排气设备和具有排气设备的衬底处理设备制造技术

衬底处理设备以及用于衬底处理设备中的排气设备。所述衬底处理设备包含：排气装置，将在衬底的处理过程中产生的副产物排出到腔室的外部；以及激光产生单元，将激光束辐射到设置在衬底支撑件上的所述衬底上，其中所述排气装置侧壁包含排气端口，所述排气端口形成于除了所述腔室的上部和下部之外的侧壁处，且以单个或多个设置到所述侧壁。可容易地排出在处理的执行过程中产生的所述副产物。且，所述设备可防止副产物污染所述设备，且最终提高在完成所述处理之后所制造的产品的质量。此外，因为所述腔室的真空是不必要的，所以衬底处理设备可减少现有技术中由于真空状态中所消耗的处理而引起的氮气的量。

【技术实现步骤摘要】
排气设备和具有排气设备的衬底处理设备
本专利技术涉及排气设备和具有排气设备的衬底处理设备，且更明确地说，涉及能够容易地将副产物排出到腔室的外部的排气设备和具有排气设备的衬底处理设备。
技术介绍
近年来，因为已提高准分子激光束的稳定性和输出，所以准分子激光束的使用范围对处理半导体材料的处理已更加广泛。 尤其是为了形成例如发光二极管(LED)等装置，主要通过产生激光束的激光处理设备来执行将薄膜与晶片衬底分离的处理。此处理被称作激光剥离(LLO)。(此处，图1是用于描述相关技术中的激光处理设备的视图)。 参看图1，激光处理设备I包含具有用于接纳衬底S的空间的腔室10，且气体入口12和气体出口 14设置到腔室10，且传输窗口 30安装在腔室10的上端上。激光辐射构件50安装在传输窗口 30的上侧上，且从激光辐射构件50辐射的激光束55通过传输窗口 30且到达腔室10中的衬底。 图2(a)、图2(b)是用于描述从辐射构件50辐射的激光束55的形式的视图，其中图2 (a)是衬底的俯视图且图2(b)是衬底的透视图。如图2(a)、图2(b)所示，激光束55以线状辐射在衬底S上。衬底S在垂直于激光束55的线的方向(箭头方向)上移动，以执行激光束55对衬底S的整个表面的辐射。 在完成此处理之后，图3所示的排气设备可通过腔室10的下部的侧表面的气体出口 14a和14b来排出在处理的执行中产生的副产物P。然而，因为气体出口形成在比设置衬底的地点低的位置处，所以定位在衬底的上部处的副产物不容易排出到腔室10的外部。因此，副产物保持在腔室内。且，因为副产物P通过自然循环而移动到出口并不容易，所以降低了腔室10的内部的清洁度。 因此，所产生的副产物污染并且损坏其它配置元件，从而导致激光处理设备的耐用性方面的降低。 此外，因为存在于衬底的上部上的副产物由于设置出口的位置而不容易排出，所以完成处理的产品的质量可能最终降低。 因此，在此之前已在真空中执行激光处理设备的处理来移除腔室中的颗粒。然而，存在一个问题，其中在完成处理之后，用于提高处理的良率且中断真空的氮气的量由于在真空状态下执行的处理而过多。此外，虽然在密封的氮气氛围中执行处理来防止外来颗粒的流入，但不容易移除腔室10内产生的副产物。 相关技术文献 专利文献 (专利文献1)KR2004-0096317A1
技术实现思路
本专利技术提供能够容易地将在衬底的处理过程中产生的副产物排出到腔室的外部的排气设备和具有排气设备的衬底处理设备。 本专利技术还提供能够提高处理效率和生产率的排气设备和具有排气设备的衬底处理设备。 本专利技术还提供能够提高处理设备的耐用性的排气设备和具有排气设备的衬底处理设备。 根据示范性实施例，一种衬底处理设备包含:腔室，形成处理衬底的内部空间；排气装置，将在衬底的处理过程中产生的副产物排出到腔室的外部；衬底支撑件，在所述腔室的所述内部空间中支撑所述衬底；以及激光产生单元，将激光束辐射到设置在所述衬底支撑件上的所述衬底上，其中所述排气装置包含排气端口，所述排气端口形成于除了所述腔室的上部和下部之外的侧壁处，且以单个或多个设置到所述侧壁。 所述排气端口可形成于所述腔室的除了所述腔室的所述上部或所述下部之外的整个侧壁处，或形成于所述腔室的除了所述腔室的所述上部和所述下部以及形成进入口的侧壁之外的整个侧壁处。 以上排气设备可还包含注射器，所述注射器具有设置在所述排气端口的上侧处且朝向下部注射气体的注射喷嘴。 多个注射孔可形成于所述注射喷嘴处，且所述注射孔可形成为朝向腔室的侧壁方向注射气体。 从所述激光产生单元产生的激光束所通过的传输窗口可形成于所述腔室的上侧上，且所述注射喷嘴可环绕所述传输窗口而设置。 所述腔室可包含:下部块，其中所述衬底支撑件设置在其上部上；以及盖，覆盖所述下部块的上部以密封所述下部块，其中装载或卸载所述衬底所通过的衬底进入口形成于侧壁中的除了所述盖的上部侧壁之外的至少一个侧壁中。 用于吸入副产物的吸入器可设置到衬底支撑件的两侧的下部，其中所述吸入器可包含:压力调整单元，调整用于吸入所述副产物的压力；以及吸入喷嘴，具有通过其吸入所述副产物的吸入孔。 所述衬底支撑件可为能够在所述腔室内传递所述衬底的衬底传递单元。 所述衬底传递单元可包含:一对导轨，在与所述吸入喷嘴的两端交叉的方向上彼此平行地设置，且在第一轴方向上彼此间隔开；第一轴滑块，具有在所述导轨之间连接的第二轴方向的长度，且沿着所述导轨与所述吸入喷嘴一起在所述第一轴方向上前后滑动；第二轴滑块，设置在所述第一轴滑块的上部上，且沿着所述第一滑块在所述第二轴方向上前后滑动；旋转轴导引件，插入到所述第二轴滑块的中央内部中；以及衬底支撑板，设置到所述旋转轴导引件的上部。 根据另一实施例，一种用于衬底处理设备中的排气设备，所述排气设备包含:排气端口，设置到衬底的侧表面；至少一个注射喷嘴；以及供应单元，将气体供应给所述注射喷嘴。 所述排气端口可形成于除了所述衬底的上部和下部之外的整个表面处，或形成于所述衬底的除了所述衬底的所述上部和所述下部以及所述衬底的进入方向之外的整个表面处。 所述注射喷嘴可包含:多个第一注射喷嘴，在一个方向上彼此平行地设置；以及多个第二注射喷嘴，在所述第一注射喷嘴的外部处在与所述一个方向交叉的另一方向上彼此平行地设置，其中所述注射喷嘴可形成为朝向所述衬底的外部方向注射气体。 吸入器可与衬底的下部间隔地而设置，以吸入存在于所述衬底的所述下部上的副产物。 【附图说明】 可结合附图从以下描述更详细地理解示范性实施例。 图1是用于描述现有的激光处理设备的视图。 图2(a)、图2(b)是用于描述激光束的形状的视图。 图3是说明现有的排气设备和排气流的示意图。 图4是说明根据示范性实施例的具有排气设备的衬底处理设备的视图。 图5是说明根据示范性实施例的设有排气端口和注射器的盖的视图。 图6是说明图5的盖的内部上表面的视图。 图7(a)、图7(b)是说明从注射喷嘴注射的气体的注射方向的视图。 图8a、图Sb、图Sc是说明根据示范性实施例的衬底支撑件和吸入器的视图。 【主要元件标号说明】 10:腔室 12:气体入口 14:气体出口 14a:气体出口 14b:气体出口 30:传输窗口 50:辐射构件 55:激光束 100:腔室 110:下部块 130:盖 135:衬底进入口 200:排气设备 220:排气端口 240:注射器 245:注射喷嘴 247:注射孔 260:吸入器 265:吸入喷嘴 267:吸入孔 300:衬底支撑件 310:线性马达导轨 330:第一轴滑块 350:第二轴滑块 355:旋转轴导引件 400:传输窗口 500:激光产生单元 550:反射镜 551:激光束 1000:衬底处理设备 P:副产物 S:衬底 【具体实施方式】 下文中，将参看附图来详细地描述示范性实施例。然而，本专利技术可按照许多不同形式体现，且不应被解释为限于本文中所陈述的实施例；而是，提供这些实施例以使得本专利技术将彻底且完整，且将向所属领域的技术人员完全地传达本发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底处理设备，其特征在于包括：腔室，形成处理衬底的内部空间；排气装置，将在所述衬底的处理过程中产生的副产物排出到所述腔室的外部；衬底支撑件，在所述腔室的所述内部空间中支撑所述衬底；以及激光产生单元，将激光束辐射到设置在所述衬底支撑件上的所述衬底上，其中排气装置侧壁包含排气端口，所述排气端口形成于除了所述腔室的上部和下部之外的侧壁处，且以单个或多个设置到所述侧壁。

【技术特征摘要】
2013.08.28 KR 10-2013-01024811.一种衬底处理设备，其特征在于包括: 腔室，形成处理衬底的内部空间； 排气装置，将在所述衬底的处理过程中产生的副产物排出到所述腔室的外部； 衬底支撑件，在所述腔室的所述内部空间中支撑所述衬底；以及 激光产生单元，将激光束辐射到设置在所述衬底支撑件上的所述衬底上， 其中排气装置侧壁包含排气端口，所述排气端口形成于除了所述腔室的上部和下部之外的侧壁处，且以单个或多个设置到所述侧壁。2.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中所述排气端口形成于所述腔室的除了所述腔室的所述上部和所述下部之外的整个侧壁处，或形成于所述腔室的除了所述腔室的所述上部和所述下部以及形成进入口的侧壁之外的所述整个侧壁处。3.根据权利要求2所述的衬底处理设备，还包括注射器，所述注射器具有设置在所述排气端口的上侧处且朝向下部注射气体的注射喷嘴。4.根据权利要求3所述的衬底处理设备，其中多个注射孔形成于所述注射喷嘴处，且 所述注射孔形成为朝向所述腔室的侧壁方向注射所述气体。5.根据权利要求4所述的衬底处理设备，其中从所述激光产生单元产生的激光束所通过的传输窗口形成于所述腔室的上侧上，且所述注射喷嘴环绕所述传输窗口而设置。6.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中所述腔室包括: 下部块，所述衬底支撑件设置在其上部上；以及 盖，覆盖所述下部块的上部以密封所述下部块， 其中装载或卸载所述衬底所通过的衬底进入口形成于所述侧壁中的除了所述盖的上部侧壁之外的至少一个侧壁中。7.根据权利要求5所述的衬底处理设备，其中用于吸入副产物的吸入器设置到所述衬底支撑件的两侧的下部...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈亨基，金锺明，白种化，金炳秀，
申请(专利权)人：AP系统股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR