定向耦合器制造技术

本发明专利技术提供一种具有优异的方向性的定向耦合器。定向耦合器包括：层叠体，该层叠体通过将多个绝缘体层进行层叠而构成；第1端子至第4端子，该第1端子至第4端子设置在层叠体的表面上；主线路，该主线路连接于第1端子与第2端子之间，并设置在绝缘体层上；第1副线路，该第1副线路与第3端子相连接，且与主线路进行电磁耦合，而且该第1副线路设置在绝缘体层上；第2副线路，该第2副线路与第4端子相连接，且与主线路进行电磁耦合，而且该第2副线路设置在绝缘体层上；以及相位调节电路，该相位调节电路连接于第1副线路与第2副线路之间，并相对于通过信号产生相位偏移，从层叠方向俯视时，主线路与第1副线路及第2副线路不重合。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种具有优异的方向性的定向耦合器。定向耦合器包括：层叠体，该层叠体通过将多个绝缘体层进行层叠而构成；第1端子至第4端子，该第1端子至第4端子设置在层叠体的表面上；主线路，该主线路连接于第1端子与第2端子之间，并设置在绝缘体层上；第1副线路，该第1副线路与第3端子相连接，且与主线路进行电磁耦合，而且该第1副线路设置在绝缘体层上；第2副线路，该第2副线路与第4端子相连接，且与主线路进行电磁耦合，而且该第2副线路设置在绝缘体层上；以及相位调节电路，该相位调节电路连接于第1副线路与第2副线路之间，并相对于通过信号产生相位偏移，从层叠方向俯视时，主线路与第1副线路及第2副线路不重合。【专利说明】定向耦合器
本专利技术涉及定向耦合器，尤其涉及在利用高频信号进行通信的无线通信设备等中使用的定向耦合器。
技术介绍
作为现有的定向I禹合器,例如，已知有专利文献I记载的定向I禹合器。在该定向率禹合器中，主线路与副线路隔着绝缘体层相对。由此，主线路与副线路进行磁耦合，并且进行电容耦合。 然而，在专利文献I记载的定向耦合器中，如以下说明的那样，存在方向性较差这样的问题。对磁耦合时及电容耦合时的信号流动进行说明。图16至图18是表示定向耦合器中的信号流动的图。 在磁耦合时会产生偶模式，在电容耦合时会产生奇模式。在偶模式中，如图16所示，通过磁稱合所引起的电磁感应，信号Sigl在主线路中流动,朝与信号Sigl相反方向前进的信号Sig2在副线路中前进。另一方面，在奇模式中，如图17所示，通过电容耦合所引起的电场，朝与信号Sigl相反方向前进的信号Sig3、以及与信号Sigl相同方向前进的信号Sig4在副线路中前进。如上所述，主线路与副线路进行磁耦合，并且还进行电容耦合。因此，在副线路中，如图18所示，信号Sig2的一部分与信号Sig4相互抵消。其结果是，在副线路中，因信号Sig2的一部分与信号Sig4相互抵消而产生的信号Sig5会朝着与信号Sigl相反方向前进。在定向耦合器中，需要使信号不对副线路的信号Sig4所面对的端子输出，而是使信号对信号Sig3、Sig5所面对的端子输出。由此，在定向耦合器的副线路中，将信号仅向单侧的端子输出的特性称为方向性，通过调节磁耦合和电容耦合的耦合度，能调节该方向性。 然而，在专利文献I记载的定向耦合器中，主线路与副线路彼此以面相对，因此，电容耦合较强。因此，在定向耦合器中，奇模式表现得比偶模要强。在奇模式中，信号Sig3和Sig4朝相反方向前进，因此，若奇模式表现得比偶模式要强，则难以获得所希望的方向性。如上所述，专利文献I记载的定向耦合器具有方向性较差这样的问题。现有技术文献专利文献 专利文献1:日本专利特开2013-5076号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题 因此，本专利技术的目的在于提供一种具有优异的方向性的定向耦合器。解决技术问题所采用的技术方案 本专利技术的一个实施方式所涉及的定向耦合器是在规定的频带下使用的定向耦合器，其特征在于，包括:层叠体，该层叠体通过将多个绝缘体层进行层叠而构成；第I端子至第4端子，该第I端子至第4端子设置在所述层叠体的表面上；主线路，该主线路连接于所述第I端子与所述第2端子之间，并设置在所述绝缘体层上；第I副线路，该第I副线路与所述第3端子相连接，且与所述主线路进行电磁耦合，而且该第I副线路设置在所述绝缘体层上；第2副线路，该第2副线路与所述第4端子相连接，且与所述主线路进行电磁耦合，而且该第2副线路设置在所述绝缘体层上；以及相位调节电路，该相位调节电路连接于所述第I副线路与所述第2副线路之间，并相对于通过信号产生相位偏移，从层叠方向俯视时，所述主线路与所述第I副线路及所述第2副线路不重合。专利技术的效果 根据本专利技术，能提高定向耦合器中的方向性。 【专利附图】【附图说明】 图1是实施方式I至实施方式4所涉及的定向耦合器的等效电路图。图2是实施方式I至实施方式4所涉及的定向耦合器的外观立体图。图3A是实施方式I所涉及的定向耦合器的层叠体的分解立体图。图3B是将线路部重置表不的图。图4是变形例所涉及的定向耦合器的层叠体的分解立体图。图5是表示样品I的通过特性的曲线图。图6是表示样品I的耦合特性及隔离特性的曲线图。图7是表示样品2的通过特性的曲线图。图8是表示样品2的耦合特性及隔离特性的曲线图。图9是表示模型I的模拟结果的曲线图。图10是表示模型2的模拟结果的曲线图。图11是表示模型3的模拟结果的曲线图。图12是表示模型4的模拟结果的曲线图。图13是表示模型5的模拟结果的曲线图。图14是实施方式2所涉及的定向耦合器的层叠体的分解立体图。图15是变形例所涉及的定向耦合器的层叠体的分解立体图。图16是表示定向耦合器中的信号流动的图。图17是表示定向耦合器中的信号流动的图。图18是表示定向耦合器中的信号流动的图。 【具体实施方式】 以下，对本专利技术的实施方式所涉及的定向耦合器进行说明。 (实施方式I)以下，参照附图对实施方式I所涉及的定向耦合器进行说明。图1是实施方式I至实施方式4所涉及的定向耦合器1a?1d的等效电路图。 对定向耦合器1a的电路结构进行说明。定向耦合器1a在规定的频带下进行使用。例如，在具有824MHz?915MHz (GSM800/900)的频带的信号以及具有1710MHz?1910MHz (GSM1800/1900)的频带的信号输入到定向耦合器1a中的情况下，所谓规定的频带，是指 824MHz ?1910MHz。 定向耦合器1a作为电路结构包括外部电极(端子)14a?14h、主线路M、副线路S1、S2、以及低通滤波器LPF。主线路M连接于外部电极14a和14b之间。副线路SI与外部电极14c相连接，并且与主线路M进行电磁耦合。副线路S2与外部电极14d相连接，并且与主线路M进行电磁耦合。副线路SI的线路长度与副线路S2的线路长度相同。 此外，低通滤波器LPF连接于副线路SI和副线路S2之间，是一种相位调节电路，在规定频带下，相对于通过信号产生具有随着频率的增高而在O度以上180度以下的范围内单调增加的绝对值的相位偏移。低通滤波器LPF的截止频率不在规定的频带内。在本实施方式中，低通滤波器LPF的截止频率例如从规定频率偏离IGHz以上。低通滤波器LPF包含线圈L1、L2及电容器Cl?C3。 线圈L1、L2串联连接于副线路SI和S2之间，未与主线路M进行电磁耦合。线圈LI与副线路SI相连接，线圈L2与副线路S2相连接。 电容器Cl与线圈LI的一端相连接。具体而言，电容器Cl连接在线圈LI和副线路SI的连接部、与外部电极14e?14h之间。电容器C2与线圈L2的一端相连接。具体而言，电容器C2连接在线圈L2和副线路S2之间的连接部、与外部电极14e?14h之间。电容器C3连接在线圈LI和线圈L2之间的节点、与外部电极14e?14h之间。 在以上的定向耦合器1a中，外部电极14a用作输入端口，外部电极14b用作输出端口。此外，外部电极14c用作耦合端口，外部电极14d用作在50Ω进行终端化的终端端口。此外，外部电极He?14h用作接地的接地端口。而且，若信号输入到外部电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种定向耦合器，该定向耦合器在规定的频带下进行使用，其特征在于，包括：层叠体，该层叠体通过将多个绝缘体层进行层叠而构成；第1端子至第4端子，该第1端子至第4端子设置在所述层叠体的表面上；主线路，该主线路连接于所述第1端子与所述第2端子之间，并设置在所述绝缘体层上；第1副线路，该第1副线路与所述第3端子相连接，且与所述主线路进行电磁耦合，而且该第1副线路设置在所述绝缘体层上；第2副线路，该第2副线路与所述第4端子相连接，且与所述主线路进行电磁耦合，而且该第2副线路设置在所述绝缘体层上；以及相位调节电路，该相位调节电路连接于所述第1副线路与所述第2副线路之间，并相对于通过信号产生相位偏移，从层叠方向俯视时，所述主线路与所述第1副线路及所述第2副线路不重合。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：田中阳，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP