阵列基板、彩膜基板及其制作方法、显示面板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法、彩膜基板及其制作方法、显示面板、显示装置，用以降低公共电极的电阻，降低残像、闪烁等不良。所述阵列基板包括衬底基板，该衬底基板划分为透光区和非透光区，所述透光区包括位于该衬底基板上的若干阵列排列的像素电极，所述非透光区包括位于该衬底基板上的若干阵列排列的薄膜晶体管、数据线和栅极线，其特征在于，所述阵列基板还包括透明的公共电极，其中至少部分位于所述非透光区的所述公共电极的厚度大于位于所述透光区的所述公共电极的厚度。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、彩膜基板及其制作方法、显示面板、显示装置
本专利技术涉及显示器
，尤其涉及一种阵列基板、彩膜基板及其制作方法、显示面板、显示装置。
技术介绍
随着显示技术的发展，高解析度窄边框的显示面板越来越受到人们的推崇，在现有技术的基础上，随着解析度越做越高，对应像素的尺寸越来越小，由此带来的像素开口率的降低越来越明显。窄边框设计中周边公共电极线宽度设计越来越占比重。现有技术液晶显示器中的公共电极的材料一般选择氧化铟锡(Indium Tin Oxide, ITO)材料,ITO薄膜是一种η型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。它是液晶显示器、等离子显示器、电致发光显示器、触摸屏、太阳能电池以及其它电子仪表的透明电极最常用的薄膜材料。由于采用ITO薄膜作为公共电极时，公共电极的电阻较大，会使液晶面板抗串扰和抗闪烁的性能变差。为了降低公共电极的电阻，现有技术通常采用下面三种方法实现。 方法一:通过将栅极(Gate)金属层作为公共电极层，用来降低公共电极的电阻，但是采用该方法会导致显示面板开口率降低的问题。方法二:在液晶面板的显示区采用第三金属层作为公共电极层，用来降低公共电极的电阻，但是采用该方法会增加一道掩膜板(mask)，导致整个工艺过程增加，同时也增加了制作成本。方法三:在方法一和方法二的基础上，通过在显示面板的显示区10的周边设计公共电极走线11，如图1所示，用来降低公共电极的电阻，但是采用该方法不利于窄边框的设计。 综上所述，现有技术中公共电极的电阻较大，液晶面板抗串扰和抗闪烁的性能较差，公共电极设计限制了高开口率及窄边框的产品的开发。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种阵列基板、彩膜基板及其制作方法、显示面板、显示装置，用以降低公共电极的电阻，降低残像、闪烁等不良。 本专利技术实施例提供的一种阵列基板，包括衬底基板，该衬底基板划分为透光区和非透光区，所述透光区包括位于该衬底基板上的若干阵列排列的像素电极，所述非透光区包括位于该衬底基板上的若干阵列排列的薄膜晶体管、数据线和栅极线，其中，所述阵列基板还包括透明的公共电极，其中至少部分位于所述非透光区的所述公共电极的厚度大于位于所述透光区的所述公共电极的厚度。 由本专利技术实施例提供的阵列基板，由于该阵列基板中的公共电极至少部分位于阵列基板非透光区的厚度大于位于阵列基板透光区的厚度。这种设计相对于现有技术的方法一能够增加开口率，相对于现有技术的方法二能够减少掩膜板数量，相对于现有技术的方法三，能够减少公共电极电阻设计对窄边框的影响。因此，将公共电极在阵列基板的透光区和非透光区的厚度设置为不同，对于整个公共电极层，能够降低公共电极电阻，降低残像、闪烁等不良。 较佳地，至少部分正投影在所述数据线和/或所述栅极线区域的所述公共电极的厚度大于正投影在所述像素电极区域的所述公共电极的厚度。 这样，对于整个公共电极层，能够降低公共电极电阻，降低残像、闪烁等不良。 较佳地，所述公共电极位于所述数据线和栅极线的上方，所述公共电极位于所述像素电极的下方，位于所述数据线和栅极线上方区域的所述公共电极的厚度大于位于所述像素电极下方区域的所述公共电极的厚度。 这样，公共电极位于数据线和栅极线的上方，公共电极位于像素电极的下方，在实际制作过程中更加方便、简单；位于数据线和栅极线上方区域的公共电极的厚度大于位于像素电极下方区域的公共电极的厚度，能够在降低公共电极电阻的同时，不影响像素电极的透过率。 较佳地，位于所述数据线上方的所述公共电极的厚度与位于所述栅极线上方的所述公共电极的厚度相同。 这样，将位于数据线上方的公共电极的厚度设置为与位于栅极线上方的公共电极的厚度相同，在实际制作过程中更加方便、简单。 本专利技术实施例还提供了一种彩膜基板，包括衬底基板，该衬底基板划分为透光区和非透光区，所述透光区包括位于该衬底基板上的彩膜层，所述非透光区包括位于该衬底基板上的黑矩阵，还包括透明的公共电极，其中至少部分位于所述非透光区的所述公共电极的厚度大于位于所述透光区的所述公共电极的厚度。 由本专利技术实施例提供的彩膜基板，由于该彩膜基板中的公共电极至少部分位于彩膜基板非透光区的厚度大于位于彩膜基板透光区的厚度，对于整个公共电极层，能够降低公共电极电阻，降低残像、闪烁等不良。 较佳地，至少部分正投影在所述黑矩阵区域的所述公共电极的厚度大于正投影在所述彩膜层层区域的所述公共电极的厚度。 这样，在实际制作过程中更加方便、简单。 本专利技术实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括上述的阵列基板或彩膜基板。 由于本专利技术实施例提供的显示面板包括上述的阵列基板或彩膜基板，因此该显示面板也能够降低残像、闪烁等不良。 本专利技术实施例还提供了一种显示装置，该装置包括上述的显示面板。 由于本专利技术实施例提供的显示装置包括上述的显示面板，因此该显示装置也能够降低残像、闪烁等不良。 本专利技术实施例还提供了一种上述阵列基板的制作方法，包括薄膜晶体管的制作、像素电极的制作以及数据线和栅极线的制作，还包括公共电极的制作，其中至少部分位于阵列基板非透光区的所述公共电极的厚度大于位于阵列基板透光区的所述公共电极的厚度。 由本专利技术实施例提供的上述阵列基板的制作方法，由于通过该方法制作得到的公共电极至少部分位于阵列基板非透光区的厚度大于位于阵列基板透光区的厚度，因此，对于整个制作得到的公共电极层，能够降低公共电极的电阻，降低残像、闪烁等不良。 较佳地，采用多色调掩膜板制作所述公共电极，具体包括: 在衬底基板上沉积透明导电薄膜； 在所述透明导电薄膜上涂覆光刻胶，通过多色调掩膜板进行曝光、显影，形成光刻胶完全覆盖区、光刻胶部分覆盖区和无光刻胶覆盖区，其中，所述光刻胶完全覆盖区对应阵列基板的非透光区，光刻胶部分覆盖区对应阵列基板的透光区，无光刻胶覆盖区对应像素电极与薄膜晶体管的连接区； 通过刻蚀，去除无光刻胶覆盖区的所述透明导电薄膜，并去除光刻胶部分覆盖区的光刻胶，暴露出所述透明导电薄膜； 通过刻蚀，去除暴露出的部分厚度的所述透明导电薄膜，形成位于阵列基板透光区的公共电极； 去除剩余光刻胶，形成位于阵列基板非透光区的公共电极，位于所述非透光区的公共电极的厚度大于位于所述透光区的公共电极的厚度。 这样，采用多色调的掩膜板制作公共电极，在实际制作过程中更加方便、简单。 本专利技术实施例还提供了一种上述彩膜基板的制作方法，包括彩膜层的制作和黑矩阵的制作，该方法还包括公共电极的制作，其中至少部分位于彩膜基板非透光区的所述公共电极的厚度大于位于彩膜基板透光区的所述公共电极的厚度。 由本专利技术实施例提供的上述彩膜基板的制作方法，由于通过该方法制作得到的公共电极至少部分位于彩膜基板非透光区的所述公共电极的厚度大于位于彩膜基板透光区的所述公共电极的厚度，因此，对于整个制作得到的公共电极层，能够降低公共电极的电阻，降低残像、闪烁等不良。 【附图说明】 图1为现有技术采用方法三降低公共电极的电阻时的结构示意图； 图2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的平面结构示意图； 图3为本专利技术实施例提供的一种阵列基板在制作完公共本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括衬底基板，该衬底基板划分为透光区和非透光区，所述透光区包括位于该衬底基板上的若干阵列排列的像素电极，所述非透光区包括位于该衬底基板上的若干阵列排列的薄膜晶体管、数据线和栅极线，其特征在于，所述阵列基板还包括透明的公共电极，其中至少部分位于所述非透光区的所述公共电极的厚度大于位于所述透光区的所述公共电极的厚度。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括衬底基板，该衬底基板划分为透光区和非透光区，所述透光区包括位于该衬底基板上的若干阵列排列的像素电极，所述非透光区包括位于该衬底基板上的若干阵列排列的薄膜晶体管、数据线和栅极线，其特征在于，所述阵列基板还包括透明的公共电极，其中至少部分位于所述非透光区的所述公共电极的厚度大于位于所述透光区的所述公共电极的厚度。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，至少部分正投影在所述数据线和/或所述栅极线区域的所述公共电极的厚度大于正投影在所述像素电极区域的所述公共电极的厚度。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极位于所述数据线和栅极线的上方，所述公共电极位于所述像素电极的下方，位于所述数据线和栅极线上方区域的所述公共电极的厚度大于位于所述像素电极下方区域的所述公共电极的厚度。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，位于所述数据线上方的所述公共电极的厚度与位于所述栅极线上方的所述公共电极的厚度相同。5.一种彩膜基板，包括衬底基板，该衬底基板划分为透光区和非透光区，所述透光区包括位于该衬底基板上的彩膜层，所述非透光区包括位于该衬底基板上的黑矩阵，其特征在于，还包括透明的公共电极，其中至少部分位于所述非透光区的所述公共电极的厚度大于位于所述透光区的所述公共电极的厚度。6.根据权利要求5所述的彩膜基板，其特征在于，至少部分正投影在所述黑矩阵区域的所述公共电极的厚度大于正投影在所述彩膜层层区域的所述公共电极的厚度。7.—种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘冬妮，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11