本发明专利技术涉及一种液晶材料，包括：含链烯基的液晶分子；酚系抗氧化剂；和用于回收酚系抗氧化剂的光稳定剂。
【技术实现步骤摘要】
液晶材料及包括该液晶材料的液晶显示装置
本专利技术涉及液晶显示0XD)装置，更具体地说，涉及一种具有改进的可靠性和响 应时间的液晶材料及包括该液晶材料的液晶显示装置。
技术介绍
随着全社会坚定地进入信息时代，需要诸如IXD装置和有机发光二极管（0LED)显 示装置的各种显示设备来显示图像。 LCD装置使用液晶分子的光学各向异性和偏振特性。液晶分子由于它们细而长的 形状因此具有明确的取向方向。液晶分子的取向方向可以通过对液晶分子施加电场来控 制。当电场强度或方向改变时，液晶分子的取向也改变。由于入射光是根据液晶分子由于 液晶分子的光学各向异性的取向而折射，因此可以通过控制光的透过率来显示图像。 由于LCD装置包括薄膜晶体管（TFT)作为开关元件，它被称为有源矩阵 IXD(AM-IXD)装置，该装置具有高分辨率和显示运动图像的优异特性，因此AM-IXD装置已 被广泛使用。 IXD装置包括两个彼此相对的基板以及在它们之间的液晶层。IXD装置还包括用 于产生电场的像素电极和公共电极。由电场驱动液晶层。 例如，IXD装置用于在公共场所重复显示类似的图像。它可以被称为公共显示器。 由于公共显示器在非常长的时间内反复显示类似图像，LCD装置的可靠性是一个重要的现 实。 也就是说，在公共显示器上，已显示的图像停留在屏幕上成为残影，公共显示器的 图像质量由于残影而变差。结果是，需要高可靠性的LCD装置作为公共显示器。 然而，具有高可靠性的公共显示器的LCD装置在响应时间方面存在缺点。具有高 响应时间的公共显示器的LCD装置在可靠性方面存在缺点。
技术实现思路
本专利技术涉及一种液晶材料和LCD装置，其基本上避免了由于现有技术的局限和缺 点导致的一个或多个问题。 本专利技术的一个目的是提供一种在可靠性和响应时间两个方面具有优点的液晶材 料。 本专利技术的另一个目的是提供一种包括该液晶材料的IXD装置。 本专利技术的其他优点和特征将部分在随后的说明中呈现，而部分可以由本领域技术 人员从说明书中明显看出，或者在实践时知晓。本专利技术的目的和其他优点将通过说明书和 权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。 为了实现这些以及其他优点，并且根据本专利技术的目的，如本文具体和概括地描述 的，提供一种液晶材料，包括：含链烯基的液晶分子；酚系抗氧化剂；和用于回收酚系抗氧 化剂的光稳定剂。 在本专利技术的另一个方面，本专利技术提供一种IXD装置，包括：彼此面对的第一基板和 第二基板；在第一基板上的像素电极；在第一基板和第二基板之一上的公共电极；分别在 第一基板和第二基板上的第一取向层和第二取向层；以及位于第一取向层和第二取向层之 间的液晶层，所述液晶层包括：含链烯基的液晶分子；酚系抗氧化剂；和用于回收酚系抗氧 化剂的光稳定剂。 应理解的是，上述概括描述以及以下对本专利技术的详细描述均是示例及解释性的， 其仅用于提供对所主张的专利技术的解释。 【附图说明】 附图提供对本专利技术的进一步理解并且并入说明书而组成说明书的一部分。所述附 图示出本专利技术的实施方式，并且与说明书文字一起用于解释本专利技术的原理。 在附图中： 图1A和1B是示出液晶材料在可靠性和响应时间之间的关系图。 图2是IXD装置的剖面示意图。 图3示出酚系抗氧化剂和自由基的反应机理图。 图4是说明在本专利技术的液晶材料中通过HALS的酚系抗氧化剂的再循环机理图。 图5是示出在包括本专利技术的液晶材料的LCD装置中可靠性增加的曲线图。 【具体实施方式】 现在详细描述本专利技术的示例性实施方式，附图中图解了这些实施方式的一些实 例。尽可能地，在附图中使用相同的附图标记表示相同或相似的部件。 为了提高用作公共显示器的LCD装置的可靠性，使用不包括链烯基的液晶材料。 即，参照图1A，其示出在液晶材料中的链烯基含量与可靠性之间的关系图，随着液 晶材料中的链烯基含量增加，LCD装置的显示可靠性降低。因此，将没有链烯基的液晶材料 用作公共显示器的IXD装置。 然而，参照图1B，其示出在液晶材料中的链烯基含量与响应时间之间的关系图，随 着液晶材料中的链烯基含量下降，LCD装置的响应时间减少。 也就是说，当从液晶材料中排除链烯基来增加用作公共显示器的LCD装置的可靠 性时，产生了 LCD装置的响应时间减少的问题。 图2是IXD装置的剖面示意图。 如图2所示，IXD装置包括第一基板110,面对第一基板110的第二基板120,以及 在第一和第二基板110和120之间的液晶层130。 在第一基板110上，形成有像素电极170和公共电极172。在像素和公共电极170 和172之间产生电场，驱动液晶层130。此外，在第二基板120上形成有滤色器层182。 特别地，在第一基板110中限定多个像素区域（未示出），并且在每个像素区域中 形成有薄膜晶体管（TFT)，像素电极170和公共电极172。 像素区域由彼此交叉的栅线（未示出）和数据线（未示出）限定。TFT连接到栅 线和数据线。 TFT包括栅电极142,栅极绝缘层144,半导体层150,源电极162和漏电极164。栅 电极142连接到栅线，并且栅极绝缘层144形成在栅电极142上。半导体层150形成在栅 极绝缘层144上并覆盖栅电极142。例如，半导体层150可以包括本征非晶硅的有源层152 和掺杂非晶硅的欧姆接触层154。可选地，半导体层150可以包括氧化物半导体材料或多晶 硅。 源电极162和漏电极164形成在半导体层150上，并且彼此间隔开。源电极162 连接到数据线。 钝化层166形成在TFT上，穿过钝化层166形成有暴露该TFT的漏电极164的漏 极接触孔168。 像素电极170和公共电极172形成在钝化层166上，像素电极170和公共电极172 彼此交替排列，使得在像素和公共电极170和172之间产生水平电场。像素电极170通过 漏极接触孔168接触并电连接到TFT的漏电极164。 可选地，像素和公共电极具有板的形状，并且像素和公共电极之一具有开口。在这 种情况下，像素和公共电极被定位在不同层中，使得在像素和公共电极之间产生边缘场。另 夕卜，像素电极形成在第一基板110上，而公共电极形成在第二基板120上，在这种情况下，像 素和公共电极之间产生垂直电场。 再次参照图2,第一取向层174形成在像素和公共电极170和172上。例如，第一 取向层174可以由聚酰亚胺形成。 在第二基板120上，形成有用于屏蔽非显示区（如TFT，栅线和数据线）的黑矩阵 180,以及滤色器层182。黑矩阵180和滤色器层182可以省略。 第二取向层184形成在滤色器层182上。例如，第二取向层184可以由聚酰亚胺 形成。 液晶层130设置在第一和第二基板110和120之间，并且更具体地，在第一和第二 取向层174和184之间。液晶层130包括液晶分子132,酚系抗氧化剂134和光稳定剂136。 液晶分子132的最初排列是由第一和第二取向层174和184控制的，并且液晶分 子132包括链烯基以增加响应时间。 例如，链烯基连本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种液晶材料，包括：含链烯基的液晶分子；酚系抗氧化剂；和用于回收酚系抗氧化剂的光稳定剂。
【技术特征摘要】
2013.06.28 KR 10-2013-00755281. 一种液晶材料，包括： 含链烯基的液晶分子； 酚系抗氧化剂；和 用于回收酚系抗氧化剂的光稳定剂。2. 根据权利要求1的液晶材料，其中酚系抗氧化剂是由下式表示，并且其中R1和R2每 一个都选自取代的或未取代的烷基或氢，和R3选自取代或未取代的烷基，取代或未取代的 烧基 -撰基，取代或未取代的烧氧基和氢！ [式1]3. 根据权利要求1的液晶材料，其中光稳定剂是受阻胺光稳定剂。4. 根据权利要求3的液晶材料，其中光稳定剂是由下式表示，并且其中R4和R5每个都 选自氢和取代或未取代的烧基，和R6选自氢和取代的或未取代的烧氧基 [式2]5. 根据权利要求1的液晶材料，其中酚系抗氧化剂是6. -种液晶显示装置，包括： 彼此面对的第一基板和第二基板； 在第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢承光，崔祐荣，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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