OLED 显示基板、显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种OLED显示基板、显示装置，属于显示领域。所述OLED显示基板，包括与内部电压连接的电源电极、至少一个薄膜晶体管和至少一个存储电容，所述存储电容的第一电极为掺杂后的所述薄膜晶体管的有源层，所述存储电容的第二电极为所述电源电极。本实用新型专利技术的技术方案能够降低显示基板的功耗，并能够简化OLED显示基板的制作工艺，降低OLED显示基板的制作成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示领域，特别是涉及一种OLED显示基板、显示装置。
技术介绍
低温多晶硅技术(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)最初是日本北美的技术企业为了降低Note-PC显示屏的能耗，令Note-PC显得更薄更轻而研发的技术，大约在九十年代中期这项技术开始走向试用阶段。由LTPS衍生的新一代有机发光液晶面板OLED也于1998年正式走上实用阶段，它的最大优势在于超薄、重量轻、低耗电，同时其自身发光的特点，因而可以提供更艳丽的色彩和更清晰的影像，而更为重要的是，生产成本只有普通液晶面板的1/3。AM-OLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode)是有源矩阵有机发光二极体面板，相比传统的液晶面板，AM-OLED具有反应速度较快、对比度更高、视角较广等特点。传统AM-OLED采用2T1C(两个晶体管和一个电容)驱动方式，其中一个开关晶体管，一个驱动晶体管和一个存储电容，到扫描线有效时，开关晶体管打开，将数据信号存储到存储电容；存储电容存储的电压信号控制驱动晶体管的导通，将输入的数据电压信号转换成OLED发光需要的电流信号来显示不同的灰阶。因目前LTPS制程采用的镭射退火技术，制作的晶体管的阈值电压(Vth)在空间上存在不均匀的特性，致使各个驱动晶体管阈值电压(Vth)存在较大的差异。现在应用于AM-OLED的LTPS显示基板采用PMOS结构，传统的2T1C结构可以实现显示，但是由于多晶硅均匀性不好，Vth的波动幅度较大，从而2T1C结构的显示容易发生显示Mura(亮度不均匀)，为了改善像素显示，开发了6T1C结构或者6T2C结构，6T1C的结构能够有效的避免Vth波动的影响，改善显示品质。但是6T1C结构增加了制程复杂度，降低了产能和良率。另外，现有OLED显示基板的存储电容的一个电极采用掺杂后的有源层形成，另一个电极采用栅金属层形成，接内部电压的电源电极(ELVDD)通过过孔与形成存储电容其中一个电极的栅金属层图形连接，由于存储电容充电时通常会有瞬间的大电流，为防止大电流通过单个过孔，通常在一个像素区域设计2个到3个过孔连接栅金属层图形和ELVDD，增加了过孔不良的概率；同时由于为了保证存储电容的大小，形成存储电容其中一个电极的栅金属层图形的面积比较大，与源漏金属层图形有很大的交叉面积，在栅金属层图形和源漏金属层之间形成了电容，造成了很大的负载，增加了整个显示基板的功耗。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种OLED显示基板、显示装置，能够降低显示基板的功耗，并能够简化OLED显示基板的制作工艺，降低OLED显示基板的制作成本。为解决上述技术问题，本技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种OLED显示基板，包括与内部电压连接的电源电极、至少一个薄膜晶体管和至少一个存储电容，所述存储电容的第一电极为掺杂后的所述薄膜晶体管的有源层，所述存储电容的第二电极为所述电源电极。进一步地，所述OLED显示基板还包括：位于所述有源层和所述电源电极之间的所述薄膜晶体管的栅电极，所述栅电极与所述有源层之间间隔有栅绝缘层，所述栅电极与所述电源电极之间间隔有中间绝缘层。进一步地，所述电源电极与所述薄膜晶体管的源电极、漏电极位于同一层。进一步地，所述OLED显示基板还包括：位于所述源电极、漏电极和电源电极之上的平坦层。进一步地，所述OLED显示基板还包括：位于所述平坦层上的阳极、有机发光层和阴极，所述阳极通过所述平坦层中的过孔与所述漏电极电性连接。进一步地，所述有源层为采用多晶硅制成。本技术实施例还提供了一种显示装置，包括上述的OLED显示基板。本技术的实施例具有以下有益效果：上述方案中，OLED显示基板存储电容的电极分别由电源电极和掺杂后的有源层形成，相比较于现有技术中利用掺杂后的有源层和栅金属层图形形成存储电容的电极而言，大幅减少了栅金属层图形的面积，从而减少了栅金属层图形与源漏金属层图形的交叉面积，减少了显示基板的负载，降低了显示基板的功耗；另外，由于栅金属层图形的面积大幅减少，因此，在利用栅金属层形成栅电极之后，可以直接以栅电极为掩膜对有源层进行掺杂，不必额外进行一次专门的构图工艺来对有源层进行掺杂，简化了OLED显示基板的制作工艺，降低了OLED显示基板的制作成本；进一步地，由于不需要利用栅金属层图形来形成存储电容的电极，因此，不必再设计连接栅金属层图形和电源电极的过孔，减少了过孔不良的概率。附图说明图1为本技术实施例的OLED显示基板形成有源层后的平面示意图；图2为图1的A-A’处截面示意图；图3为本技术实施例的OLED显示基板形成栅电极后的平面示意图；图4为图3的A-A’处截面示意图；图5为本技术实施例的OLED显示基板形成中间绝缘层后的平面示意图；图6为图5的A-A’处截面示意图；图7为本技术实施例的OLED显示基板形成源电极和漏电极后的平面示意图；图8为图7的A-A’处截面示意图；图9为本技术实施例的OLED显示基板形成平坦层后的平面示意图；图10为图9的A-A’处截面示意图；图11为本技术实施例的OLED显示基板形成阳极后的平面示意图；图12为图11的A-A’处截面示意图；图13为图11的B-B’处截面示意图；图14为本技术一实施例的OLED显示基板的像素结构示意图；图15为本技术实施例的OLED显示基板的电路结构示意图；图16为本技术实施例的OLED显示基板的信号时序图；图17为现有OLED显示基板的平面示意图；图18为图17的A-A’处截面示意图。附图标记1基板，2有源层，3栅绝缘层，4栅电极，5发射电极，6复位端，7中间绝缘层，8源电极和漏电极，9电源电极，10数据线，11平坦层，12阳极，13公共电极，14栅金属层图形。具体实施方式为使本技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。实施例一本实施例提供了一种OLED显示基板，包括与内部电压连接的电源电极、至少一个薄膜晶体管和至少一个存储电容，其中，所述存储电容的第一电极为掺杂后的所述薄膜晶体管的有源层，所述存储电容的第二电极为所述电源电极。本实施例的OLED显示基板存储电容的电极分别由电源电极和掺杂后的有源层形成，相比较于现有技术中利用掺杂后的有源层和栅金属层图形形成存储电容的电极而言，大幅减少了栅金属层图形的面积，从而减少了栅金属层图形与源漏金属层图形的交叉面积，减少了显示基板的负载，降低了显示基板的功耗；另外，由于栅金属层图形的面积大幅减少，因此，在利用栅金属层形成栅电极之后，可以直接以栅电极为掩膜对有源层进行掺杂，不必额外进行一次专门的构图工艺来对有源层进行掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED显示基板，包括与内部电压连接的电源电极、至少一个薄膜晶体管和至少一个存储电容，其特征在于，所述存储电容的第一电极为掺杂后的所述薄膜晶体管的有源层，所述存储电容的第二电极为所述电源电极。

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示基板，包括与内部电压连接的电源电极、至少一个薄
膜晶体管和至少一个存储电容，其特征在于，所述存储电容的第一电极为掺杂
后的所述薄膜晶体管的有源层，所述存储电容的第二电极为所述电源电极。
2.根据权利要求1所述的OLED显示基板，其特征在于，所述OLED显
示基板还包括：
位于所述有源层和所述电源电极之间的所述薄膜晶体管的栅电极，所述栅
电极与所述有源层之间间隔有栅绝缘层，所述栅电极与所述电源电极之间间隔
有中间绝缘层。
3.根据权利要求1所述的OLED显示基板，其特征在于，所述电源电极
与所述薄膜晶体管的源电极、...

【专利技术属性】
技术研发人员：张金中，肖昂，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：新型
国别省市：北京;11