【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池工艺
,特别涉及一种太阳能电池去除扩散死层的方法。
技术介绍
目前,晶体硅太阳能电池的发展方向依然是降低成本和提高效率。为了达到这两个目标,研究人员设计了很多种太阳电池结构,如绒面电池,浅结紫电池,背场(BSF)电池,MINP硅电池,激光刻槽埋栅电池,PERL电池等等。这些结构虽然能够有效的提升太阳能电池的效率,但是繁琐的工艺步骤增加了制作成本,降低了生产产能。传统太阳能电池扩散制结会在衬底表面形成一层厚度为10nm的死层,高密度的缺陷和位错存在于这一层死层之中增加载流子的复合,使用湿法处理去除扩散死层能够去除衬底表面的损伤层和符合中心,提升太阳能电池的短路电流和开路电压,从而使电池的转化效率增加。
技术实现思路
为了解决当前太阳能电池所面临的核心问题,本专利技术在传统太阳能电池的工艺基础上,使用湿法处理去除扩散死层,以提升太阳能电池的转化效率。 本专利技术提出传统太阳能电池的工艺基础上,使用湿法处理去除扩散死层包括:对晶体硅衬底材料进行清洗;对所述清洗后的晶体硅衬底材料进行扩散,制备PN结;对所述清洗后的晶体硅衬底材料周边进行等离子刻蚀;对所述刻蚀后的晶体硅衬底材料进行去除表面磷硅玻璃层处理;对所述去除表面磷硅玻璃层处理后的晶体硅衬底材料进行去死层处理。 所述晶体硅衬底材料的清洗是将晶体硅衬底材料浸入到氢酸性混合溶液中,去除所述衬底材料表面的损伤层。 所述对清洗后的晶体硅衬底材料进行扩散,制备PN结是在高温下将所述 晶体硅衬底材料放在扩散炉的石英管内,通入一定 ...
【技术保护点】
如权利要求1所述的将多晶硅衬底材料置于比例为1∶3∶5的氢氟酸、盐酸、DI水混合溶液中。
【技术特征摘要】
1.如权利要求1所述的将多晶硅衬底材料置于比例为1∶3∶5的氢氟酸、盐酸、DI水混合溶液中。
2.如权利要求2所述的将清洗过的衬底材料置于石英器件内。
3.如权利要求3所述的将形成PN结的衬底材...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘汉清,
申请(专利权)人:北京中科信电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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