【技术实现步骤摘要】
一种全硅结构的微机电系统真空传感器
[0001 ] 本技术涉及一种全硅结构的微机电系统真空传感器。
技术介绍
目前的真空传感器的电极片采用普通的电极片，它不但耐热性能比较差，无法满足真空灭弧室产生的900°C的高温，，而且无法产生气体阻尼，从而真空度的测量范围比较小。
技术实现思路
本技术提供了一种全硅结构的微机电系统真空传感器，它不但可以使真空度的测控I昂范围大，而且可以耐高温，不放气，避免出现破坏真空度的现象。 本技术采用了以下技术方案:一种全硅结构的微机电系统真空传感器，它设有真空传感器的主体，所述的真空传感器的主体设有载体，在载体的中心设有通孔，在载体一侧的外侧设有芯片架I，在载体另一侧的外侧设有芯片架II，芯片架I与芯片架II对称设置，在载体一侧的内侧设有电极片I，在载体II另一侧的内侧设有电极片II，电极片I与电极片II对称设置在通孔的两侧与通孔相邻，在芯片架I与芯片架II之间横向设有电极片III，电极片III覆盖在电极片1、通孔和电极片II的上部，电极片III与电极片1、通孔和电极片II相对，在电极片III与电极片1、通孔和电极片II之间设有真空层，在电极片III的上部设有感应片，在感应片的中心设有弹性元件。 所述的电极片I为多晶硅。所述的电极片II为多晶硅。所述的电极片III为多晶硅。所述的弹性元件为上窄下宽的梯形，弹性元件为弹片。 本技术具有以下有益效果:采用了以上技术方案，本技术在电极片III与电极片和电极片II之间设有真空层，这样在电极片III与电极片I以及电极片III与电极片II设有气隙，气隙形...
【技术保护点】
一种全硅结构的微机电系统真空传感器，其特征是它设有真空传感器的主体，所述的真空传感器的主体设有载体(1)，在载体(1)的中心设有通孔(2)，在载体(1)一侧的外侧设有芯片架Ⅰ(3)，在载体(1)另一侧的外侧设有芯片架Ⅱ(4)，芯片架Ⅰ(3)与芯片架Ⅱ(4)对称设置，在载体(1)一侧的内侧设有电极片Ⅰ(5)，在载体Ⅱ(2)另一侧的内侧设有电极片Ⅱ(6)，电极片Ⅰ(5)与电极片Ⅱ(6)对称设置在通孔(2)的两侧与通孔(2)相邻，在芯片架Ⅰ(3)与芯片架Ⅱ(4)之间横向设有电极片Ⅲ(7)，电极片Ⅲ(7)覆盖在电极片Ⅰ(5)、通孔(2)和电极片Ⅱ(6)的上部，电极片Ⅲ(7)与电极片Ⅰ(5)、通孔(2)和电极片Ⅱ(6)相对，在电极片Ⅲ(7)与电极片Ⅰ(5)、通孔(2)和电极片Ⅱ(6)之间设有真空层(8)，在电极片Ⅲ(7)的上部设有感应片(9)，在感应片(9)的中心设有弹性元件(10)。
【技术特征摘要】
1.一种全硅结构的微机电系统真空传感器，其特征是它设有真空传感器的主体，所述的真空传感器的主体设有载体(1)，在载体(I)的中心设有通孔(2)，在载体(I) 一侧的外侧设有芯片架I (3)，在载体(I)另一侧的外侧设有芯片架II (4)，芯片架I (3)与芯片架II⑷对称设置，在载体⑴一侧的内侧设有电极片I (5)，在载体II⑵另一侧的内侧设有电极片II (6)，电极片I (5)与电极片II (6)对称设置在通孔(2)的两侧与通孔(2)相邻，在芯片架I (3)与芯片架II (4)之间横向设有电极片III (7)，电极片III (7)覆盖在电极片I (5)、通孔⑵和电极片II (6)的上部，电极片III (7)与电极片I (...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴永正，陈厚源，顾宇锋，钱雨，孟宪忠，刘波，
申请(专利权)人：国家电网公司，江苏南瑞泰事达电气有限公司，江苏省电力公司，江苏省电力公司泰州供电公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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