一种制备交叉型氧化锌纳米线阵列的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备交叉型氧化锌纳米线阵列的方法，包括以下步骤：（1）采用分子束外延的方法在衬底上制备ZnO薄膜作为生长ZnO纳米结构的籽晶层；（2）在所述薄膜上用水热的方法生长交叉型ZnO纳米线阵列。本发明专利技术利用水热方法制备的交叉状ZnO纳米线阵列，具有以下优点：1、此方法制备交叉状ZnO纳米线阵列利用分子束外延技术蒸镀一层很薄的ZnO薄膜，来作为生长制备纳米结构的籽晶层，没有利用金属做催化剂，避免引入杂质。2、此方法制备出的交叉状ZnO纳米线阵列，形貌均一，可大面积的生长。3、通过水热方法可以较为容易的制备交叉状ZnO纳米线阵列，并且具有很好的重复性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制备交叉型氧化锌纳米线阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）采用分子束外延的方法在衬底上制备ZnO薄膜作为生长ZnO纳米结构的籽晶层；（2）在所述薄膜上用水热的方法生长交叉型ZnO纳米线阵列。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：丁梦，徐锡金，邓晓龙，邵明辉，黄金昭，
申请(专利权)人：济南大学，
类型：发明
国别省市：山东;37