一种金属化薄膜电容器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种金属化薄膜电容器，在薄膜的一面或两面上设有金属蒸镀层，在所述金属蒸镀层上设有一层有机化合物层，所述有机化合物层的厚度范围为1～1000埃，所述有机化合物层的厚度为5～500埃，所述有机化合物层为交联有机高分子层，所述交联有机高分子层为交联硅树脂。在金属化薄膜电容器中的薄膜的一面或两面上设有金属蒸镀层，并在金属蒸镀层上设有一层有机化合物层，这样制成的电容器，静电容量较小，自身修复性能也大幅度提高，耐湿性增加，是一种极小型又具有高信赖性的电容器。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电容器，具体的涉及一种金属化薄膜电容器。
技术介绍
由于薄膜电容器电位频率的上升，使得薄膜电容器的体积向小型化方向发展。为了提高电位频率，保证安全机制，通常采用高性能薄膜电阻器，将薄膜厚度打薄。但是，高性能薄膜电阻化（5～20Ω/□）引起耐湿性能低下、很难使用要求在高信赖性、长寿命的组装机器中。在现有技术中，提出在锌蒸镀层上设铝蒸镀层的方案以改善耐湿性，但这仅仅是和锌蒸镀层相比有所改善，并没有彻底的改善耐湿性。还有的方案提出，在锌或者铝蒸镀金属上蒸镀无机非金属硅或者无机酸性氧化物二氧化硅以改善耐湿性，使用这个方案制造出的金属蒸镀薄膜的耐湿性能确实得以提高，却出现不均衡现象，而且自身修复性能也低下。而目前采取的方法是在真空蒸汽内将硅油蒸镀在金属蒸镀层上，这个方法确实提高了耐湿性，但是对照近年的严格要求性能还不充分，而且会出现扁平形电容器的冲压成形性能或者叠层电容器中金属蒸镀薄膜层之间的不紧贴现象。近几年的提案是在薄膜上设有机高分子以后再蒸镀铝，但是通过这种方法改善耐湿性能的效果无法达到目标水准，而且可能由于表面极化会出现ｔａｎδ上升的缺点。目前还没开发出符合要求的薄膜电容器。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种金属化薄膜电容器，可以更好的改善耐湿性，是一种符合要求的薄膜电容器。本技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种金属化薄膜电容器，在薄膜的一面或两面上设有金属蒸镀层，在所述金属蒸镀层上设有一层有机化合物层，所述有机化合物层为具有官能硅氧烷键的有机化合物层。本技术的有益效果是：在金属化薄膜电容器中的薄膜的一面或两面上设有金属蒸镀层，并在金属蒸镀层上设有一层有机化合物层，这样制成的电容器，静电容量较小，自身修复性能也大幅度提高，耐湿性增加，是一种极小型又具有高信赖性的电容器。在上述技术方案的基础上，本技术还可以做如下改进。进一步，所述有机化合物层的厚度范围为1～1000埃。进一步，所述有机化合物层的厚度为5～500埃。采用上述进一步方案的有益效果是：有机化合物层的厚度超过1000埃就会发生表面极化，为了避免ｔａｎδ上升，5埃到500埃之间是最好的。进一步，所述有机化合物层为交联有机高分子层。进一步，所述交联有机高分子层为交联硅树脂。采用上述进一步方案的有益效果是：构成有机化合物层的物质只要是有机的化合物就可以，没有特别限制，交联有机高分子层更好，其中交联硅树脂最好。附图说明图1为本技术一种金属化薄膜电容器的结构示意图；图2为本技术一种金属化薄膜电容器的静电容量的变化曲线；图3为本技术一种金属化薄膜电容器的诱电正接的变化曲线；图4为本技术一种金属化薄膜电容器的绝缘阻抗的变化曲线。附图中，各标号所代表的部件列表如下：1、薄膜，2、金属蒸镀层，3、余边油，4、有机化合物层。具体实施方式以下结合附图对本技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本技术，并非用于限定本技术的范围。如图1所示，为一种金属化薄膜电容器展开的结构示意图，在薄膜1的一面上设有金属蒸镀层2，金属蒸镀层2并不是全部覆盖薄膜1，而是在薄膜1的一端边缘留有余边，并在余边上设有余边油3，便于金属化薄膜电容器最后的封装，在所述金属蒸镀层2和余边油3上设有一层厚度为1埃～1000埃的有机化合物层4，由于有机化合物层4的厚度超过1000埃就会发生表面极化，为了避免ｔａｎδ上升，优选方案是，有机化合物层4的厚度为5埃～500埃。构成有机化合物层4为具有官能硅氧烷键的有机化合物层，包括二官能硅氧烷键、三官能硅氧烷键和四官能硅氧烷键的有机化合物，其中，二官能硅氧烷键、三官能硅氧烷键和四官能硅氧烷键的分子式分别如下所示：但优选方案是，有机化合物层4为交联有机高分子层，也称离子键有机高分子聚合物，其中交联硅胶树脂最好，即离子键硅胶树脂最好。将上述金属化的薄膜卷绕起来构成本技术一种金属化薄膜电容器，将本技术一种金属化薄膜电容器放置于85℃、85%RH的高温、湿度环境下，插入450VDC电压，1000小时后确认电气特性，图2、图3、图4是在得到的评价结果，本技术一种金属化薄膜电容器是使用3.0μｍ（有安全机制：薄膜电阻6Ω／□）的聚乙烯薄膜，450ＶＤＣ规格的1.0μＦ电容器，其中，图2为本技术一种金属化薄膜电容器的静电容量的变化情况，图3为本技术一种金属化薄膜电容器的诱电正接的变化情况，图4为本技术一种金属化薄膜电容器的绝缘阻抗的变化情况，在图2、图3、图4中，由小圆圈组成的曲线表示的是现有技术中的薄膜电容器相对应特性的变化率，有小三角形组成的曲线表示本技术一种金属化薄膜电容器相对应特性的变化率；由此可以看出，本技术一种金属化薄膜电容器的电位梯度即使变高为100Ｖ／μｍ～300Ｖ/μｍ，其耐湿性能、自身修复性也不会低下，而成为及小型又具有高信赖性的电容器。近几年，聚丙烯薄膜从3.0μm变薄为2.5μm，将来更可能开发出2.0μｍ的厚度，以上技术对以后薄膜电容器的小型化十分有效。在本具体实施例中，还可以在薄膜1的双面上均分别设有金属蒸镀层2，并在双面的蒸镀层2上均分别设有有机化合物层4，其他条件与上述所述具体实施例相同，也可以构成符合要求的薄膜电容器。以上所述仅为本技术的较佳实施例，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属化薄膜电容器，其特征在于：在薄膜的一面或两面上设有金属蒸镀层，在所述金属蒸镀层上设有一层有机化合物层，所述有机化合物层为具有官能硅氧烷键的有机化合物层，所述有机化合物层为交联有机高分子层，所述交联有机高分子层为交联硅树脂。

【技术特征摘要】
1.一种金属化薄膜电容器，其特征在于：在薄膜的一面或两面上设有金属蒸镀层，在所述金属蒸镀层上设有一层有机化合物层，所述有机化合物层为具有官能硅氧烷键的有机化合物层，所述有机化合物层为交联有机高分子层，所述交联有机高分子层为交联硅树脂。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈重生，
申请(专利权)人：扬州日精电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32