一种阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，所述阵列基板的制备方法包括：在衬底基板的显示区域形成栅极和栅绝缘层，通过一次构图工艺形成有源层、源极和漏极，所述源极和漏极设置在所述有源层的上方。本发明专利技术提供的阵列基板及其制备方法、显示装置中，通过一次构图工艺形成有源层、源极和漏极，所述源极和漏极设置在所述有源层的上方，以在不影响薄膜晶体管品质的前提下降低掩模板的使用次数，与现有技术相比进一步减少了构图工艺次数、简化了制作工艺，提高了生产效率、缩短了制作时间、降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT)具有超薄、重量轻、低耗电等优势，不仅可以用于液晶显示面板的制造，而且为制作更艳丽的色彩和更清晰的影像的新一代有机发光显示面板0LED(0rganic Light-Emitting D1de,有机发光二极管)走上实用阶段提供可能。 图1为现有技术中薄膜晶体管的结构示意图，图2为图1所示薄膜晶体管的制备方法的流程图。如图1和图2所示，所述制备方法包括:步骤2001、在衬底基板上形成栅极101和公共电极线102，步骤2002、在所述栅极101上形成栅绝缘层103和有源层104，步骤2003、在所述有源层104上形成刻蚀阻挡层105，步骤2004、在所述刻蚀阻挡层105上形成源极106和漏极107，步骤2005、在所述源极106和漏极107上形成钝化层108、第一过孔202和第二过孔203，步骤2006、在所述钝化层108上形成接触电极109和像素电极201，所述接触电极109通过所述第一过孔202与所述源极106电连接，所述像素电极201通过所述第二过孔203与所述漏极107电连接。因此，现有技术中的氧化物薄膜晶体管的制作过程需要6次构图工艺，由于每次构图工艺均需要把掩模板图形转移到薄膜图形上，且每一层图形都需要精确的覆盖在另一层薄膜图形上，从而导致氧化物薄膜晶体管的生产效率低,生产成本高。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，用于解决现有技术中氧化物薄膜晶体管生产效率低，生产成本高的问题。 为此，本专利技术提供一种阵列基板的制备方法，包括:在衬底基板的显示区域形成栅极；形成栅绝缘层；通过一次构图工艺形成包括有源层、源极和漏极的图形，所述源极和漏极设置在所述有源层的上方。 可选的，所述通过一次构图工艺形成包括有源层、源极和漏极的图形的步骤包括:形成有源层薄膜和刻蚀阻挡层薄膜；通过光刻工艺在所述显示区域形成刻蚀阻挡层；形成源漏金属薄膜；通过光刻工艺在所述显示区域形成有源层、源极和漏极。 可选的，所述在衬底基板的显示区域形成栅极的同时，在所述衬底基板的连接区域形成第一栅极金属；所述通过光刻工艺在所述显示区域形成刻蚀阻挡层的同时，在所述连接区域形成过孔，所述过孔贯穿所述栅绝缘层和有源层薄膜；所述通过光刻工艺在所述显示区域形成有源层、源极和漏极的同时，在所述连接区域形成第一源漏极金属，所述第一源漏极金属通过所述过孔与所述第一栅极金属电连接。 可选的，所述通过光刻工艺在所述显示区域形成刻蚀阻挡层，以及在所述连接区域形成过孔的步骤包括:在所述刻蚀阻挡层薄膜上涂敷光刻胶，采用半色调或灰色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影以形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，所述光刻胶完全保留区域对应于形成刻蚀阻挡层的图形区域，所述光刻胶完全去除区域对应于形成初始过孔的图形区域，所述光刻胶半保留区域对应于所述图形区域之外的其它区域；对所述刻蚀阻挡层薄膜、有源层薄膜以及栅绝缘层进行刻蚀以在所述连接区域形成初始过孔，所述初始过孔贯穿所述刻蚀阻挡层薄膜、有源层薄膜的全部以及栅绝缘层的一部分；通过灰化工艺去除半保留区域的光刻胶；对所述初始过孔和刻蚀阻挡层薄膜进行刻蚀以在所述连接区域形成过孔以及在所述显示区域形成刻蚀阻挡层。 可选的，所述通过光刻工艺在所述显示区域形成有源层、源极和漏极，以及在所述连接区域形成第一源漏极金属的步骤包括:在所述源漏金属薄膜上涂敷光刻胶，采用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影以形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，所述光刻胶保留区域对应于形成有源层、源极、漏极和第一源漏极金属的图形区域，所述光刻胶去除区域对应于所述图形区域之外的其它区域；对所述源漏金属薄膜和有源层薄膜进行刻蚀以在所述连接区域形成第一源漏极金属以及在所述显示区域形成有源层、源极和漏极。 本专利技术还提供一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板包括显示区域，所述显示区域上设置有栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，所述源极和漏极完全位于所述有源层的上方。 可选的，还设置有刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层位于所述有源层与所述源极和漏极之间。 可选的，所述衬底基板还包括连接区域，所述连接区域上设置有第一栅极金属、栅绝缘层、有源层、第一源漏极金属和过孔，所述第一栅极金属与所述栅极位于同一层，所述第一源漏极金属与所述源极和漏极位于同一层，所述过孔贯穿所述栅绝缘层和有源层，所述第一源漏极金属通过所述过孔与所述第一栅极金属电连接。 可选的，所述显示区域上还设置有电容，所述电容的上极板包括像素电极或者第二源漏极金属，所述电容的下极板包括公共电极或者第二栅极金属，所述第二栅极金属与所述栅极位于同一层，所述第二源漏极金属与所述源极和漏极位于同一层。 本专利技术还提供一种显示装置，包括上述任一所述的阵列基板。 本专利技术具有下述有益效果: 本专利技术提供的阵列基板及其制备方法、显示装置中，通过一次构图工艺形成有源层、源极和漏极，所述源极和漏极设置在所述有源层的上方，以在不影响薄膜晶体管品质的前提下降低掩模板的使用次数，与现有技术相比进一步减少了构图工艺次数、简化了制作工艺，提高了生产效率、缩短了制作时间、降低了生产成本。 【附图说明】 图1为现有技术中薄膜晶体管的结构示意图； 图2为图1所示薄膜晶体管的制备方法的流程图； 图3为本专利技术实施例一提供的一种薄膜晶体管的制备方法的流程图； 图4为实施例一中形成第一源漏极金属、栅极和栅绝缘层的示意图； 图5为实施例一中形成有源层薄膜、刻蚀阻挡层薄膜和光刻胶的示意图； 图6为实施例一中形成初始过孔的示意图； 图7为实施例一中通过灰化工艺去除半保留区域的光刻胶的示意图； 图8为实施例一中形成过孔和刻蚀阻挡层的示意图； 图9为实施例一中形成源漏金属薄膜的示意图； 图10为实施例一中形成第一源漏极金属、有源层、源极以及漏极的示意图； 图11为实施例一中形成钝化层薄膜的示意图； 图12为实施例一中形成钝化层和第三过孔的示意图； 图13为本专利技术实施例二提供的一种薄膜晶体管的结构示意图。 【具体实施方式】 为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术提供的阵列基板及其制备方法、显示装置进行详细描述。 实施例一 作为本专利技术的实施例，本专利技术实施例一提供的阵列基板为栅极层位于底层的阵列基板结构，但本专利技术实施例一中阵列基板的结构同样适用于栅极层位于顶层的阵列基板结构。 图3为本专利技术实施例一提供的一种薄膜晶体管的制备方法的流程图。如图3所示，所述薄膜晶体管的制备方法包括: 步骤3001、在显示区域形成栅极，在连接区域形成第一栅极金属。 图4为实施例一中形成第一源漏极金属、栅极和栅绝缘层的示意图。如图4所示，在基板上形成栅金属薄膜，所述栅金属薄膜的厚度为100nm-700nm,所述栅金属薄膜的构成材料可以是铜、钨、铌、铝、铝钕合金、钥、钥铌、钛等金属的单一物，也可以是铜、钨、铌、铝、铝钕合金、钥、钥铌、钛等金属的复合物。可选的，所述栅金属薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板的显示区域形成栅极；形成栅绝缘层；通过一次构图工艺形成包括有源层、源极和漏极的图形，所述源极和漏极设置在所述有源层的上方。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括: 在衬底基板的显示区域形成栅极； 形成栅绝缘层； 通过一次构图工艺形成包括有源层、源极和漏极的图形，所述源极和漏极设置在所述有源层的上方。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成包括有源层、源极和漏极的图形的步骤包括: 形成有源层薄膜和刻蚀阻挡层薄膜； 通过光刻工艺在所述显示区域形成刻蚀阻挡层； 形成源漏金属薄膜； 通过光刻工艺在所述显示区域形成有源层、源极和漏极。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板的显示区域形成栅极的同时，在所述衬底基板的连接区域形成第一栅极金属； 所述通过光刻工艺在所述显示区域形成刻蚀阻挡层的同时，在所述连接区域形成过孔，所述过孔贯穿所述栅绝缘层和有源层薄膜； 所述通过光刻工艺在所述显示区域形成有源层、源极和漏极的同时，在所述连接区域形成第一源漏极金属，所述第一源漏极金属通过所述过孔与所述第一栅极金属电连接。4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通过光刻工艺在所述显示区域形成刻蚀阻挡层，以及在所述连接区域形成过孔的步骤包括: 在所述刻蚀阻挡层薄膜上涂敷光刻胶，采用半色调或灰色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影以形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，所述光刻胶完全保留区域对应于形成刻蚀阻挡层的图形区域，所述光刻胶完全去除区域对应于形成初始过孔的图形区域，所述光刻胶半保留区域对应于所述图形区域之外的其它区域； 对所述刻蚀阻挡层薄膜、有源层薄膜以及栅绝缘层进行刻蚀以在所述连接区域形成初始过孔，所述初始过孔贯穿所述刻蚀阻挡层薄膜、有源层薄膜的全部以及栅绝缘层的一部分； 通过灰化工艺去除半保留区域的光刻胶； 对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁广才，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11