本发明专利技术公开了一种衰减为24dB的氮化铝100瓦衰减片，其包括一5.7*8.9*1.0mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成衰减电路，所述衰减电路的接地端与所述背导层连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜，所述衰减线路上印刷有两层保护膜，所述两层保护膜之间印刷有一层介质层；该结构的24dB的100瓦衰减片具有良好的VSWR性能以及衰减精度，在5.7*8.9*1.0mm的氮化铝陶瓷基板上的功率达到100W，同时使其特性突破了3G,使该尺寸的氮化铝陶瓷基板使用范围更广，也更加能够与设备进行良好的匹配，适用于目前的4G网络。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种衰减为24dB的氮化铝100瓦衰减片，其包括一5.7*8.9*1.0mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成衰减电路，所述衰减电路的接地端与所述背导层连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜，所述衰减线路上印刷有两层保护膜，所述两层保护膜之间印刷有一层介质层；该结构的24dB的100瓦衰减片具有良好的VSWR性能以及衰减精度，在5.7*8.9*1.0mm的氮化铝陶瓷基板上的功率达到100W，同时使其特性突破了3G,使该尺寸的氮化铝陶瓷基板使用范围更广，也更加能够与设备进行良好的匹配，适用于目前的4G网络。【专利说明】衰减为24dB的100瓦氮化铝瓦衰减片
本专利技术设计一种衰减片,特别涉及一种衰减为24dB的100瓦氮化招衰减片。
技术介绍
目前大多数通讯基站都是应用大功率陶瓷负载片来吸收通信部件中反向输入功率，大功率陶瓷负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而无法对基站的工作状况做实时的监控，当基站工作发生故障时无法及时地做出判断，对设备没有保护作用。而衰减片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向输入的功率，而且能够抽取通信部件中部分信号，对基站进行实时监控，从而对设备形成有效保护。 目前国内100W_24dB的氮化铝陶瓷衰减片的衰减精度大多只能做到IG频率以内，少数能做到2G，且衰减精度和设备配备的VSWR较难控制。而市场对衰减精度的要求很高，我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。目前市场上的衰减片当使用频段高于2G时，其衰减精度达不到要求，回波损耗变大，满足不了 2G以上的频段应用要求。 目前国内的100W_24dB衰减片因为设计的原因，衰减精度达不到要求，并且抗高低温冲击性能差，当完成高低温冲击实验后，阻值和衰减精度会偏出实际要求的范围。
技术实现思路
针对上述现有技术的不足，本专利技术要解决的技术问题是提供一种阻值满足50.4±3% Ω，在3G频段以内衰减精度为24±0.8dB，驻波要求在3G频段内满足 1.20:1max，能够满足目前4G网络的应用要求且能够承受100瓦功率的衰减为24dB的100瓦氮化铝衰减片。 为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案:一种衰减为24dB的100瓦氮化铝衰减片，其包括一 5.7*8.9*1.0mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成衰减电路，所述衰减电路的接地端与所述背导层连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜，所述衰减线路上印刷有两层保护膜，所述两层保护膜之间印刷有一层介质层。 优选的，所述导线及玻璃保护膜的上表面印刷有双层耐酸碱树脂保护膜。 优选的，所述背导层及导线由导电银浆印刷而成，所述电阻由电阻浆料印刷而成。 上述技术方案具有如下有益效果:该衰减片以8.9*5.7*1MM的氮化铝基板作为基准，在第一黑色保护膜上加印了一层介质层，这样能够有效的改善衰减片的衰减精度，使得该衰减片在上述氮化铝基板的尺寸规格下可到达阻值50.4 ± 3 % Ω，在3G频段以内衰减精度为24±0.8dB,驻波要求在3G频段内满足1.20: lmax，能够满足目前4G网络的应用要求且能够承受100瓦的功率的技术要求，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于4G的网络，填补了国内不能生产100瓦24dB衰减片的空白。 上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本专利技术的【具体实施方式】由以下实施例及其附图详细给出。 【专利附图】【附图说明】 图1为本专利技术实施例的结构示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图对本专利技术的优选实施例进行详细介绍。 如图1所示，该衰减为24dB的100瓦氮化铝衰减片包括一 8.9*5.7*1MM的氮化铝基板1，氮化铝基板I的背面印刷有银浆背导层，氮化铝基板I的正面印刷有银浆导线2及电阻Rl、R2、R3、R4及R5，银浆导线2连接上述电阻Rl、R2、R3、R4、R5形成衰减电路，衰减电路的接地端通过银浆与背导层电连接，从而使衰减电路导通。背导层、导线由需要高温烧结的导电银浆印刷而成，所述电阻由电阻浆料印刷而成。 在电阻上R1、R2、R3、R4、R5印刷有玻璃保护膜3，玻璃保护膜3及银浆导线2上印刷有第一黑色保护膜4，第一黑色保护膜4上印刷有一介质层6。介质层6上印刷有第二黑色保护膜5，第二黑色保护膜5上可印刷品牌和型号。第一黑色保护膜、第二黑色保护膜可对衰减电路起到双重保护的作用。 该衰减片输入端和接地的阻值为50.4±3% Ω，输出端和接地端的阻值为50.4±3% Ω。信号从输入端进入衰减片，从输出端经过R1、R2、R5、R3、R4对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号。 该衰减片以8.9*5.7*1MM的氮化铝基板作为基准，在第一黑色保护膜上加印了一层介质层，这样能够有效的改善衰减片的衰减精度，同时采用该结构可增大电阻R3，R4的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，进而避免了在输出端焊接引线时高温对电阻的淬伤而坏掉的风险。使得该衰减片在上述氮化铝基板的尺寸规格下可到达阻值50.4±3%Ω，在3G频段以内衰减精度为24±0.8dB,驻波要求在3G频段内满足1.20: lmax,能够满足目前4G网络的应用要求且能够承受100瓦的功率的技术要求，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于4G网络，填补了国内不能生产100瓦24dB衰减片的空白。 以上对本专利技术实施例所提供的一种衰减为24dB的100瓦氮化铝衰减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本专利技术实施例的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本专利技术的限制，凡依本专利技术设计思想所做的任何改变都在本专利技术的保护范围之内。【权利要求】1.一种衰减为24dB的100瓦氮化铝衰减片，其特征在于:其包括一 5.7*8.9*1.0mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成衰减电路，所述衰减电路的接地端与所述背导层连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜，所述衰减线路上印刷有两层保护膜，所述两层保护膜之间印刷有一层介质层。2.根据权利要求1所述的衰减为24dB的100瓦氮化铝衰减片，其特征在于:所述导线及玻璃保护膜的上表面印刷有双层耐酸碱树脂保护膜。3.根据权利要求1所述的衰减为24dB的100瓦氮化铝衰减片，其特征在于:所述背导层及导线由导电银浆印刷而成，所述电阻由电阻浆料印刷而成。【文档编号】H01P1/22GK104241788SQ201410235852【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年5月29日 优先权日:2014年5月29日 【专利技术者】不公告专利技术人 申请人:苏州市新诚氏电子本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种衰减为24dB的100瓦氮化铝衰减片，其特征在于：其包括一5.7*8.9*1.0mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成衰减电路，所述衰减电路的接地端与所述背导层连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜，所述衰减线路上印刷有两层保护膜，所述两层保护膜之间印刷有一层介质层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：苏州市新诚氏电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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