一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置，包括第一黑矩阵，所述第一黑矩阵环绕所述显示基板的有效显示区，且第一黑矩阵的外侧具有环绕第一黑矩阵的漏光区，所述显示基板还包括环绕所述第一黑矩阵的滤光层，所述滤光层覆盖所述漏光区，用以降低光线在显示基板的所述漏光区的透过率，并且，所述滤光层的电阻率高于所述第一黑矩阵的电阻率。上述显示基板在漏光区覆盖滤光层，降低了光线在显示基板的漏光区的透过率，使漏光区的亮度降低，甚至使漏光区不发光，从而可以降低观看者观察到漏光区产生漏光的几率。

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置
本专利技术涉及液晶显示
，具体地，涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置。
技术介绍
现有的ADS模式的液晶显示装置包括对盒在一起的阵列基板、彩膜基板，以及填充在阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。图1为ADS模式显示装置中彩膜基板的示意图。如图1所示，彩膜基板包括衬底基板10以及制备在衬底基板10上的彩色滤光片11和黑矩阵12。其中，彩色滤光片11包括多种颜色的色阻，用于使组成一个像素的多个子像素分别显示相应的颜色。黑矩阵12包括第一黑矩阵120和第二黑矩阵121，第一黑矩阵120沿彩膜基板的边缘环绕一周，其内部区域对应于显示装置的有效显示区(Active Area) 13 ;第二黑矩阵121包括分别沿显示装置的行方向和列方向依次设置的多个黑矩阵条，用于遮蔽显示装置的栅线、数据线及其他信号线；第一黑矩阵120和第二黑矩阵121由低电阻率的材料制备，使第一黑矩阵120和第二黑矩阵121的阻抗值具体可以为17 Ω级别，以在显示过程中去除静电，避免在显示过程中出现残像问题。 一般地，在制备彩膜基板时，首先在一个大面积的衬底基板10上制备出多个彩膜基板的彩色滤光片11和黑矩阵12等结构，而后，通过切割获得多个彩膜基板。就图1所示彩膜基板的制备而言，在进行切割时，由于黑矩阵12具有较低的电阻率，若沿第一黑矩阵120的边缘切割，则采用该切割出的彩膜基板的显示装置在使用过程中，其内外的静电会通过黑矩阵导通，从而会引起显示装置显示的黑色画面发绿；因此，在切割图1所示彩膜基板时，需要在第一黑矩阵120外(以第一黑矩阵120所环绕的区域为内，以未被第一黑矩阵120环绕的区域为外)切割，且该切割线与第一黑矩阵12的外侧边缘之间需要具有预设距离，一般地，该预设距离为0.2mm。 在上述彩膜基板中，第一黑矩阵120外侧的区域(即第一黑矩阵120外侧边缘至切割线之间的区域)允许光线透过，会使得采用上述彩膜基板的显示装置的边缘出现漏光不良，特别是，在显示装置的边框较窄的情况下，边框对漏光的遮蔽作用减小，漏光的问题就更加严重和突出，严重影响显示装置的显示效果。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置，所述显示基板可以降低光线在漏光区的透过率，从而降低漏光区的亮度，减少观看者观察到漏光区漏光的几率。 为实现本专利技术的目的而提供一种显示基板，包括第一黑矩阵，所述第一黑矩阵环绕所述显示基板的有效显示区，且第一黑矩阵的外侧具有环绕第一黑矩阵的漏光区，所述显示基板还包括环绕所述第一黑矩阵的滤光层，所述滤光层覆盖所述漏光区，用以降低光线在显示基板的所述漏光区的透过率，并且，所述滤光层的电阻率高于所述第一黑矩阵的电阻率。 其中，所述显示基板上制备有多种颜色的色阻，所述滤光层的颜色与其中一种色阻的颜色相同，且所述滤光层的图形和与其同色的色阻的图形同层设置。 其中，所述滤光层的颜色为红色、绿色、蓝色中的任意一种。 其中，所述滤光层包括第一滤层和第二滤层；所述显示基板上制备有多种颜色的色阻，所述第一滤层、第二滤层的颜色分别与其中两种色阻的颜色相同；所述第一滤层的图形和与其同色的色阻的图形同层设置，所述第二滤层的图形和与其同色的色阻的图形同层设置。 其中，所述滤光层的透光率小于30%。 其中，所述滤光层采用不透光材料制成。 其中，所述滤光层内侧与第一黑矩阵的外侧部分重叠。 其中，所述滤光层的内侧与所述第一黑矩阵的外侧的重叠部分的宽度在6?7 μ m0 作为另一个技术方案，本专利技术还提供一种显示基板的制备方法，用于制备本专利技术提供的上述显示基板，所述显示基板的制备方法包括形成第一黑矩阵的步骤和形成滤光层的步骤，所述第一黑矩阵将显示基板的有效显示区和漏光区分隔，所述滤光层覆盖所述有效显示区外侧的漏光区，用以降低光线在显示基板的所述漏光区的透过率，且所述滤光层的电阻率大于所述第一黑矩阵的电阻率。 其中，在形成所述滤光层的步骤中，同时形成与所述滤光层同色的色阻的图形。 其中，形成所述滤光层的步骤包括:形成第一滤层的图形的步骤，形成与第一滤层颜色不同的第二滤层的图形的步骤；在形成第一滤层的图形的步骤中，同时形成与所述第一滤层同色的色阻的图形；在形成第二滤层的图形的步骤中，同时形成与所述第二滤层同色的色阻的图形。 其中，所述显示基板的制备方法还包括沿所述漏光区的外侧边缘切割，获得显示基板的步骤；所述滤光层的外侧部分位于所述漏光区外。 其中，所述滤光层的外侧边缘与所述漏光区之间的距离在0.2?0.5_。 作为另一个技术方案，本专利技术还提供一种显示面板，包括显示基板和对盒基板，所述显示基板采用本专利技术提供的上述显示基板。 作为另一个技术方案，本专利技术还提供一种显示装置，包括显示面板，所述显示面板采用本专利技术提供的上述显示面板。 本专利技术具有以下有益效果: 本专利技术提供的显示基板，其在漏光区覆盖滤光层，降低了光线在显示基板的漏光区的透过率，使漏光区的亮度降低，甚至使漏光区不发光，从而可以降低观看者观察到漏光区产生漏光的几率。 本专利技术提供的显示基板的制备方法，其包括制备将漏光区覆盖的滤光层的步骤，可以降低光线在显示基板的漏光区的透过率，使漏光区的亮度降低，甚至使漏光区不发光，从而可以降低观看者观察到漏光区产生漏光的几率。 本专利技术提供的显示面板，其采用本专利技术提供的上述显示基板，可以降低光线在显示基板的漏光区的透过率，使漏光区的亮度降低，甚至使漏光区不发光，从而可以降低观看者观察到漏光区产生漏光的几率，改善显示面板的漏光区的漏光不良。 本专利技术提供的显示装置，其采用本专利技术提供的上述显示面板，可以降低观看者观察到漏光区产生漏光的几率，改善显示装置的漏光区的漏光不良。 【附图说明】 附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的【具体实施方式】一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中: 图1为ADS模式显示装置中彩膜基板的示意图； 图2为本专利技术提供的显示基板的第一种实施方式的示意图； 图3为图2所示显示基板的沿A-A’的剖视图； 图4为本专利技术提供的显示基板的第二种实施方式的示意图。 其中，附图标记: 1:显不基板；10:衬底基板；11:彩色滤光片；12:黑矩阵；13:有效显不区；14:滤光层；15:漏光区；120:第一黑矩阵；121:第二黑矩阵；140:第一滤层；141:第二滤层。 【具体实施方式】 以下结合附图对本专利技术的【具体实施方式】进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的【具体实施方式】仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。 请参看图2和图3，图2为本专利技术提供的显示基板的第一种实施方式的示意图；图3为图2所示显示基板的沿A-A’的剖视图。在本实施方式中，显示基板I包括第一黑矩阵120及滤光层14，所述第一黑矩阵120环绕所述显示基板I的有效显示区13，且第一黑矩阵的外侧具有环绕第一黑矩阵120的漏光区15 ;所述滤光层14环绕所述第一黑矩阵120，且覆盖所述漏光区15，用以降低光线在显示基板I的所述漏光区15的透本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板，包括第一黑矩阵，所述第一黑矩阵环绕所述显示基板的有效显示区，且所述第一黑矩阵的外侧具有环绕所述第一黑矩阵的漏光区，其特征在于，所述显示基板还包括环绕所述第一黑矩阵的滤光层，所述滤光层覆盖所述漏光区，用以降低光线在显示基板的所述漏光区的透过率，并且，所述滤光层的电阻率高于所述第一黑矩阵的电阻率。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，包括第一黑矩阵，所述第一黑矩阵环绕所述显示基板的有效显示区，且所述第一黑矩阵的外侧具有环绕所述第一黑矩阵的漏光区，其特征在于，所述显示基板还包括环绕所述第一黑矩阵的滤光层，所述滤光层覆盖所述漏光区，用以降低光线在显示基板的所述漏光区的透过率，并且，所述滤光层的电阻率高于所述第一黑矩阵的电阻率。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板上制备有多种颜色的色阻，所述滤光层的颜色与其中一种色阻的颜色相同，且所述滤光层的图形和与其同色的色阻的图形同层设置。3.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述滤光层的颜色为红色、绿色、蓝色中的任意一种。4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述滤光层包括第一滤层和第二滤层； 所述显示基板上制备有多种颜色的色阻，所述第一滤层、第二滤层的颜色分别与其中两种色阻的颜色相同； 所述第一滤层的图形和与其同色的色阻的图形同层设置，所述第二滤层的图形和与其同色的色阻的图形同层设置。5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述滤光层的透光率小于30%。6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述滤光层采用不透光材料制成。7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述滤光层内侧与第一黑矩阵的外侧部分重叠。8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述滤光层的内侧与所述第一黑矩阵的外侧的重叠部分的宽度在6?7 4 III。9.一种显示基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁慧芳，陆相晚，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34