【技术实现步骤摘要】
：本专利技术涉及一种压力罐，具体涉及一种磷化铟生长的压力罐。
技术介绍
磷化铟(InP)晶体是重要的化合物半导体材料，与砷化镓(GaAs)相比，其优越性主要在于高的饱和电场飘移速度、导热性好以及较强的抗辐射能力等，因此磷化铟晶片通常用于新型微电子、光电子元器件制造。在军事上应用于电子对抗、电子战、精确制导、预警探测、卫星通讯、雷达领域。在民事上应用于无线通讯、光通讯、光信息处理、工业自动控制、医疗器械、激光技术、电子计算机、电子通信、电视广播、红外线科技以及更为先进的微波传导，激光开关，医疗诊断和治疗，航天事业，生物，数据处理及许多其它领域。而磷化铟单晶的质量，很大程度上取决于多晶的质量。磷化铟的熔点高达1335±7K，在熔点时，磷化铟要发生分解，为了防止磷化铟的分解，必须置于有27.5个大气压(2.75MPa)的磷蒸汽的环境中。垂直温度梯度结晶生长法中，要获得高质量的磷化铟多晶，需要采用多温场加热控温技术，使得加热炉形成适合晶体生长的温度梯度，从而使得熔化在竖立坩埚中磷化铟多晶材料由经置于坩埚底部子晶，缓慢地由下向上结晶放大成所需要的晶体尺寸。在这么高温度和如此高的磷蒸汽压中精确控制晶体生长，压力罐的性能就显得非常重要。
技术实现思路
根据以上情况，本专利技术的目的在于提供一种磷化铟生长的压力罐，耐高温高压、抗腐蚀性，热传导系数恒定且一致性，以保证InP晶体的生成质量。本专利技术采取的技术方案为：一...
【技术保护点】
一种磷化铟生长的压力罐，其特征在于：包括外壳、罐腔，罐腔内设有石英容器，石英容器上套有石英帽，石英容器外均匀分布有加热管，石英容器内套有晶体生长坩埚，在晶体生长坩埚圆锥状缸壁与石英容器之间有石墨垫，晶体生长坩埚种晶管上部放种晶，下部放陶瓷塞，石英容器与罐腔内壁充满保温材料，外壳外缠绕有冷却管，外壳上下端均有配套的密封盖和密封圈，其中上封盖有气管。
【技术特征摘要】
1.一种磷化铟生长的压力罐，其特征在于：包括外壳、罐腔，罐腔内设
有石英容器，石英容器上套有石英帽，石英容器外均匀分布有加热管，
石英容器内套有晶体生长坩埚，在晶体生长坩埚圆锥状缸壁与石英...
【专利技术属性】
技术研发人员：关活明，
申请(专利权)人：台山市华兴光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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