一种减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法技术方案

本发明专利技术公开了一种减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法，所述微机电系统麦克风包括带有声学后腔的硅衬底、位于硅衬底上的氧化膜、位于氧化膜上的第一多晶硅层、位于第一多晶硅层上的二氧化硅层、位于二氧化硅层上的具有音孔的第二多晶硅层，所述方法包括：去除二氧化硅层，以形成声学前腔；清洗微机电系统麦克风；将微机电系统麦克风浸泡于低表面张力液体中；烘干微机电系统麦克风，以使得声学前腔内的低表面张力液体挥发，同时用声波振动使微机电系统麦克风的振膜振动，以减少粘黏的产生。本发明专利技术通过在烘干微机电系统麦克风时，用声波的振动使微机电系统麦克风的振膜振动，从而减少粘黏现象出现的几率，提高微机电系统麦克风的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺领域，具体涉及微机电系统麦克风制造工艺领域，尤其涉及一种减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法。
技术介绍
在微机电系统（Micro-Electro-Mechanic System，MEMS）工艺中，针对麦克风产品，需要将振膜和基板中间的介质释放掉。图1示出了介质释放前的微机电系统麦克风的截面示意图。如图1所示，介质释放前微机电系统麦克风包括带有声学后腔6的硅衬底1、位于所述硅衬底上的氧化膜2、位于所述氧化膜上的第一多晶硅层（Poly1）3、位于所述第一多晶硅层上的二氧化硅层4、位于所述二氧化硅层上的具有音孔的第二多晶硅层（Poly2）5，其中，在微机电系统麦克风中的Poly1表示麦克风的基板，Poly2表示麦克风的振膜。图2为与图1对应的微机电系统麦克风的俯视图，其中，图2上的小孔7称为音孔。图3为介质释放后微机电系统麦克风的截面示意图，介质释放后形成的空腔8称为声学前腔。现有技术中，介质释放的工艺步骤为：（1）去除所述二氧化硅层，以形成声学前腔；（2）清洗所述微机电系统麦克风；（3）将所述微机电系统麦克风浸泡于低表面张力液体中；（4）烘干所述微机电系统麦克风。现有技术中进行烘干时，由于液体表面张力的影响，会带动微机电系统麦克风的振膜向基板移动，最终振膜和基板黏到一起，产生粘黏，如图4所示，而且该现象不可逆，也就是说无法将产生粘黏的麦克风的振膜和基板再分开，影响麦克风产品的良率。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法，通过在烘干所述微机电系统麦克风的同时用声波振动使所述微机电系统麦克风的振膜振动，以减少粘黏的产生，来解决以上
技术介绍
部分提到的技术问题。一方面，本专利技术实施例提出一种减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法，所述微机电系统麦克风包括带有声学后腔的硅衬底、位于所述硅衬底上的氧化膜、位于所述氧化膜上的第一多晶硅层、位于所述第一多晶硅层上的二氧化硅层、位于所述二氧化硅层上的具有音孔的第二多晶硅层，所述方法包括：去除所述二氧化硅层，以形成声学前腔；清洗所述微机电系统麦克风；将所述微机电系统麦克风浸泡于低表面张力液体中；烘干所述微机电系统麦克风，以使得所述声学前腔内的所述低表面张力液体挥发，同时用声波振动使所述微机电系统麦克风的振膜振动，以减少粘黏的产生，其中，所述振膜为所述微机电系统麦克风的第二多晶硅层。进一步地，产生所述声波的声源的频率范围为20-2000赫兹，所述声源的声音分贝范围为50-100分贝。进一步地，所述烘干所述微机电系统麦克风时采用的温度范围为30-100摄氏度。进一步地，所述去除所述二氧化硅层采用的工艺为湿法腐蚀工艺。进一步地，所述湿法腐蚀工艺使用的溶液为缓冲氧化物腐蚀（BOE）溶液。进一步地，所述去除所述二氧化硅层的工艺时间依据需要去除的二氧化硅层的厚度和所用的溶液所含成分的比例进行调整。进一步地，所述清洗所述微机电系统麦克风采用的清洗剂是去离子水。进一步地，所述清洗所述微机电系统麦克风的清洗时间不小于十分钟。进一步地，所述低表面张力液体包括：异丙醇（IPA）、酒精或丙酮。进一步地，所述将所述微机电系统麦克风浸泡于低表面张力液体中所需的浸泡时间不小于十分钟。本专利技术实施例提出的减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法，通过在烘干所述微机电系统麦克风的同时用声波振动使所述微机电系统麦克风的振膜振动，以减少粘黏的产生，提高微机电系统麦克风的良率。附图说明图1是介质释放前的微机电系统麦克风的一般结构的截面示意图；图2是微机电系统麦克风的俯视图；图3是介质释放后的微机电系统麦克风的一般结构的截面示意图；图4是现有技术中对微机电系统麦克风进行介质释放工艺时产生的粘黏的示意图；图5是本专利技术第一实施例中的减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法的流程图。图1-图4中附图标记说明：1表示带有声学后腔6的硅衬底（SI），2表示氧化膜（OX），3表示第一多晶硅层（Poly1），4表示二氧化硅层（PE OX），5表示第二多晶硅层（Poly2）,6表示声学后腔，7表示音孔，8表示声学前腔。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部内容。在图5中示出了本专利技术的第一实施例。图5是本专利技术第一实施例中的减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法的实现流程500。图1是介质释放前的微机电系统麦克风的一般结构的截面示意图。如图1所示，所述微机电系统麦克风包括：带有声学后腔6的硅衬底（SI）1、位于所述硅衬底上的氧化膜（OX）2、位于所述氧化膜上的第一层多晶（Poly1）3、位于所述第一层多晶上的二氧化硅层（PE OX）4、位于所述二氧化硅层上的具有音孔7的第二层多晶（Poly2）5，其中，所述微机电系统麦克风中的Poly1表示麦克风的基板，poly2表示麦克风的振膜。图3为与图2对应的微机电系统麦克风的俯视图，其中，图3上的小孔7称为音孔。第一实施例中的减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法的实现流程500详述如下：在步骤501中，去除二氧化硅层，以形成声学前腔。在本实施例中，由于二氧化硅性质比较稳定，而且是难溶的物质，难溶于水，也难溶于硝酸，但是可以与氢氟酸发生化学反应生成四氟化硅气体。因此需要采用湿法腐蚀工艺，选择含有氢氟酸的溶液对微机电系统麦克风进行湿法腐蚀，以腐蚀掉二氧化硅层中间位置的二氧化硅，形成声学前腔。所述湿法腐蚀的工艺时间依据需要腐蚀的二氧化硅层的厚度和所用的溶液所含成分的比例进行调整。在本实施例中，采用缓冲氧化物腐蚀（Buffered Oxide Etch，BOE）溶液对微机电系统麦克风进行湿法腐蚀工艺，以腐蚀掉二氧化硅层中间位置的二氧化硅，形成声学前腔。所述BOE溶液由氢氟酸（HF）与氟化氨（NH4F）依不同比例混合而成。常用的BOE溶液组成为：氢氟酸（HF）:氟化氨（NH4F）:水（H2O）=3ml:6g:10ml，其中氢氟酸溶液的浓度为48%。所述BOE溶液可以有效腐蚀二氧化硅。在本实施例中，利用BOE溶液腐蚀二氧化硅以形成声学前腔，可以将BOE溶液直接倒入微机电系统麦本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法，所述微机电系统麦克风包括带有声学后腔的硅衬底、位于所述硅衬底上的氧化膜、位于所述氧化膜上的第一多晶硅层、位于所述第一多晶硅层上的二氧化硅层、位于所述二氧化硅层上的具有音孔的第二多晶硅层，其特征在于，所述方法包括：去除所述二氧化硅层，以形成声学前腔；清洗所述微机电系统麦克风；将所述微机电系统麦克风浸泡于低表面张力液体中；烘干所述微机电系统麦克风，以使得所述声学前腔内的所述低表面张力液体挥发，同时用声波振动使所述微机电系统麦克风的振膜振动，以减少粘黏的产生，其中，所述振膜为所述微机电系统麦克风的第二多晶硅层。

【技术特征摘要】
1.一种减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法，所述微机电
系统麦克风包括带有声学后腔的硅衬底、位于所述硅衬底上的氧化膜、位于所
述氧化膜上的第一多晶硅层、位于所述第一多晶硅层上的二氧化硅层、位于所
述二氧化硅层上的具有音孔的第二多晶硅层，其特征在于，所述方法包括：
去除所述二氧化硅层，以形成声学前腔；
清洗所述微机电系统麦克风；
将所述微机电系统麦克风浸泡于低表面张力液体中；
烘干所述微机电系统麦克风，以使得所述声学前腔内的所述低表面张力液
体挥发，同时用声波振动使所述微机电系统麦克风的振膜振动，以减少粘黏的
产生，其中，所述振膜为所述微机电系统麦克风的第二多晶硅层。
2.根据权利要求1所述的减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的
方法，其特征在于，产生所述声波的声源的频率范围为20-2000赫兹，所述声
源的声音分贝范围为50-100分贝。
3.根据权利要求1所述的减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的
方法，其特征在于，所述烘干所述微机电系统麦克风时采用的温度范围为30-100
摄氏度。
4.根据权利要求1所述的减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的
方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙其梁，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32