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本实用新型涉及一种全硅结构的微机电系统真空传感器，载体（1）的中心设有通孔（2），载体（1）一侧的外侧设有芯片架Ⅰ（3），载体（1）另一侧的外侧设有芯片架Ⅱ（4），载体（1）一侧的内侧设有电极片Ⅰ（5），载体Ⅱ（2）另一侧的内侧设有电极片Ⅱ...该专利属于国家电网公司;江苏南瑞泰事达电气有限公司;江苏省电力公司;江苏省电力公司泰州供电公司所有，仅供学习研究参考，未经过国家电网公司;江苏南瑞泰事达电气有限公司;江苏省电力公司;江苏省电力公司泰州供电公司授权不得商用。