环保性陶瓷10瓦13dB衰减片制造技术

本发明专利技术公开了一种环保性陶瓷10瓦13dB衰减片，其包括环保型ALN材料的基片，所述ALN材料的基片的尺寸为2.5mm×5mm×1mm，所述ALN材料的基片的正面印刷有高温银浆导线，所述高温银浆导线间印刷有膜状电阻，所述高温银浆导线和膜状电阻通过高温烧结连通，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有一层导体层，所述高温银浆导线和背面导体层通过侧面二次印刷银浆导通。该衰减片在方案设计时，采用的环保的ALN材料替代有毒的BeO材料，同时在满足功率要求的前提下，尽量缩小了产品的尺寸，使得产品的生产效率提高，材料成本降低，电路设计上，充分考虑了目前市场的VSWR和衰减精度等性能指标的要求,填补了国内无小尺寸衰减片的空白，满足了目前主流的3G网络的应用要求，其各项指标均达到国际领先水平。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种环保性陶瓷10瓦13dB衰减片，其包括环保型ALN材料的基片，所述ALN材料的基片的尺寸为2.5mm×5mm×1mm，所述ALN材料的基片的正面印刷有高温银浆导线，所述高温银浆导线间印刷有膜状电阻，所述高温银浆导线和膜状电阻通过高温烧结连通，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有一层导体层，所述高温银浆导线和背面导体层通过侧面二次印刷银浆导通。该衰减片在方案设计时，采用的环保的ALN材料替代有毒的BeO材料，同时在满足功率要求的前提下，尽量缩小了产品的尺寸，使得产品的生产效率提高，材料成本降低，电路设计上，充分考虑了目前市场的VSWR和衰减精度等性能指标的要求,填补了国内无小尺寸衰减片的空白，满足了目前主流的3G网络的应用要求，其各项指标均达到国际领先水平。【专利说明】环保性陶瓷10瓦13dB衰减片
本专利技术涉及一种陶瓷衰减片，特别涉及一种环保性陶瓷10瓦13dB衰减片。
技术介绍
衰减片在航空、航天、雷达、电台、广播、通讯等领域有着不可或确的作用，之前大部分设备采用负载片作为吸收功率的作用，而负载片只能单纯地消耗和吸收多余的功率，是一个纯功率消耗器件。而使用衰减片在吸收反向输入的功率的同时还能对设备工作的信号进行抽样分析，既能保护设备，又能检测设备。 随着科技的不断进步，对通讯设备的要也越来越高，目前很多通讯设备，例如我们手机接受和发射信号的基站在越来越多地采用衰减片。在国外，特别是欧美国家，对衰减片和负载片研发生产都要比国内起步早很多，无论在产品的丰富性还是产品微波特性上都处于比较优势地位。同时国内市场上现有的衰减片系列少，衰减精度低，且能使用的频段相对较窄。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际使用要求。 目前高功率衰减片多采用有毒性的BeO材料作为基片材料，但是其才激光调阻时会产生很多的有毒粉尘，对身体有害。随着科技的发达和时代的进步，环保以及健康被提到新的日程，环保的脚步不可阻挡。
技术实现思路
针对上述现有技术的不足，本专利技术要解决的技术问题是提供一种阻值满足55.3 Ω ±3%，在3G频段以内衰减精度为13±0.6dB,驻波要求输入、输出端在1.25以内，能够满足目前主流的3G网络的应用要求的环保性陶瓷10瓦13dB衰减片，取代国外同类产品，并在特性上填补国内产品的空白。 为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案:一种环保性陶瓷10瓦13dB衰减片，其特征在于:包括环保型ALN材料的基片，所述ALN材料的基片的尺寸为2.5mmX5mmXlmm，所述ALN材料的基片的正面印刷有高温银浆导线，所述高温银浆导线间印刷有膜状电阻，所述高温银浆导线和膜状电阻通过高温烧结连通，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有一层导体层，所述高温银浆导线和背面导体层通过侧面二次印刷银浆导通。 优选的，所述银浆采用低银离子迁移银浆。 优选的，所述高温银浆导线和膜状电阻组成的电路印刷有一层黑色改性硅树脂保护膜。 上述技术方案具有如下有益效果:环保性陶瓷10瓦13dB衰减片，采用了环保的ALN材料替代了有毒性的BeO材料，满足了环保的要求。同时，小尺寸的设计生产效率高，有效降低了材料成本，从而从根本上降低了产品本身成本，且功率满足使用要求。电路设计上基于MWO电路设计理念，采用了对称电路设计，并采用导体本身介质特性，对产品电性能进行改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得该型号衰减片能应用于3G的网络。可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域以及隔离器、环形器等微波产品的生产。 上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本专利技术的【具体实施方式】由以下实施例及其附图详细给出。 【专利附图】【附图说明】 图1为本专利技术实施例的结构示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图对本专利技术的优选实施例进行详细介绍。 如图1所示，该环保性陶瓷10瓦13dB衰减片，包含尺寸为2.5mmX5mmX Imm的ALN基板1，ALN基板I的背面印刷有一层导体层，ALN基板I的正面印刷有高温银浆导线2及膜状电阻町、1?2、1?3，1?4、1?5，膜状电阻1?1、1?2、1?3、1?4、1?5通过高温银浆导线连接形成衰减电路，衰减电路通过二次侧面印刷银浆与背导层连接，从而使衰减电路接地导通。该衰减电路沿陶瓷基板的中心线对称，膜状电阻Rl、R2、R3、R4、R5上印刷有玻璃保护膜3，高温银浆导线2及玻璃保护膜3的上表面还印刷有一层黑色改性硅树脂保护膜4，这样可对高温银浆导线2及膜状电阻Rl、R2、R3、R4、R5形成保护。 该环保性陶瓷10瓦13dB衰减片要求输入端和接地的阻值为55.3 Ω ±3%，输出端和接地端的阻值为55.3Ω ±3%。信号输入端进入衰减片，经过膜状电阻Rl、R2、R5、R3、R4对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号。 该环保性陶瓷10瓦13dB衰减片，采用了环保的ALN材料替代了有毒性的BeO材料，满足了环保的要求。同时，小尺寸的设计生产效率高，有效降低了材料成本，从而从根本上降低了产品本身成本，且功率满足使用要求。电路设计上基于MWO电路设计理念，采用了对称电路设计，并采用导体本身介质特性，对产品电性能进行改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得该型号衰减片能应用于3G的网络。可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域以及隔离器、环形器等微波产品的生产。 以上对本专利技术实施例所提供的环保性陶瓷10瓦13dB衰减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本专利技术实施例的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本专利技术的限制，凡依本专利技术设计思想所做的任何改变都在本专利技术的保护范围之内。【权利要求】1.一种环保性陶瓷10瓦13dB衰减片，其特征在于:包括环保型ALN材料的基片，所述ALN材料的基片的尺寸为2.5mmX5mmX 1mm，所述ALN材料的基片的正面印刷有高温银浆导线，所述高温银浆导线间印刷有膜状电阻，所述高温银浆导线和膜状电阻通过高温烧结连通，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有一层导体层，所述高温银浆导线和背面导体层通过侧面二次印刷银浆导通。2.根据权利要求1所述的环保性陶瓷10瓦13dB衰减片，其特征在于:所述银浆采用低银离子迁移银浆。3.根据权利要求1所述的环保性陶瓷10瓦13dB衰减片，其特征在于:所述高温银浆导线和膜状电阻组成的电路印刷有一层黑色改性硅树脂保护膜。【文档编号】H01P1/22GK104241768SQ201410233542【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年5月29日 优先权日:2014年5月29日 【专利技术者】不公告专利技术人 申请人:苏州市新诚氏电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种环保性陶瓷10瓦13dB衰减片，其特征在于：包括环保型ALN材料的基片，所述ALN材料的基片的尺寸为2.5mm×5mm×1mm，所述ALN材料的基片的正面印刷有高温银浆导线，所述高温银浆导线间印刷有膜状电阻，所述高温银浆导线和膜状电阻通过高温烧结连通，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有一层导体层，所述高温银浆导线和背面导体层通过侧面二次印刷银浆导通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：苏州市新诚氏电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32