有机发光封装结构及其制造方法技术

技术编号:11185297 阅读:53 留言:0更新日期:2015-03-25 13:59
本发明专利技术提供一种有机发光封装结构及其制造方法,有机发光封装结构的制造方法包括下列步骤:提供第一基板以及有机发光层,第一基板具有工作区以及环绕工作区的周边区,有机发光层配置于工作区且暴露出周边区;利用与周边区重叠的封装材料封装第一基板与第二基板,封装材料呈液态金属或合金且为连续的结构。此外,利用上述有机发光封装结构制造方法制造的有机发光封装结构也被提出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种封装结构及其制造方法,且特别是关于一种有机发光封装结构及其制造方法
技术介绍
有机发光封装结构因自发光、无视角依存、省电、工艺简易、低成本、高应答速度以及全彩化等优势,已广为应用在多种电子装置(例如显示装置、光源装置)中。一般而言,在有机发光封装结构的工艺中,是先制作完有机发光基板,然后再利用封装胶材将有机发光基板与对向基板封装在一起。然而,现有的封装胶材多为有机胶材。有机胶材的阻水气能力不佳,而使外界水气易与有机发光基板的有机发光层接触,进而影响有机发光封装结构的信赖性。
技术实现思路
本专利技术提供一种有机发光封装结构的制造方法,其制作出的有机发光封装结构信赖性佳。本专利技术提供一种有机发光封装结构,其信赖性佳。本专利技术的一种有机发光封装结构的制造方法,包括下列步骤。提供第一基板以及有机发光层。第一基板具有工作区以及环绕工作区的周边区。有机发光层配置于工作区且暴露出周边区。利用与周边区重叠的封装材料封装第一基板与第二基板。封装材料呈液态金属或合金且为连续的结构。本专利技术的一种有机发光封装结构包括第一基板、第二基板、有机发光层以及封装材料。第一基板具有工作区以及环绕工作区的周边区。第二基板相对于第一基板。有机发光层配置于第一基板的工作区与第二基板之间且暴露出第一基板的周边区。封装材料配置于第一基板的周边区与第二基板之间且沿着环绕方向环绕有机发光层。环绕方向不平行于第一基板与第二基板的堆叠方向。封装材料在环绕方向上为连续的金属或连续的合金。在本专利技术的一实施例中,上述的利用与周边区重叠的封装材料封装第一基板与第二基板的步骤包括:加热封装材料,以使封装材料呈液态;令液态的封装材料分布在第一基板的周边区或第二基板预定与周边区重叠的区域;以及组立第一基板与第二基板。封装材料在停止加热且回到室温后呈固态并结合了第一与第二基板,而有效阻隔水气。在本专利技术的实施例中,上述的有机发光封装结构的制造方法还包括:在组立第一基板与第二基板之后,局部地加热封装材料所在区域。在本专利技术的实施例中,上述的局部地加热封装材料所在区域的步骤为:利用激光或热风枪局部地加热封装材料所在区域。在本专利技术的实施例中,上述的利用与周边区重叠的封装材料封装第一基板与第二基板的步骤包括:令第一基板的周边区与第二基板之间维持空隙;加热封装材料,以使封装材料呈液态;以及令液态的封装材料填入空隙。在本专利技术的实施例中,上述的第一基板具有位于周边区的凹陷、或者第二基板具有预定与周边区重叠的凹陷、或者第一基板以及第二基板分别具有位于周边区的凹陷以及预定与周边区重叠的另一凹陷,而利用与周边区重叠的封装材料封装第一基板与第二基板的步骤为:利用与第一基板的凹陷重叠的封装材料封装第一基板与第二基板、或者利用与第二基板的凹陷重叠的封装材料封装第一基板与第二基板、或者利用与第一基板的凹陷以及第二基板的另一凹陷重叠的封装材料封装第一基板与第二基板。在本专利技术的实施例中,上述的第一基板具有位于周边区的凹陷,利用与凹陷区域填充封装材料,并利用此区域进行第一基板与第二基板的封装。在本专利技术的实施例中,上述的封装材料的熔点低于300℃。在本专利技术的实施例中,上述的金属包括铟或锡,而合金包括铋铟合金、铋锡合金、铋铟锡合金或锡锌合金。在本专利技术的实施例中,上述的第一基板具有位于周边区的凹陷,而封装材料填入凹陷。在本专利技术的实施例中,上述的第二基板具有与周边区重叠的另一凹陷,而封装材料填入另一凹陷。在本专利技术的实施例中,上述的第二基板具有与周边区重叠的凹陷,而封装材料填入第二基板的凹陷。在本专利技术的实施例中,上述的第一基板具有位于周边区的粗糙结构,而封装材料卡入粗糙结构。在本专利技术的实施例中,上述的第二基板具有与周边区重叠的另一粗糙结构,而封装材料卡入另一粗糙结构。在本专利技术的实施例中,上述的第二基板具有与周边区重叠的粗糙结构,而封装材料卡入粗糙结构。在本专利技术的实施例中,上述的第一基板具有位于周边区的改质表面,而封装材料固着于改质化表面。在本专利技术的实施例中,上述的第二基板具有与周边区重叠的另一改质表面,而封装材料固着于另一改质化表面。在本专利技术的实施例中,上述的第二基板具有与周边区重叠的改质表面,而封装材料固着于改质化表面。在本专利技术的实施例中,上述的有机发光封装结构还包括线路层以及绝缘层。线路层配置于封装材料与有机发光层之间,且与有机发光层电性连接。绝缘层配置于第一基板与第二基板之间且覆盖线路层。基于上述,在本专利技术实施例的有机发光封装结构的制造方法中,利用与第一基板的周边区重叠的液态封装材料封装第一基板与第二基板。由于所述封装材料呈液态金属或合金且为连续的结构,因此封装材料可有效地阻挡外界水气与有机发光层接触,进而提升有机发光封装结构的信赖性。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图1A至图1E为本专利技术第一实施例的有机发光封装结构制造方法的剖面示意图;图2为本专利技术实施例的第一基板及其凹陷的俯视意图;图3为本专利技术另一实施例的第一基板及其凹陷的俯视意图;图4为本专利技术另一实施例的有机发光封装结构的剖面示意图;图5为本专利技术又一实施例的有机发光封装结构的剖面示意图;图6A至图6C为本专利技术第二实施例的有机发光封装结构制造方法的剖面示意图。附图标记说明:100、100A~100C:有机发光封装结构;110:第一基板;110a:工作区;110b:周边区;110c、160c:凹陷;110c’:凹陷部;110d、160d:粗糙结构;110e、160e:改质表面;120:有机发光层;130:线路层;140:绝缘层;150:封装材料;160:第二基板;160b:区域;170:间隙物;d1:环绕方向;d2:堆叠方向;G:维持空隙;S:加热装置。具体实施方式第一实施例图1A至图1E为本专利技术第一实施例的有机发光封装结构制造方法的剖面示意图。请参照图1A,首先,提供第一基板110以及有机发光层120。第一基板110具有工作区110a以及环绕工作区110a的周边区110b。有机发光层120配置于第一基板110的工作区110a且暴露出第一基板110的周边区110b。在本实施例中,还可提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光封装结构的制造方法,其特征在于,包括:提供第一基板以及有机发光层,该第一基板具有工作区以及环绕该工作区的周边区,该有机发光层配置于该工作区且暴露出该周边区;以及利用与该第一基板的该周边区重叠的封装材料封装该第一基板与第二基板,其中该封装材料呈液态金属或合金且为连续的结构。

【技术特征摘要】
2013.09.24 TW 1021343041.一种有机发光封装结构的制造方法,其特征在于,包括:
提供第一基板以及有机发光层,该第一基板具有工作区以及环绕该工作
区的周边区,该有机发光层配置于该工作区且暴露出该周边区;以及
利用与该第一基板的该周边区重叠的封装材料封装该第一基板与第二基
板,其中该封装材料呈液态金属或合金且为连续的结构。
2.根据权利要求1所述的有机发光封装结构的制造方法,其特征在于,
利用与该周边区重叠的该封装材料封装该第一基板与该第二基板的步骤包
括:
加热该封装材料,以使该封装材料呈液态;
令液态的该封装材料分布在该第一基板的该周边区或该第二基板预定与
该周边区重叠的区域;以及
组立该第一基板与该第二基板。
3.根据权利要求2所述的有机发光封装结构的制造方法,其特征在于,
还包括:
在组立该第一基板与该第二基板之后,局部地加热该封装材料所在区域。
4.根据权利要求3所述的有机发光封装结构的制造方法,其特征在于,
局部地加热该封装材料所在区域的步骤为:
利用激光或热风枪局部地加热该封装材料所在区域。
5.根据权利要求1所述的有机发光封装结构的制造方法,其特征在于,
利用与该周边区重叠的该封装材料封装该第一基板与该第二基板的步骤包
括:
令该第一基板的该周边区与该第二基板之间维持空隙;
加热该封装材料,以使该封装材料呈液态;以及
令液态的该封装材料填入该空隙。
6.根据权利要求1所述的有机发光封装结构的制造方法,其特征在于,
该第一基板具有位于该周边区的凹陷、或者该第二基板具有预定与该周边区
重叠的凹陷、或者该第一基板以及该第二基板分别具有位于该周边区的凹陷
以及预定与该周边区重叠的另一凹陷,而利用与该周边区重叠的该封装材料
封装该第一基板与该第二基板的步骤为:
利用与该第一基板的该凹陷重叠的该封装材料封装该第一基板与该第二
基板、或者利用与该第二基板的该凹陷重叠的该封装材料封装该第一基板与
该第二基板、或者利用与该第一基板的该凹陷以及该第二基板的该另一凹陷
重叠的该封装材料封装该第一基板与该第二基板。
7.根据权利要求1所述的有机发光封装结构的制造方法,其特征在于,
该封装材料的熔点低于300℃。
8.根据权利要求1所述的有机发光封装结构的制造方法,其特征在于,
该金属包括铟或锡,而该合金包括铋铟合金、铋锡合金、铋铟锡合金或锡锌

【专利技术属性】
技术研发人员:刘玟泓陈逸书
申请(专利权)人:胜华科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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