一种新型IGBT自举驱动电路制造技术

本实用新型专利技术属于电力电子技术领域，提供了一种新型IGBT自举驱动电路，包括上桥电路包括自举驱动电路、第一驱动电路和第一IGBT模块；下桥电路包括第二驱动电路和第二IGBT模块，并且第二驱动电路与第二IGBT模块串联连接；第一驱动电路包括第一开关二极管、第二开关二极管、第一稳压管、第一驱动电阻、第二驱动电阻、第一电感、第一滤波电容、第二滤波电容；第二驱动电路包括第三开关二极管、第四开关二极管、第二稳压管、第三驱动电阻、第四驱动电阻、第二电感、第三滤波电容、第四滤波电容、第一独立电压直流电源。本实用新型专利技术具有抑制IGBT关断时出现的米勒效应，防止门极误导通，关断时间短、速度快的优点。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术属于电力电子
，提供了一种新型IGBT自举驱动电路，包括上桥电路包括自举驱动电路、第一驱动电路和第一IGBT模块；下桥电路包括第二驱动电路和第二IGBT模块，并且第二驱动电路与第二IGBT模块串联连接；第一驱动电路包括第一开关二极管、第二开关二极管、第一稳压管、第一驱动电阻、第二驱动电阻、第一电感、第一滤波电容、第二滤波电容；第二驱动电路包括第三开关二极管、第四开关二极管、第二稳压管、第三驱动电阻、第四驱动电阻、第二电感、第三滤波电容、第四滤波电容、第一独立电压直流电源。本技术具有抑制IGBT关断时出现的米勒效应，防止门极误导通，关断时间短、速度快的优点。【专利说明】一种新型IGBT自举驱动电路
本技术属于电力电子
，特别涉及一种新型IGBT自举驱动电路。
技术介绍
以IGBT半导体为核心的一系列大功率开关管如IPM、PIM等模块的应用越来越广泛，无论电家、工业甚至军事领域凡涉及到电力变换的应用场合，IGBT器件都扮演着重要的开关角色，其可靠性依赖于驱动电路的可靠性。在IGBT驱动技术方面尽管越来越成熟，但在一些成本要求极为苛刻的应用产品中，为节省开关电源成本、节省PCB面积等，不得不采用单电源的自举驱动电路方式实现多个不共地的IGBT驱动电路供电，存在依据IGBT自身固有的特点，造成米勒电容的充放电现象，输出谐波增多、关断时间长、速度慢等问题。 因此，电力电子
急需一种能够抑制IGBT关断时出现的米勒效应，防止门极误导通，关断时间短、速度快的新型IGBT自举驱动电路。 【专利技术内容】 本技术提供了一种新型IGBT自举驱动电路，技术方案如下: 一种新型IGBT自举驱动电路，包括上桥电路和下桥电路，上桥电路和下桥电路相连接； 上桥电路包括自举驱动电路、第一驱动电路和第一 IGBT模块，并且依次串联连接； 下桥电路包括第二驱动电路和第二 IGBT模块，并且第二驱动电路与第二 IGBT模块串联连接； 第一驱动电路包括第一开关二极管、第二开关二极管、第一稳压管、第一驱动电阻、第二驱动电阻、第一电感、第一滤波电容、第二滤波电容，并且第一驱动电阻与第二开关二极管串联组成第一结构部件，第二驱动电阻与第一电感串联组成第二结构部件，第一结构部件与第二结构件、第一开关二极管、第二滤波电容、第一稳压管分别并联后一端与第一滤波电容串联，另一端与第一 IGBT I吴块串联，第一滤波电容与自举驱动电路串联； 第二驱动电路包括第三开关二极管、第四开关二极管、第二稳压管、第三驱动电阻、第四驱动电阻、第二电感、第三滤波电容、第四滤波电容、第一独立电压直流电源，并且第三滤波电容与第三开关二极管串联组成第三结构部件，第三驱动电阻与第四开关二极管串联组成第四结构部件，第四驱动电阻与第二电感串联组成第五结构部件，第三结构部件与第四结构部件、第五结构部件、第四滤波电容、第二稳压管分别并联后一端与第一独立电压直流电源串联，另一端与第二 IGBT模块串联。 如上所述的一种新型IGBT自举驱动电路，其中，上桥电路还包括第一光耦自举驱动电路，由第一驱动光耦、第五滤波电容、第二独立电压直流电源组成，并且第一驱动光耦的信号输出引脚连接到第一驱动电阻和第二驱动电阻公共端，并且在第一驱动光耦的信号输入脚I和3脚之间并联一个第五滤波电容后再与第二独立电压直流电源串联。 如上所述的一种新型IGBT自举驱动电路，其中，下桥电路还包括第二光耦自举驱动电路，由第二驱动光耦、第六滤波电容、第三独立电压直流电源组成，并且第二驱动光耦的信号输出引脚连接到第三驱动电阻和第四驱动电阻公共端，并且在第二驱动光耦的信号输入脚I和3脚之间并联一个第六滤波电容后再与第三独立电压直流电源串联。 如上所述的一种新型IGBT自举驱动电路，其中，自举驱动电路还包括第四独立电压直流电源、第五驱动电阻、第七滤波电容、第八滤波电容和第五开关二极管，并且第七滤波电容与第五驱动电阻、第五开关二极管串联，第四独立电压直流电源的一端连接在第七滤波电容和第五驱动电阻之间，第五开关二级管的一端连接在第一开关二极管和第一滤波电容之间，第八滤波电容与第一滤波电容并联。 如上所述的一种新型IGBT自举驱动电路，其中，第一、第二、第三、第四独立电压直流电源都为开关电源。 本技术的有益效果: 1、本技术在第一驱动电路和第二驱动电路上设置于第一电感LI和第二电感L2，当光耦输出开通信号时，经过第二电感L2的作用使得开通信号波形上升坡度变小，驱动上升变慢，使得IGBT模块输出波形谐波分量减少。 2、本技术在第一驱动电路和第二驱动电路上设置第一驱动电阻、第二驱动电阻、第二开关二极管和第三驱动电阻、第四驱动电阻、第四开关二极管，当光耦输出关断信号，处于零电位状态，第二开关二极管和第四开关二极管导通，使得第一驱动电阻和第二驱动电阻并联，第三驱动电阻和第四驱动电阻并联，使得回路电阻变小，此时能够减少IGBT模块关断时间，从而减少IGBT关断损耗和发热，有利于提高IGBT使用寿命。 3、本技术在第一驱动电路和第二驱动电路上设置第一开关二极管、第一稳压管和第三开关二极管、第二稳压管，组成双二极管钳位电路，IGBT模块关断时，能够钳位米勒效应造成的栅极高电压，防止门极误导通。 【专利附图】【附图说明】 下面结合附图和【具体实施方式】来详细说明本技术: 图1是本技术一种新型IGBT自举驱动电路的电路图。 【具体实施方式】 为了使本技术技术实现的措施、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本技术。 图1是本技术一种新型IGBT自举驱动电路的电路图。 如图1所示，一种新型IGBT自举驱动电路，包括上桥电路和下桥电路，上桥电路和下桥电路相连接；上桥电路包括自举驱动电路1、第一驱动电路2和第一 IGBT模块3，并且依次串联连接；下桥电路包括第二驱动电路4和第二 IGBT模块5，并且第二驱动电路4与第二 IGBT模块5串联连接；第一驱动电路2包括第一开关二极管D2、第二开关二极管D3、第一稳压管ZDlOl、第一驱动电阻R2、第二驱动电阻R3、第一电感L1、第一滤波电容C4、第二滤波电容C5，并且第一驱动电阻R2与第二开关二极管D3串联组成第一结构部件，第二驱动电阻R3与第一电感LI串联组成第二结构部件，第一结构部件与第二结构件、第一开关二极管D3、第二滤波电容C5、第一稳压管ZDlOl分别并联后一端与第一滤波电容C4串联，另一端与第一 IGBT模块3串联，第一滤波电容C4与自举驱动电路I串联；第二驱动电路4包括第三开关二极管D4、第四开关二极管D5、第二稳压管ZD102、第三驱动电阻R4、第四驱动电阻R5、第二电感L2、第三滤波电容C7、第四滤波电容C8、第一独立电压直流电源P16F1，并且第三滤波电容C7与第三开关二极管D4串联组成第三结构部件，第三驱动电阻R4与第四开关二极管D5串联组成第四结构部件，第四驱动电阻R5与第二电感L2串联组成第五结构部件，第三结构部件与第四结构部件、第五结构部件、第四滤波电容C7、第二稳压管ZD102分别并联本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型IGBT自举驱动电路，其特征在于，包括上桥电路和下桥电路，所述上桥电路和下桥电路相连接；所述上桥电路包括自举驱动电路、第一驱动电路和第一IGBT模块，并且依次串联连接；所述下桥电路包括第二驱动电路和第二IGBT模块，并且所述第二驱动电路与第二IGBT模块串联连接；所述第一驱动电路包括第一开关二极管、第二开关二极管、第一稳压管、第一驱动电阻、第二驱动电阻、第一电感、第一滤波电容、第二滤波电容，并且所述第一驱动电阻与第二开关二极管串联组成第一结构部件，所述第二驱动电阻与第一电感串联组成第二结构部件，所述第一结构部件与第二结构件、第一开关二极管、第二滤波电容、第一稳压管分别并联后一端与第一滤波电容串联，另一端与所述第一IGBT模块串联，所述第一滤波电容与自举驱动电路串联；所述第二驱动电路包括第三开关二极管、第四开关二极管、第二稳压管、第三驱动电阻、第四驱动电阻、第二电感、第三滤波电容、第四滤波电容、第一独立电压直流电源，并且所述第三滤波电容与第三开关二极管串联组成第三结构部件，所述第三驱动电阻与第四开关二极管串联组成第四结构部件，所述第四驱动电阻与第二电感串联组成第五结构部件，所述第三结构部件与第四结构部件、第五结构部件、第四滤波电容、第二稳压管分别并联后一端与第一独立电压直流电源串联，另一端与所述第二IGBT模块串联。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：欧胜，刘国鹰，曾国辉，刘海珊，占兴，王庆振，
申请(专利权)人：上海工程技术大学，
类型：新型
国别省市：上海;31