照明瓦片制造技术

本发明专利技术描述了一种照明瓦片，其具有用于承载电极结构的基板，该电极结构包括：布置于所述基板之上的多个导电轨道；以及与所述多个轨道连接的电连接区；其中所述轨道的高度随着远离所述连接区而逐渐减小以补偿所述照明瓦片随着远离电连接区而发生的亮度降低，该亮度降低由沿着使用中的轨道而出现的不均匀的电压降引起。有利地，轨道通过电镀来制作：然后，由于沉积率由在电镀时沿着轨道的电压降所确定，因而所沉积的轨道的高度，以及因此还有它们的电阻，将会匹配在工作时所要求的分布以补偿亮度降低，否则该亮度降低将会出现。

【技术实现步骤摘要】
照明瓦片
本专利技术涉及照明瓦片（tile)和有机电子器件，以及用于制作此类瓦片及器件的 方法。
技术介绍
如同在我们的专利申请GB2482110中所描述的，用于提升大面积的有机发光二极 管（OLED)照明瓦片的阳极连接的电导率的常见方法是使用导电轨道矩阵。如图Ia所示， 照明瓦片200 -般地具有用于界定六边形或方形网格102的（阳极）电极轨道，电母线 (electricalbusbar) 104包围着网格（所示出的开口是为了促进与对电极的连接）。 图Ib示出：在瓦片的给定区域内，电流主要沿着单个优势方向流过阳电极。例 如，如果电流从瓦片的所有边缘供给而来，则电流的优势方向朝着照明瓦片的横向中心位 置。由于最高的电压降出现于电母线与轨道连接的照明瓦片的边缘处，因而在边缘处提供 更多的金属会降低该电压降。但是这一般还会导致开口率降低。在此，开口率可以限定为： (1-电极的面积V(总的有效器件面积）。 在GB2482110中，我们通过提供按照到母线的距离不断增大的方式细分成多个子 轨道的轨道来解决该问题，从而增大了到电母线的电导率，在该电导率处需要较大的电导 率。这种方法的实例示于图Ic中。而且，最好使瓦片在工作时其两端的电压降最小化，特 别是在大面积的器件中。随着瓦片的发光面积增加，恒定电阻的电压降的级别变得更加明 显。该电压降体现于面板两端的亮度下降。 但是，仍然存在着在最大化开口率的同时提高照明瓦片的亮度分布的一般需要。
技术实现思路
因此，根据本专利技术，本文提供了具有承载着电极结构的基板的照明瓦片，该电极结 构包含：布置于所述基板之上的多个导电轨道；以及与所述多个轨道连接的电连接区；其 中所述轨道的高度随着远离所述连接区而逐渐减小（taper)，以补偿所述照明瓦片在远离 电连接区的方向上亮度降低。 这种方法使轨道的电阻能够匹配它们在工作中传递电流的需要，从而补偿沿着使 用中的轨道而出现的不均匀的电压降，但是没有增加轨道宽度以降低电阻，该电阻降低会 降低开口率。该技术可以应用于有机发光二极管（OLED)照明瓦片以及其他照明瓦片技术， 例如，发光电化学池（LEC)。对于OLED器件，可以优选地使用顶发射或底发射器件。应当 意识到,该方法的获益对于大面积的器件是最大的,例如,具有至少一个大于Icm的横向尺 寸。照明瓦片不需要是扁平的，但可以是柔软的。在实施例中，所述轨道的高度随着远离 (外部）连接区或母线而基本上线性地逐渐减小。 存在着特别有优势的用于制造这样的结构的方法。在电镀过程中，材料的沉积率 取决于在该过程中（对薄籽晶层）施加的电压。在电镀过程中，如果用于驱动该过程的电压 经由与在器件正在工作时所要使用的连接区或母线相同的或相似的连接区或母线来施加， 沉积率将由在电镀过程中沿着轨道的电压降来确定。以此方式，所沉积的轨道的高度，以及 因此还有它们的电阻，将会匹配在工作时所要求的分布，以至少部分补偿之前所描述的亮 度降低，否则该亮度降低将会出现。 根据本专利技术的一个相关方面，本文相应地提供了一种用于制造照明瓦片（特别是 以上所描述的那种类型的照明瓦片）的方法，该方法包括：提供用于承载具有被图形化成 轨道的导电籽晶层的发光结构的基板；将所述轨道的端部连接至电源；并且使用来自所述 电源的电流将电极金属层电镀到所述轨道之上。 在电镀之后，所述轨道的高度按照用以补偿照明瓦片随着远离电连接区而发生的 亮度降低的方式来随着远离电连接区逐渐减小。在实践中，该锥度可以不是严格线性的，因 为轨道的电阻将会同样随着材料沉积而改变，但尽管如此，仍然基本上匹配所需的分布，以 补偿亮度降低，否则该亮度降低将会出现。在制造之后，在所述瓦片两侧的亮度的均匀性可 以高达超过95%。可任选地，任何剩余的非均匀性可以通过轨道的间距和/或图形和/或 宽度的额外变化来补偿，或者等价地，这样的变化可以被用来放松对轨道高度变化的容限。 与轨道籽晶的（负极性）连接优选地经由连接区或母线来进行，该连接区或母线 将被用来给工作中的器件提供电力，尽管这并非是必需的。 在实施例中，薄籽晶层被沉积并然后通过例如光刻来图形化以界定轨道位置，并 且然后轨道通过电镀沉积于已图形化的籽晶层上。作为选择，轨道位置的初始引晶可以通 过印刷溶液中的轨道籽晶来执行。籽晶层可以是很薄的，例如，<5nm(仅为几个单层厚）；例 如，可以使用钯籽晶可以来镀铜；使用铜籽晶来镀镍。 与瓦片的连接可以例如沿着瓦片的一个边缘或者在瓦片的周界上。任何轨道图形 都可以使用，例如，常规的矩形或六边形网格，或者其中轨道间距随着远离连接点或连接边 而增大的图形。因而，开口率η可以在瓦片表面的两侧是不同的（它可以随着远离连接区 而增大）。 电极结构一般地还包含在轨道之下的、在所述基板上的、其间夹着发光材料的、基 本上连续的第二电极层。因而，在实施例中，所述轨道的平均薄层电导根据在该第二电极层 内的电流密度随着到所述连接区的距离而变化。 以上所描述的技术不必限制于照明瓦片，尽管它们在此类应用中是特别有用的。 因而，在另一相关方面中，本专利技术提供了一种用于制造有机电子器件的方法，该方 法包括：提供用于承载至少一个有机层的基板，其中所述有机层被夹在第一及第二导电层 之间；所述第一导电层包含导电轨道网格；为所述导电轨道网格提供电母线区，其中所述 母线区沿着所述器件的横向边缘延伸，并且其中所述轨道从所述器件的所述母线区跨所述 器件延伸；并且布置所述导电轨道的高度使其从所述母线区起在整个所述器件上随着电路 径不断增大的长度而减小，高度的下降率通过使用用以经由所述电母线区来施加电流的过 程来电镀所述轨道而界定。 如同前面那样，轨道的高度按照通过使用用以经由母线电连接区来施加电流的过 程来电镀轨道而界定的锥度逐渐减小。这使得电镀的缺点变为优点，并且促进了具有高开 口率的有机电子器件的制造，并且在发光器件的情况下，为具有提商的壳度。 在实施例中，轨道通过例如改变它们的间距、宽度或互连方式来布置，使得横向薄 层电阻随着远离所述电连接区而增大。这使得电流容易传输到较大的面积上，并且在照明 瓦片的实施例中促进了亮度分布。一般说来，在照明瓦片中，具有随着远离电连接区逐渐 减小的高度的轨道可以与其中薄层电阻随着与连接区的距离而改变的任何其他构造结合。 在照明瓦片的一种实施例中，轨道大致地可以按照星爆的图形从照明瓦片的横向中心位 置朝电连接区辐射状地延伸，以至于随着与连接区的不断增大的距离而进一步降低薄层电 导。 本专利技术还提供了一种有机电子器件，该器件包含：基板；在所述基板之上的有机 层，其中所述有机层被夹在第一及第二导电层之间；所述第一导电层包含导电轨道网格； 与所述导电轨道网格连接的电母线，其中所述母线沿着所述器件的横向边缘延伸；其中所 述轨道大致地从所述器件的母线跨所述器件延伸，并且其中所述导电轨道的高度随着在电 路径的器件两侧的长度不断增大而从所述电母线起降低。 在实施例中，所述导电轨道的高度基本上线性地降低。此外，导电轨道的高度可以 按照通过使用用于经由电母线来施加电流的过程来电镀轨道而界定的下降率降低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种照明瓦片，具有承载着电极结构的基板，所述电极结构包括：布置于所述基板之上的多个导电轨道；以及与所述多个轨道连接的电连接区；其中所述轨道的高度随着远离所述连接区而逐渐减小以补偿所述照明瓦片随着远离所述电连接区而发生的亮度降低。

【技术特征摘要】
2013.08.19 GB 1314793.91. 一种照明瓦片，具有承载着电极结构的基板，所述电极结构包括： 布置于所述基板之上的多个导电轨道；以及 与所述多个轨道连接的电连接区； 其中所述轨道的高度随着远离所述连接区而逐渐减小以补偿所述照明瓦片随着远离 所述电连接区而发生的亮度降低。2. 根据权利要求1所述的照明瓦片，其中所述轨道的高度基本上线性地逐渐减小。3. 根据权利要求1所述的照明瓦片，其中所述轨道的高度按照通过使用用以经由所述 电连接区来施加电流的过程来电镀所述轨道而界定的锥度逐渐减小。4. 根据权利要求1所述的照明瓦片，其中所述照明瓦片具有至少80%的开口率。5. 根据权利要求1所述的照明瓦片，其中轨道的宽度随着与所述电连接区的距离的增 加而下降。6. 根据权利要求1所述的照明瓦片，其中所述轨道之间的间距随着与所述电连接区的 距离增加而增加。7. 根据权利要求1所述的照明瓦片，其中所述电极结构还包括在所述基板上的、在所 述轨道之下的、基本上连续的第二电极层，并且其中所述轨道的平均薄层电导根据所述第 二电极层内的电流密度随着与所述连接区的距离而变化。8. 根据权利要求1所述的照明瓦片，其中所述轨道以沿着瓦片的一个或多个边缘的母 线界定六边形网格。9. 根据权利要求1所述的照明瓦片，其中所述轨道从所述照明瓦片的横向中心位置朝 所述电连接区大致地辐射状延伸。10. -种有机电子器件，所述器件包括： 基板； 在所述基板之上的有机层，其中所述有机层被夹在第一导电层和第二导电层之间；所 述第一导电层包括导电轨道的网格； 与所述导电轨道的网格连接的电母线，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·贝克，A·兰科夫，
申请(专利权)人：剑桥显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB