【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术是一种晶体硅太阳电池制造工艺，该扩散工艺主要是指在原有工艺的基础上增加激活一步，减少非活性磷的数量，进而提高开路电压、短路电流，减小漏电流等，提高了晶体硅太阳能电池的光电转换效率。该新的扩散工艺编辑简单，在原先工艺的基础上修改一下即可，便于操作，使用于产业化生产，不影响生产进度，可以在大规模的太阳能电池生产线中应用。【专利说明】-种应用于硅太阳能电池的扩散工艺
本专利技术是一种晶体硅太阳能电池制造工艺，可以用来改善太阳能电池制造过程中 的扩散工艺，将部分非活性磷转变为活性磷，减少硅中杂质含量，从而提高电池片的光电转 换效率。
技术介绍
晶体硅太阳能电池常规工艺流程主要由清洗、制绒、扩散制结、刻蚀、去磷硅玻璃、 PECVD镀膜、丝网印刷和烧结等组成。其中，扩散作为整个工艺流程的核心部分，主要起到在 硅材料内部制出PN结以实现光生伏特效应的作用。 通常情况下扩散工艺主要是采用两步扩散，第一步：预扩散或预淀积，采用恒定表 面源扩散方式，且温度低、时间短、因而扩散的很浅，可以认为杂质淀积在一薄层内，目的是 为了控制杂质总量；第二步：主扩散或再分布，是将由预扩散引入的杂质作为扩散源，在高 温下进行扩散。目的是为了控制表面浓度和扩散结深。 杂质元素只有在成为晶格的一部分，才有助于形成半导体硅。通三氯氧磷扩散时， 一部分磷成为晶格中的自由电子参与导电，此时磷是活性的，对于硅来说是η型杂质。如 果磷原子占据间隙位置，是非活性的，不但不能作为施主杂质提供电子，反而会因为晶格失 配、位错，成为复合中心，少子寿命降低，最...
【技术保护点】
一种高效太阳能电池的扩散工艺，其特征在于：扩散后增加激活一步，有利于将非活性磷转变为有用的活性磷，减少了杂质数量。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张春萍，
申请(专利权)人：北京中科信电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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