场致发光器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种场致发光器件及其制造方法。为了有效利用在有机EL元件内发出的光，使光的取出效率提高，在像素中设置有台阶。通过有效利用作为由有机EL元件发出的光的损失的主要原因的引导光，不增加电流就能提高光取出效率。因此，在设置于具有光反射面的第一电极的下层的绝缘层设置有台阶部，该第一电极的周缘区域形成为被该台阶部覆盖。由该台阶部在第一电极的周缘区域形成向第二电极侧弯折的反射面，使在有机EL层引导的光在该反射面反射，从第二电极侧射出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的一实施方式涉及场致发光器件，涉及例如应用于顶部发光(top emittion)型的场致发光器件有效的技术。
技术介绍
利用有机材料的场致发光的场致发光元件(以下称为“有机EL元件”)，通过选择有机材料、或者通过采用合适的有机EL(Electro Luminescence)元件的结构，白色发光当然能够在可见光区域实现各色的发光。因此，使用有机EL元件推进适用于显示器和照明用途的场致发光器件的开发。有机EL元件是由ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)等的透明电极和由空穴输送层、发光层、电子输送层等构成的有机场致发光层(以下称为“有机EL层”)和反射电极层叠而成的结构，由有机EL层发出的光通过透明电极射出(辐射)。有机EL层的厚度为100nm～200nm左右，由发光层发出的光在用立体角表示为4π的整个方向上扩散。而且，直接射出到玻璃基板侧的光和在反射电极与有机EL层的界面反射的光的一部分，射出到玻璃基板侧。另一方面，在有机EL层内与膜面平行地射出的光向有机EL层的端面去，而不从透明电极侧射出。有机EL元件中，形成有机EL层的材料的折射率高(n＝1.8～1.9)，在折射率不同的界面以指定的角度入射的光发生全反射。例如，在有机EL层与透明电极的界面和玻璃基板与空气的界面全反射的光，在有机EL层内或玻璃基板内引导而在层内被吸收、或者从玻璃基板端面射出，能够有效地利用所发出的光。由于在有机EL层内引导的光，由有机EL层产生的光的取出效率(有机EL层的向玻璃基板侧射出的光占发光量整体的比率)被认为是20％左右。提高由有机EL层产生的光的取出效率，对于降低用有机EL元件构成的场致发光器件的消耗电力来说是很重要的。例如日本特开2011-124103号公报中公开了如下技术：在有机EL元件的透明电极与玻璃基板之间设置有透明树脂层，在该透明树脂层内埋入折射率不同的锥状透明树脂，由此改善取出效率。另外，日本特开2007-288143号公报中公开了如下技术：将具有使凹凸表面为曲面形状的特殊的表面的金属电极作为发光器件的反射电极，由此改善取出效率。
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题但是，为了改善取出效率而如日本特开2011-124103号公报公开的专利技术那样在有机EL元件的光射出侧使用特殊的光学调整膜导致成本提高，不予以优选。另外，如日本特开2007-288143号公报公开的专利技术那样形成具有特殊的凹凸表面的金属电极作为有机EL元件的反射电极，其制造工艺复杂，也不予以优选。当然如果增大流过有机EL元件的电流就能够提高发光时的亮度，但相应地消耗电力也增加所以在节能方面存在问题。另外，越是增大流过有机EL元件的电流值，越会推进有机EL元件的劣化，存在场致发光器件的寿命变短的问题。用于解决问题的技术方案本专利技术的一个实施方式的场致发光器件，包括：设置在支承基板上的绝缘层；设置在绝缘层上的具有光反射面的第一电极；覆盖第一电极的周缘区域的堤堰层；设置在第一电极上的场致发光层；和设置在场致发光层上的光透射性的第二电极，绝缘层在第一电极的周缘区域具有包含向第二电极侧弯折的倾斜面的台阶部，第一电极的周缘区域沿台阶部的倾斜面设置。本专利技术的一个实施方式的场致发光器件，其在支承基板上矩阵状地排列有像素，像素具有：薄膜晶体管；与薄膜晶体管连接的具有光反射面的第一电极；设置在第一电极上的场致发光层；设置在场致发光层上的光透射性的第二电极，场致发光器件的特征在于：具有在薄膜晶体管上以与第一像素电极邻接的方式设置的绝缘层、和覆盖第一电极的周缘区域的堤堰层，绝缘层在第一电极的周缘区域具有包含向第二电极侧弯折的倾斜面的台阶部，第一电极的周缘区域沿台阶部的倾斜面设置。本专利技术的一个实施方式的场致发光器件的制造方法，具有如下工序：在支承基板上形成绝缘层，绝缘层具有大致平坦的第一主面，在比该第一主面高的位置具有第二主面，在该第一主面与该第二主面之间具有倾斜面从该第一主面向该第二主面扩展的台阶部，从绝缘层的第一主面沿台阶部的倾斜面形成具有光反射面的第一电极，形成覆盖台阶部和第一电极的周缘区域的堤堰层，在第一电极上形成场致发光层，在场致发光层上形成光透射性的第二电极。本专利技术的一个实施方式的场致发光器件的制造方法，具有如下工序：在支承基板上形成薄膜晶体管，在薄膜晶体管上形成绝缘层，绝缘层具有大致平坦的第一主面，在比该第一主面高的位置具有第二主面，在该第一主面与该第二主面之间具有倾斜面从该第一主面向该第二主面扩展的台阶部，在绝缘层形成使薄膜晶体管的源极·漏极区域开口的接触孔，从绝缘层的第一主面沿台阶部的倾斜面形成具有光反射面并在接触孔与薄膜晶体管电连接的第一电极，形成覆盖台阶部和第一电极的周缘区域的堤堰层，在第一电极上形成场致发光层，在场致发光层上形成光透射性的第二电极。专利技术效果根据本专利技术的一个实施方式，由有机场致发光层发出的光的平行射出成分，在沿着绝缘层的台阶部设置的第一电极的周缘区域的光反射面反射，能够射出到第二电极侧。由此，能够提高由有机场致发光层产生的光的取出效率。根据本专利技术的一个实施方式，提高光的取出效率，由此即使增大流过有机场致发光元件的电流，也能够使发光时的亮度比现有技术高。由此，能够减轻有机EL元件的劣化，能够降低场致发光器件的消耗电力。附图说明图1A表示本专利技术的一个实施方式的场致发光器件的俯视图。图1B表示本专利技术的一个实施方式的场致发光器件的截面图。图2是说明在本专利技术的一个实施方式的场致发光器件中，有机EL层的平行射出成分在第一电极的周缘区域反射的方式的图。图3是表示本专利技术的一个实施方式的场致发光器件中，台阶部的形态不同的图。图4A表示本专利技术的一个实施方式的场致发光器件，是说明台阶部的形态的变形例的图。图4B表示本专利技术的一个实施方式的场致发光器件，是说明台阶部的形态的变形例的图。图4C表示本专利技术的一个实施方式的场致发光器件，是说明台阶部的形态的变形例的图。图5是表示本专利技术的一个实施方式的场致发光器件中，表示使包含有机EL元件的像素矩阵状地排列的结构的俯视图。图6A表示本专利技术的一个实施方式的场致发光器件的像素的俯视图。图6B表示本专利技术的一个实施方式的场致发光器件的像素的截面图。图7是表示本专利技术的一个实施方式的场致发光器件中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场致发光器件，其特征在于，包括：设置在支承基板上的绝缘层；设置在所述绝缘层上的具有光反射面的第一电极；覆盖所述第一电极的周缘区域的堤堰层；设置在所述第一电极上的场致发光层；和设置在所述场致发光层上的光透射性的第二电极，所述绝缘层在所述第一电极的周缘区域具有包含向所述第二电极侧弯折的倾斜面的台阶部，所述第一电极的周缘区域沿所述台阶部的倾斜面设置。

【技术特征摘要】
2013.08.30 JP 2013-1804351.一种场致发光器件，其特征在于，包括：
设置在支承基板上的绝缘层；
设置在所述绝缘层上的具有光反射面的第一电极；
覆盖所述第一电极的周缘区域的堤堰层；
设置在所述第一电极上的场致发光层；和
设置在所述场致发光层上的光透射性的第二电极，
所述绝缘层在所述第一电极的周缘区域具有包含向所述第二电极
侧弯折的倾斜面的台阶部，所述第一电极的周缘区域沿所述台阶部的
倾斜面设置。
2.如权利要求1所述的场致发光器件，其特征在于：
设置于所述绝缘层的所述台阶部的高度大于所述场致发光层的厚
度。
3.如权利要求1所述的场致发光器件，其特征在于：
设置于所述绝缘层的所述台阶部的高度为所述堤堰层的厚度以
上。
4.如权利要求1所述的场致发光器件，其特征在于：
在设置于所述绝缘层的所述台阶部的上侧表面，还设置有突起物。
5.如权利要求1所述的场致发光器件，其特征在于：
设置于所述绝缘层的所述台阶部设置成埋设于所述堤堰层。
6.一种场致发光器件，其在支承基板上矩阵状地排列有像素，所
述像素具有：薄膜晶体管；与所述薄膜晶体管连接的具有光反射面的
第一电极；设置在所述第一电极上的场致发光层；设置在所述场致发
光层上的光透射性的第二电极，所述场致发光器件的特征在于：
具有在所述薄膜晶体管上以与所述第一像素电极邻接的方式设置

\t的绝缘层、和覆盖所述第一电极的周缘区域的堤堰层，
所述绝缘层在所述第一电极的周缘区域具有包含向所述第二电极
侧弯折的倾斜面的台阶部，所述第一电极的周缘区域沿所述台阶部的
倾斜面设置。
7.如权利要求6所述的场致发光器件，其特征在于：
设置于所述绝缘层的所述台阶部的高度大于所述场致发光层的厚
度。
8.如权利要求6所述的场致发光器件，其特征在于：
设置于所述绝缘层的所述台阶部的高度为所述堤堰层的厚度以
上。
9.如权利要求6所述的场致发光器件，其特征在于：
在设置于所述绝缘层的所述台阶部的上侧表面，还设置有突起物。
10.如权利要求6所述的场致发光器件，其特征在于：
设置于所述绝缘层的所述台阶部设置成埋设于所述堤堰层。
11.一种场致发光器件的制造方法，其特征在于：
在支承基板上形成绝缘层，所述绝缘层具有大致平坦的第一主面，
在比该第一主...

【专利技术属性】
技术研发人员：高城淳，佐藤敏浩，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：日本;JP