一种CMOS器件的抗闩锁电路制造技术

本发明专利技术公开了一种CMOS器件的抗闩锁电路，该电路包括：电流检测电路，用于实时检测CMOS器件的工作电流，并将CMOS器件的工作电流转换为输出电压，发送给电压比较电路；电压比较电路，用于将输出电压与基准电压进行比较，若输出电压大于基准电压，则输出第一控制信号给电压控制电路，若输出电压小于基准电压，则输出第二控制信号给电压控制电路；电压控制电路，用于在收到第一控制信号时，停止向CMOS器件输出工作电压；在收到第二控制信号时，继续向CMOS器件输出工作电压。本发明专利技术的CMOS器件的抗闩锁电路，结构简单、可靠性高，能对易发生闩锁的CMOS器件提供实时的安全防护，提高CMOS器件空间单粒子环境适应能力。

【技术实现步骤摘要】
—种CMOS器件的抗闩锁电路
本专利技术涉及集成电路设计领域，具体涉及一种CMOS器件的抗闩锁电路。
技术介绍
单粒子闩锁是发生于体硅CMOS器件的一种极具危害性的空间辐射效应。由空间高能带电粒子引起的CMOS器件单粒子闩锁，在卫星工程中已日益受到重视。由于体硅CMOS制造工艺自身不可避免的特点，体娃CMOS器件存在一个固有的p-n-p-n四层结构,形成一个寄生可控硅，在适当条件触发下，P阱电阻或衬底电阻上的压降可能导通寄生的三极管并维持饱和状态，从而在CMOS器件内部产生大电流并形成CMOS器件的闩锁。 CMOS器件广泛应用与航天产品的电路中，CMOS器件一旦发生单粒子闩锁，会对航天产品造成很大的潜在危害，例如:发生单粒子闩锁的器件可能被闩锁产生的大电流烧毁，发生闩锁的器件所使用的星上二次电源可能被突然骤增的负载电流所损坏以及发生闩锁的CMOS器件所用二次电源受闩锁影响导致输出电压变化时，使用同一电源的其他器件的工作可能受到影响等。 现有技术中，为了提高复杂辐照环境下CMOS器件的在轨适应、生存能力，一般均采用增加等效铝厚度或局部使用防护材料的设计策略，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CMOS器件的抗闩锁电路，其特征在于，该电路包括：电压控制电路，电流检测电路和电压比较电路；所述电流检测电路，用于实时检测所述CMOS器件的工作电流，并将所述CMOS器件的工作电流转换为输出电压，输出给所述电压比较电路；所述电压比较电路，用于将所述电流检测电路输出的输出电压与基准电压进行比较，若所述输出电压大于所述基准电压，则输出第一控制信号给所述电压控制电路，若所述输出电压小于所述基准电压，则输出第二控制信号给所述电压控制电路；所述电压控制电路，用于在收到所述第一控制信号时，停止向所述CMOS器件输出工作电压；在收到所述第二控制信号时，继续向所述CMOS器件输出工作电压。

【技术特征摘要】
1.一种(:103器件的抗闩锁电路，其特征在于，该电路包括:电压控制电路，电流检测电路和电压比较电路； 所述电流检测电路，用于实时检测所述0103器件的工作电流，并将所述0103器件的工作电流转换为输出电压，输出给所述电压比较电路； 所述电压比较电路，用于将所述电流检测电路输出的输出电压与基准电压进行比较，若所述输出电压大于所述基准电压，则输出第一控制信号给所述电压控制电路，若所述输出电压小于所述基准电压，则输出第二控制信号给所述电压控制电路； 所述电压控制电路，用于在收到所述第一控制信号时，停止向所述(:103器件输出工作电压；在收到所述第二控制信号时，继续向所述0103器件输出工作电压。2.如权利要求1所述的(:103器件的抗闩锁电路，其特征在于，所述电流检测电路包括:采样电阻81、分压电阻03、财、阳以及调整电阻册、08、四和运算放大器附；其中， 所述采样电阻町串联在所述0103器件和所述电压控制电路之间； 所述采样电阻町的两端分别连接分压电阻以和…的一端； 所述分压电阻以的另一端连接所述分压电阻财的一端，所述分压电阻财的另一端接地； 所述分压电阻…的另一端连接所述分压电阻85的一端，所述分压电阻85的另一端接地； 所述分压电阻以和财的连接端与所述调整电阻册的一端连接； 所述分压电阻…和阳的连接端与所述调整电阻87的一端连接； 所述调整电阻册的另一端连接所述调整电阻狀的一端，所述调整电阻狀的另一端连接所述运算放大器附的输出端； 所述调整电阻87的另一端连接所述调整电阻四的一端，所述调整电阻四的另一端接地； 所述调整电阻册和狀的连接端与所述运算放大器附的同相输入端连接； 所述调整电阻87和四的连接端与所述运算放大器附的反相输入端连接； 所述运算放大器[的输出端与所述电压比较电路的输入端连接。3.如权利要求2所述的(:...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟俊锋，杨德远，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第三十六研究所，
类型：发明
国别省市：浙江;33