及式I所示的双介晶化合物，【权利要求】1. 式I所示的双介晶化合物，其中， R11 为OCF3*CF3， R12为OCF3,CF3,H，F，Cl，CN，NCS或具有2至25个C原子的可以是未取代的、被卤素 或CN单或多取代的直链或支链烷基，其中一个或多个不相邻的012基团在每次出现时也可 以彼此独立地被-〇-、_3-、-順-、，(01 3)-、-〇)-、-〇)〇-、-〇0)-、-〇-〇)-〇-、-5-〇)-、-〇)-5-、-CH=CH-、-CH=CF-、-CF=CF-或-C三C-以氧原子彼此不直接连接的方式替代， MG11和MG12各自独立地为介晶基团，和 MG11和MG12的至少一个各自包含一个、两个或更多个6原子环，并且Sp1为包含1、3或者5至40个C原子的间隔基团，其中一个或多个不相邻的和非末端 的CH2基团也可以被-0-、-S-、-NH-、-N(CH3) -、-CO-、-O-CO-、-S-CO-、-O-COO-、-CO-S-、-CO-0-、-CH(卤素）-、-CH(CN)-、-CH=CH-或-C三C-以两个0原子彼此不相邻、两个-CH= CH_基团彼此不相邻和两个选自《0_、_3 _(]0_、《00_、_(]0_3 _、_(]0_0_和_〇1 = 〇1_的 基团彼此不相邻的方式代替， X11和X12彼此独立地为选自-C0-0-、-0-C0-、-CH=CH-、-C三c-、-s-、-0-和单键的 连接基团， 然而，条件是在-XH-Spi-X12-中，两个0原子彼此不相邻、两个-CH=CH-基团彼此不 相邻和两个选自_〇_CO_、_S_C0_、_0_C00_、_C0_S_、_C0_0_和_CH=CH_的基团彼此不相 邻。2. 根据权利要求1所述的双介晶化合物，其特征在于，MG11和MG12彼此独立地选自分 式II, -An-(Zn-A12)k-II其中， Z11 在每次出现时彼此独立地为单键，-coo-、-oco-、-0-C0-0-、-och2-、-ch2o-、-ocf2-,-CF2〇-, -CH2CH2-, - (CH2) 4-, -CF2CF2-,-CH=CH-,-CF=CF-,-CH=CH-C00-, -0C0-CH=CH-或-C=C-，任选地被F、S和/或Si的一个或多个取代， A11和A12在每次出现时各自独立地为1，4-亚苯基，其中此外，一个或多个CH基团可以 被N替代，反式-1，4-亚环己基，其中此外，一个或两个不相邻的CH2基团可以被0和/或 S替代，1，4-亚环己烯基，1，4-双环-(2, 2, 2)-亚辛基，哌啶-1，4-二基，萘-2, 6-二基，十 氢萘-2, 6-二基，1，2, 3, 4-四氢萘-2, 6-二基，环丁烷-1，3-二基，螺庚烷-2, 6-二 基或二螺癸烷-2, 8-二基，所有这些基团可以是未取代的，被F、C1、CN或具有1 至7个C原子的烷基、烷氧基、烷基羰基或烷氧基羰基单、双、三或四取代，其中一个或多个 H原子可以被F或C1取代，和 k为 0、1、2、3 或 4。3. 根据权利要求1或2所述的双介晶化合物，其特征在于，MG11和MG12彼此独立地选 自式II-1 至 11-26，其中 Cyc是1，4-亚环己基，优选反式1，4-亚环己基， Phe是1，4-亚苯基， PheL是1，4-亚苯基，其被一个、两个或三个氟原子取代,被一个或两个C1原子取代，或 者被一个Cl原子和一个F原子取代，并且 Z具有如权利要求2中对于分式II中的Z11所给出的含义之一。4. 根据权利要求1至3中至少一项所述的双介晶化合物，其特征在于，R12选自OCF3、 CF3、F、C1 和CN。5. 根据权利要求1至4中至少一项所述的双介晶化合物，其特征在于，Sp1为-(CH2) 。-且〇为1、3或5至15的整数。6. -种或多种根据权利要求1至5中至少一项所述的双介晶化合物在液晶介质中的用 途。7. 液晶介质，其特征在于，其包含一种或多种根据权利要求1至5中至少一项或多项所 述的双介晶化合物。8. 根据权利要求7所述的液晶介质，其特征在于，其还包含一种或多种选自式III所示 的化合物的化合物， R31_MG31_x31_Sp3_x32_MG32_R32jjj 其中， R31和R32各自独立地为H，F，Cl，CN，NCS或具有1至25个C原子的可以是未取代的、 被卤素或CN单或多取代的直链或支链烷基，其中一个或多个不相邻的012基团在每种情况 下也可以彼此独立地被-0-、-S-、-NH-、-N(CH3) -、-CO-、-coo-、-oco-、-0-C0-0-、-S-CO-、-C 〇-S-、-CH=CH-、-CH=CF-、-CF=CF-或-C三C-以氧原子彼此不直接连接的方式替代， MG31和MG32各自独立地为介晶基团， Sp3为包含5至40个C原子的间隔基团，其中一个或多个不相邻的CH2基团还可以 被-〇_、-S-、-NH-、-N(CH3)-、-CO-、-O-CO-、-S-CO-、-O-COO-、-CO-S-、-CO-0-、-CH(卤 素）_、_CH(CN)-CH=CH-或-Cec_ 替代，以及 X31 和X32各自独立地为 _0_、_S_、_C0_、_C00_、_0C0_、_0_C0_0_、_C0_NH_、_NH_C0_、_CH2 CH2-、-〇CH2-、-CH2〇-、-SCH2-、-CH2S-、-CH=CH-、-CH=CH-C00-、-0C0-CH=CH-、-C=C-或 单键，并且条件是，式I的化合物被排除在外。9. 根据权利要求7或8所述的液晶介质在液晶器件中的用途。10. 包含含有两种或更多种组分的液晶介质的液晶器件，所述组分的一种或多种为根 据权利要求1至5中至少一项所述的式I的双介晶化合物。11. 根据权利要求10所述的液晶器件，其特征在于，其为挠曲电器件。【文档编号】C09K19/02GK104487543SQ201380035216 【公开日】2015年4月1日 申请日期:2013年6月14日 优先权日:2012年7月6日【专利技术者】K·阿德莱姆, O·L·帕里, R·杜芬, P·E·萨克斯顿, B·斯诺, M·J·古尔丁, N·施密斯 申请人:默克专利股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
式I所示的双介晶化合物，其中，R11为OCF3或CF3，R12为OCF3，CF3，H，F，Cl，CN，NCS或具有2至25个C原子的可以是未取代的、被卤素或CN单或多取代的直链或支链烷基，其中一个或多个不相邻的CH2基团在每次出现时也可以彼此独立地被‑O‑、‑S‑、‑NH‑、‑N(CH3)‑、‑CO‑、‑COO‑、‑OCO‑、‑O‑CO‑O‑、‑S‑CO‑、‑CO‑S‑、‑CH＝CH‑、‑CH＝CF‑、‑CF＝CF‑或‑C≡C‑以氧原子彼此不直接连接的方式替代，MG11和MG12各自独立地为介晶基团，和MG11和MG12的至少一个各自包含一个、两个或更多个6原子环，并且Sp1为包含1、3或者5至40个C原子的间隔基团，其中一个或多个不相邻的和非末端的CH2基团也可以被‑O‑、‑S‑、‑NH‑、‑N(CH3)‑、‑CO‑、‑O‑CO‑、‑S‑CO‑、‑O‑COO‑、‑CO‑S‑、‑CO‑O‑、‑CH(卤素)‑、‑CH(CN)‑、‑CH＝CH‑或‑C≡C‑以两个O原子彼此不相邻、两个‑CH＝CH‑基团彼此不相邻和两个选自‑O‑CO‑、‑S‑CO‑、‑O‑COO‑、‑CO‑S‑、‑CO‑O‑和‑CH＝CH‑的基团彼此不相邻的方式代替，X11和X12彼此独立地为选自‑CO‑O‑、‑O‑CO‑、‑CH＝CH‑、‑C≡C‑、‑S‑、‑O‑和单键的连接基团，然而，条件是在‑X11‑Sp1‑X12‑中，两个O原子彼此不相邻、两个‑CH＝CH‑基团彼此不相邻和两个选自‑O‑CO‑、‑S‑CO‑、‑O‑COO‑、‑CO‑S‑、‑CO‑O‑和‑CH＝CH‑的基团彼此不相邻。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·阿德莱姆，O·L·帕里，R·杜芬，P·E·萨克斯顿，B·斯诺，M·J·古尔丁，N·施密斯，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE