发光器件封装件制造技术

本发明专利技术公开了一种发光器件封装件。该发光器件封装件包括：包括至少一个陶瓷层的封装体；设置在封装体上的副安装座；设置在副安装座上用于发射紫外(UV)波长光的发光器件；以及设置在发光器件周围的防反射(AR)涂层，AR涂层由无机涂层形成。

【技术实现步骤摘要】
发光器件封装件 相关申请的交叉引用 本申请要求2013年9月16日在韩国提交的韩国专利申请第10-2013-0111278号、 2013年9月16日在韩国提交的韩国专利申请第10-2013-0111280号W及2013年9月16 日在韩国提交的韩国专利申请第10-2013-0111281号的优先权，通过引用将其全部内容如 在本文中完全阐述的那样并入本文。
本专利技术实施方案涉及发光器件封装件。
技术介绍
由于用于器件的薄膜生长技术和材料的进步，使用第III-V族或第II-VI族化合 物半导体材料的发光器件（例如发光二极管（LED)或激光二极管）可W发射各种颜色（例 如红色、绿色、蓝色）的光W及紫外光。另外，发光器件可W利用英光材料或通过颜色的组 合而发射高效率的白光。与常规光源例如英光灯或白识灯相比，发光器件具有较低功耗、半 永久寿命、快速的响应时间、安全W及环境友好的优点。 因此，发光器件越来越多地应用于光通信装置的发射模块、代替构成液晶显示 (LCD)设备背光的冷阴极英光灯（CCFL)的发光二极管背光、代替英光灯或白识灯的发光二 极管照明设备、车辆的前灯W及信号灯。 图1A为示出常规发光器件封装件的图，而且图1B为图1A的区域A的细节图。 在常规发光器件封装件100A中，封装体110a、封装体11化、封装体110c和封装体 llOd中可W形成腔结构；在腔底部上可W设置发光器件10;并且发光器件10可W经由粘 结层（paste layer) 120接合至构成腔底部的封装体11化。 发光器件10的第一电极10a和第二电极10b可W分别经由导线140a和导线14化 电连接至设置在构成腔底部的封装体11化上的电极焊盘130a和电极焊盘13化。 腔可W填充有模制部分160。模制部分160可W包括英光物质170。从发光器件 10发射的第一波长光可W激发英光物质170并且从英光物质170可W发射第二波长光。 然而，常规发光器件封装件有W下问题。 水分或空气可能渗入封装体110c和llOd与模制部分160之间。水分或空气可能 由发光器件10吸收，由此降低了发光器件10的光学性能和电学性能。 图2为示出另一常规发光器件封装件的图；图3A为图2的区域B的细节图；而且 图3B为图2的区域C的细节图。 [001引参照图2和图3A，粘结层120可W包括娃（Si)、银（Ag)或环氧树脂。特别地，粘结 层120可W包括有机物125,例如碳化合物。如图3A所示，当从发光器件10发射紫外扣V) 波长光时，由于UV可W导致粘结层120中的有机物125发生化学反应。例如有机物125可 W与UV反应，由此使粘结层120变色或降低了粘结层120的禪合力。 参照图2和图3A，模制部分160可W包括娃或环氧树脂。特别地，模制部分160可 W包括有机物175,例如碳化合物。如图2所示，当从发光器件10发射UV波长光时，由于 UV可W导致模制部分160中的有机物175发生化学反应。例如有机物175可W与UV反应， 由此使模制部分160变色。 图4A为示出又一常规发光器件封装件的图，而且图4B为示出从图4A的发光器件 封装件发射的光的分布的图。 在常规发光器件封装件100C中，在封装体110处设置有第一引线框121和第二引 线框122并且发光器件10电连接至第一引线框121和第二引线框122。 第一引线框121和第二引线框122可W延伸穿过封装体110。发光器件10可W设 置在封装体110的一侧处，并且发光器件10的第一电极10a和第二电极1化可W分别经由 导线141和导线142电连接至第一引线框121和第二引线框122。 在发光器件10上可W设置有透镜150 W改变从发光器件10发射的光的路线。透 镜150部分可W配置成使得透镜150与发光器件10对应的中部的高度相对低。 如图4B所示，从图4A的发光器件封装发射的光的主要部分前移在60度至90度 的角度范围内。因此，前移到发光器件封装件的前面的光的量可能太小。
技术实现思路
本专利技术实施方案提供了一种发光器件封装件，在该发光器件封装件中，防止了发 光器件的性能由于水分或空气渗入发光器件封装件而降低；防止了粘结层与从发光器件发 射的UV反应从而变色；W及提高了从发光器件封装件发射的光的可视角度。 在一个实施方案中，发光器件封装件包括；包括至少一个陶瓷层的封装体；设置 在封装体处的副安装座；设置在副安装座上用于发射紫外扣V)波长光的发光器件；W及设 置在发光器件周围的防反射（AR)涂层，AR涂层由无机涂层形成。 在另一实施方案中，发光器件封装件包括；包括至少一个陶瓷层的封装体，该封装 体具有腔；经由无机粘结层在腔的底部处与陶瓷层接触的副安装座；W及设置在副安装座 上用于发射UV波长光的发光器件。 在又一实施方案中，发光器件封装件包括；包括至少一个陶瓷层的封装体，该封装 体具有腔；设置在腔的底部处的发光器件；W及设置在封装体的最上端处的透镜，其中透 镜具有拥有至少一个转折点的表面。 【附图说明】 将参照下列附图详细描述布置和实施方案，在附图中相同的附图标记指代相同的 元件，并且其中： [00巧]图1A为示出常规发光器件封装件的图； 图1B为图1A的区域A的细节图； 图2为示出另一常规发光器件封装件的图； 图3A为图2的区域B的细节图； 图3B为图2的区域C的细节图； 图4A为示出又一常规发光器件封装件的图； 图4B为示出从图4A的发光器件封装件发射的光的分布的图； 图5为示出发光器件封装件的第一实施方案的图； 图6A和图6B为示出发光器件封装件中的发光器件的实施方案的图； 图7A和图7B为示出图5中所示的发光器件的被包围区（surroundings)的细节 图； 图7C为示出图5所示的防反射（AR)涂层的操作的图； 图8A和图8B为分别示出发光器件封装件的第二实施方案和第H实施方案的图； 图9A和图9B为分别示出发光器件封装件的第四实施方案和第五实施方案的图； 图10为示出发光器件封装件的第六实施方案的图； 图11A为示出图10的区域D的细节图； 图11B为示出图10的区域E的细节图； 图12A为示出图10中的结构的细节图； 图12B至图12D为分别示出发光器件封装件的第走实施方案至第九实施方案的 图； 图13A至图13C为分别示出发光器件封装件的第十实施方案至第十二实施方案的 图； 图14A为图13A至图13C所示的透镜的截面图； 图14B为图13A至图13C所示的透镜的透视图； 图15A为示出从发光器件封装件的第十实施方案至第十二实施方案发射的光的 亮度分布的图； 图15B为示出从发光器件封装件的第十实施方案至第十二实施方案发射的光的 取向分布的图； 图16为示出包括发光器件封装件的灭菌设备的实施方案的图；W及 图17为示出包括发光器件封装件的照明设备的实施方案的图。 【具体实施方式】 在下文中，将参照附图来描述实施方案。 应理解，当元件被称作在另一元件上或下时，其可W直本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件封装件，包括：包括至少一个陶瓷层的封装体；设置在所述封装体处的副安装座；设置在所述副安装座上用于发射紫外(UV)波长光的发光器件；以及设置在所述发光器件周围的防反射(AR)涂层，所述AR涂层由无机涂层形成。

【技术特征摘要】
2013.09.16 KR 10-2013-0111278;2013.09.16 KR 10-2011. 一种发光器件封装件，包括： 包括至少一个陶瓷层的封装体； 设置在所述封装体处的副安装座； 设置在所述副安装座上用于发射紫外扣V)波长光的发光器件；W及 设置在所述发光器件周围的防反射（AR)涂层，所述AR涂层由无机涂层形成。2. 根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中所述AR涂层包括选自MgF,、Si〇2和 Ti化中的至少之一。3. 根据权利要求1或2所述的发光器件封装件，其中所述封装体具有腔并且所述副安 装座设置在所述腔的底部处。4. 根据权利要求1或2所述的发光器件封装件，还包括： 设置在所述副安装座上的接合焊盘，其中所述发光器件的电极丝焊至所述接合焊盘并 且所述AR涂层设置成与所述接合焊盘不交叠。5. 根据权利要求1或2所述的发光器件封装件，其中所述AR涂层设置在所述发光器件 的顶部和侧面处W及所述副安装座的一部分处。6. 根据权利要求5所述的发光器件封装件，其中所述AR涂层设置在所述副安装座的顶 部和侧面上。7. 根据权利要求1或2所述的发光器件封装件，还包括： 设置在所述封装体的最上端处的无机盖层，其中 所述AR涂层也设置在所述无机盖层的至少一个侧面处。8. 根据权利要求7所述的发光器件封装件，其中所述无机盖层利用金属、共晶接合至 所述封装体的所述最上端。9. 根据权利要求7所述的发光器件封装件，其中所述AR涂层与所述无机盖层相比具有 较小的厚度。10. 根据权利要求1或2所述的发光器件封装件，其中所述副安装座经由无机粘结层禪 接至所述陶瓷层。11. 一种发光器件封装件，包括： 包括至少一个陶瓷层的封装体，所述封装体具有腔； 经由无机粘结层在所述腔的底部处接触所述陶瓷层的副安装座；W及 设置在所述副安装座上用于发射UV波长光的发光器件。12. 根据权利要求11所述的发光器件封装件，其中所述无机粘结层为导电或不导电 的。13. 根据权利要求12所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金伯俊，小平洋，金炳穆，金夏罹，大关聪司，反田祐一郎，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR