用于停车场门禁的新型超高频RFID标签制造技术

本发明专利技术公开了一种用于停车场门禁的新型超高频RFID标签，包括稳压电路、上电复位电路、偏置电路、微处理器、EEPROM存储器和检波电路，所述检波电路包括电容C1、C2、C3、二极管D1、D2、封装电路的等效串联电阻Rs、负载电阻RL、电感L和偏置电阻，所述等效串联电阻RS一端、所述电容C1一端、所述电容C3一端和所述二级管正极连接后接地，所述电感L一端和所述等效串联电阻Rs一端连接，另一端和所述电容C1一端和所述电容C2一端分别连接，所述二极管D2正极与所述二极管D1负极和所述电容C2一端分别连接。本发明专利技术成本较低，易于开发，具有识别距离远、通信速度快、尺寸较小等特点，可广泛应用于集装箱跟踪、物流管理等活动。

【技术实现步骤摘要】
用于停车场门禁的新型超高频RF I D标签
本专利技术涉及一种RFID标签，尤其涉及一种用于停车场门禁的新型超高频RFID标签。
技术介绍
RFID (Rad1 Frequency Identificat1n,射频识别)技术是一种非接触式的自动识别技术，它通过射频信号自动识别目标对象并获取相关数据，识别工作无须人工干预，因此广泛应用于工业生产自动化、供应链管理、物流货物跟踪、交通运输管理等领域。 当前国内对RFID标签的研究都集中在频率为125KHz、134KHz的低频和13.56MHz的高频频段，在860?960MHz的超高频段和2.45GHz以上的微波频段研究相对较少。而后者由于具有操作距离远、通信速度快、尺寸小等优点，未来的应用将更广泛。
技术实现思路
本专利技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种用于停车场门禁的新型超高频RFID标签。 为了达到上述目的，本专利技术采用了以下技术方案: 一种用于停车场门禁的新型超高频RFID标签，包括稳压电路、上电复位电路、偏置电路、微处理器、EEPROM存储器和检波电路，所述检波电路包括电容Cl、C2、C3、二极管DU D2、封装电路的等效串联电阻Rs、负载电阻RL、电感L和偏置电阻，所述等效串联电阻RS 一端、所述电容Cl 一端、所述电容C3 —端和所述二级管正极连接后接地，所述电感L 一端和所述等效串联电阻Rs —端连接，另一端和所述电容Cl 一端和所述电容C2 —端分别连接，所述二极管D2正极与所述二极管Dl负极和所述电容C2 —端分别连接，所述二极管D2负极与所述电容C3 —端、所述负载电阻RL —端和所述偏置电阻一端分别连接。 具体地，所述微处理器通过I/O端口与所述上电复位电路、所述偏置电路、所述稳压电路和所述检波电路分别连接，所述微处理器的数据端口和所述EEPROM存储器的数据端口连接。 进一步地，所述微处理器是型号为P89C51X2的单片机，所述单片机核心处理单元为80C51，带有64K字节的ROM。 本专利技术的有益效果在于: 本专利技术一种用于停车场门禁的新型超高频RFID标签相对于一般的电子标签，具有，成本较低，易于开发，具有识别距离远、通信速度快、尺寸较小等特点。 【附图说明】 图1是本专利技术标签系统结构框图； 图2是本专利技术检波电路示意图。 图中:1_微处理器，2-上电复位电路，3-偏置电路，4-稳压电路，5-EEPR0M存储器，6-检波电路。 【具体实施方式】 下面结合附图对本专利技术作进一步说明: 如图1和图2所示，一种用于停车场门禁的新型超高频RFID标签，包括稳压电路4、上电复位电路2、偏置电路3、微处理器1、EEPROM存储器5和检波电路6，检波电路6包括电容C1、C2、C3、二极管D1、D2、封装电路的等效串联电阻Rs、负载电阻RL、电感L和偏置电阻，等效串联电阻RS—端、电容Cl 一端、电容C3 —端和二级管正极连接后接地，电感L 一端和等效串联电阻Rs —端连接，另一端和电容Cl 一端和电容C2 —端分别连接，二极管D2正极与二极管Dl负极和电容C2 —端分别连接，二极管D2负极与电容C3 —端、负载电阻RL一端和偏置电阻一端分别连接。 微处理器I通过I/O端口与上电复位电路2、偏置电路3、稳压电路4和检波电路6分别连接，微处理器I的数据端口和EEPROM存储器5的数据端口连接。 微处理器I是型号为P89C51X2的单片机，单片机核心处理单元为80C51，带有64K字节的ROM。 使用本专利技术用于停车场门禁的新型超高频RFID标签的工作原理如下: 微处理器I采用型号为P89C51X2的单片机，完成系统的信号处理及通信控制功能。P89C51X2单片机核心处理单元为80C51，带有64K字节的R0M，可供写入引导程序以及厂商信息使用；64K字节的RAM，可用做缓冲器，提高处理速度；4K字节的FLASH EEPROM内部程序存储器，可用来存储代码和数据，支持每字节最少10000次擦除或编程周期；提供内部振荡器，为基带数字信号处理单元提供可靠的时钟信号；内含计数器，可供防冲突处理部分计数使用；FLASH存储器中内含3个可编程保密位，可为片内的代码和数据提供不同级别的保护；支持掉电模式，可进一步降低功耗。 ①当超高频RFID标签进入阅读器的射频场后，芯片上电复位； ②单片机完成初始化； ③启动二进制树防冲突单元，读取“Select”标志位，如果等待一定时间后未被选中，则返回①状态，继续等待，如果收到“选中”指令，则继续下一步； ④接收检波电路6送来的数字基带信号； ⑤启动CRC纠错电路； ⑥对基带信号进行Manchester解码； ⑦对信号中的指令进行识别，如果发现满足指令执行的条件，就执行阅读器指定的操作，并根据通信协议，决定是否返回应答信号，反之，则向阅读器发出出错信息，并将工作状态返回至初始状态； ⑧对应答信号进行FMO编码； ⑨控制射频端的ASK调制和发射； ⑩保持一定时间的静默后，进入下电复位状态。本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于停车场门禁的新型超高频RFID标签，包括稳压电路、上电复位电路和偏置电路，其特征在于：还包括微处理器、EEPROM存储器和检波电路，所述检波电路包括电容C1、C2、C3、二极管D1、D2、封装电路的等效串联电阻Rs、负载电阻RL、电感L和偏置电阻，所述等效串联电阻RS一端、所述电容C1一端、所述电容C3一端和所述二级管正极连接后接地，所述电感L一端和所述等效串联电阻Rs一端连接，另一端和所述电容C1一端和所述电容C2一端分别连接，所述二极管D2正极与所述二极管D1负极和所述电容C2一端分别连接，所述二极管D2负极与所述电容C3一端、所述负载电阻RL一端和所述偏置电阻一端分别连接。

【技术特征摘要】
1.用于停车场门禁的新型超高频RFID标签，包括稳压电路、上电复位电路和偏置电路，其特征在于:还包括微处理器、EEPROM存储器和检波电路，所述检波电路包括电容Cl、C2、C3、二极管Dl、D2、封装电路的等效串联电阻Rs、负载电阻RL、电感L和偏置电阻，所述等效串联电阻RS —端、所述电容Cl 一端、所述电容C3 —端和所述二级管正极连接后接地，所述电感L 一端和所述等效串联电阻Rs —端连接，另一端和所述电容Cl 一端和所述电容C2 一端分别连接，所述二极管D2正极与所述二极管Dl负极和所述电容C2 —端...

【专利技术属性】
技术研发人员：许世昌，
申请(专利权)人：成都缤果科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51