薄膜晶体管的制备方法和阵列基板的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管的制备方法和阵列基板的制备方法，可以使得薄膜晶体管的沟道不受曝光机分辨率的限制，提高阵列基板的开口率。上述薄膜晶体管的制备方法中：该薄膜晶体管中的第一电极层和第二电极层的制备步骤包括：在衬底基板上沉积金属形成第一金属层；在第一金属层上涂覆光刻胶形成第一光刻胶层；采用光刻工艺在衬底基板上形成第一电极层；在衬底基板上沉积金属形成第二金属层；在第二金属层上涂覆光刻胶形成第二光刻胶层；对第二光刻胶层进行曝光、显影处理，去掉除覆盖在第二电极对应的图案所在区域以外的第二光刻胶层；对第二金属层进行刻蚀，形成第二电极层以及第二电极层与第一电极层之间的沟道；剥离剩余的第二光刻胶层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示器制备
，特别是涉及一种薄膜晶体管的制备方法和阵列基板的制备方法。
技术介绍
液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)是液晶显示器的主流产品。液晶显示器主要包括：阵列基板和彩膜基板，以及设置于阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层。而液晶显示器中的阵列基板主要包括：栅极线、数据线以及薄膜晶体管，其中薄膜晶体管主要包括：衬底基板、源极和漏极，在结构上，形成的源极和漏极之间存在沟槽。现有技术中，在制备薄膜晶体管的源极、漏极时，一般是将源极和漏极由一次掩模板曝光工艺形成，受曝光机分辨率的影响，源极和漏极之间的沟道不能做的太窄，这就会限制阵列基板的开口率，影响显示面板的显示效果。
技术实现思路
本专利技术提供了一种薄膜晶体管的制备方法和阵列基板的制备方法，可以使得薄膜晶体管的沟道不受曝光机分辨率的限制，提高阵列基板的开口率。为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案：本专利技术提供了一种薄膜晶体管的制备方法，该薄膜晶体管中的第一电极层和第二电极层的制备步骤包括：在衬底基板上沉积金属形成第一金属层；在所述第一金属层上涂覆光刻胶形成第一光刻胶层；采用光刻工艺在所述衬底基板上形成第一电极层；在所述衬底基板上沉积金属形成第二金属层；在所述第二金属层上涂覆光刻胶，形成第二光刻胶层；对所述第二光刻胶层进行曝光、显影处理，去掉除覆盖在第二电极对应的图案所在区域以外的第二光刻胶层；对所述第二金属层进行刻蚀，形成第二电极层以及所述第二电极层与所述第一电极层之间的沟道；剥离剩余的所述第二光刻胶层。本专利技术提供的薄膜晶体管的制备方法，将薄膜晶体管的源极和漏极分两次工艺制备，即采用两个掩模板经两次光刻工艺形成，源极和漏极之间的沟道通过刻蚀工艺形成，使得薄膜晶体管的源极和漏极之间的沟道不再受曝光机的分辨率限制，可以将沟道做的窄些。所以，本专利技术提供的薄膜晶体管的制备方法，可以使得薄膜晶体管的沟道不受曝光机分辨率的限制，提高阵列基板的开口率。在一些可选的实施方式中，在所述步骤：采用光刻工艺在所述衬底基板上形成第一电极层和所述步骤：在所述衬底基板上沉积金属形成第二金属层之间还包括：形成只覆盖在所述第一电极层上的保护层。保护层的设置有助于第二电极形成后，保证第一电极层的完整形成。在一些可选的实施方式中，所述形成只覆盖在所述第一电极层上的保护层具体包括：在所述衬底基板上形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上涂覆光刻胶，形成第三光刻胶层；对所述第三光刻胶层进行曝光、显影处理，去掉除覆盖在所述第一电极层区域以外的第三光刻胶层；对所述刻蚀阻挡层进行刻蚀，形成所述保护层；剥离剩余的所述第三光刻胶层。在一些可选的实施方式中，在所述步骤：剥离剩余的所述第二光刻胶层之后还包括：刻蚀去除所述保护层。在一些可选的实施方式中，所述采用光刻工艺在所述衬底基板上形成第一电极层具体包括：对所述第一光刻胶层进行曝光、显影处理，去掉除覆盖在第一电极对应的图案所在区域以外的第一光刻胶层；对所述第一金属层进行刻蚀，形成所述第一电极层；剥离剩余的所述第一光刻胶层。在一些可选的实施方式中，所述第一电极层为源极层，所述第二电极层为漏极层。在一些可选的实施方式中，所述第一电极层为漏极层，所述第二电极层为源极层。本专利技术还提供了一种阵列基板的制备方法，包括上述任一项所述的薄膜晶体管的制备方法。附图说明图1为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的一种制备方法流程图；图2为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的另一种制备方法流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术专利保护的范围。现有技术中的薄膜晶体管一般有两种结构，一种是顶栅极、一种是底栅极，底栅极结构的薄膜晶体管在制备时，一般包括如下几个步骤：在衬底基板上形成栅极层；在栅极层上形成绝缘层；在绝缘层上形成有源层；在有源层上形成源极和漏极。而顶栅极结构的薄膜晶体管在制备时，一般包括如下几个步骤：在衬底基板上形成源极和漏极；在源极和漏极上形成有源层；在有源层上形成绝缘层；在绝缘层上形成栅极层。但无论是顶栅极结构的薄膜晶体管还是底栅极结构的薄膜晶体管在形成源极和漏极时，均采用一次掩模板曝光工艺形成，受曝光机分辨率的影响，源极和漏极之间的沟道不能做的太窄，这就会减小阵列基板的开口率，影响显示面板的显示效果，本专利技术实施提供了一种薄膜晶体管的制备方法，将薄膜晶体管的源极和漏极分两次工艺制备，即采用两个掩模板经两次光刻工艺形成，源极和漏极之间的沟道通过刻蚀工艺形成，使得薄膜晶体管的源极和漏极之间的沟道不再受曝光机的分辨率限制，可以将沟道做的窄些。实施例一如图1所示，图1为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的一种制备方法流程图，本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管的制备方法，该薄膜晶体管中的第一电极层和第二电极层的制备步骤包括：步骤S101：在衬底基板上沉积金属形成第一金属层；步骤S102：在第一金属层上涂覆光刻胶形成第一光刻胶层；步骤S103：采用光刻工艺在衬底基板上形成第一电极层；步骤S104：在衬底基板上沉积金属形成第二金属层；步骤S105：在第二金属层上涂覆光刻胶，形成第二光刻胶层；步骤S106：对第二光刻胶层进行曝光、显影处理，去掉除覆盖在第二电极对应的图案所在区域以外的第二光刻胶层；步骤S107：对第二金属层进行刻蚀，形成第二电极层以及第二电极层与第一电极层之间的沟道；步骤S108：剥离剩余的第二光刻胶层。本专利技术提供的薄膜晶体管的制备方法，将薄膜晶体管的源极和漏极分两次工艺制备，即采用两个掩模板经两次光刻工艺形成，源极和漏极之间的沟道通过刻蚀工艺形成，使得薄膜晶体管的源极和漏极之间的沟道不再受曝光机的分辨率限制，可以将沟道做的窄些。所以，本专利技术提供的薄膜晶体管的制备方法，可以使得薄膜晶体管的沟道不受曝光机分辨率的限制，提高阵列基板的开口率。需要说明的是，第二金属层是在第一电极层形成后形成在衬底基板上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该薄膜晶体管中的第一电极层和第二电极层的制备步骤包括：在衬底基板上沉积金属形成第一金属层；在所述第一金属层上涂覆光刻胶形成第一光刻胶层；采用光刻工艺在所述衬底基板上形成第一电极层；在所述衬底基板上沉积金属形成第二金属层；在所述第二金属层上涂覆光刻胶，形成第二光刻胶层；对所述第二光刻胶层进行曝光、显影处理，去掉除覆盖在第二电极对应的图案所在区域以外的第二光刻胶层；对所述第二金属层进行刻蚀，形成第二电极层以及所述第二电极层与所述第一电极层之间的沟道；剥离剩余的所述第二光刻胶层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该薄膜晶体管中的第一电
极层和第二电极层的制备步骤包括：
在衬底基板上沉积金属形成第一金属层；
在所述第一金属层上涂覆光刻胶形成第一光刻胶层；
采用光刻工艺在所述衬底基板上形成第一电极层；
在所述衬底基板上沉积金属形成第二金属层；
在所述第二金属层上涂覆光刻胶，形成第二光刻胶层；
对所述第二光刻胶层进行曝光、显影处理，去掉除覆盖在第二电极对应的
图案所在区域以外的第二光刻胶层；
对所述第二金属层进行刻蚀，形成第二电极层以及所述第二电极层与所述
第一电极层之间的沟道；
剥离剩余的所述第二光刻胶层。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述步
骤：采用光刻工艺在所述衬底基板上形成第一电极层和所述步骤：在所述衬底
基板上沉积金属形成第二金属层之间还包括：形成只覆盖在所述第一电极层上
的保护层。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述形成
只覆盖在所述第一电极层上的保护层具体包括：
在所述衬底基板上形成刻蚀阻挡层；
在所述刻蚀阻挡层上涂覆光刻胶，形成第三光刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：王武，邱海军，尚飞，王国磊，
申请(专利权)人：重庆京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;85