【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】公开了具有硅应力隔离构件的集成SOI压力传感器。在一个实施例中提供了压力传感器。该压力传感器包括壳体，壳体具有输入端口，输入端口配置为允许介质进入壳体。将支撑件安装在壳体内，支撑件限定了延伸穿过其中的第一孔。将应力隔离构件安装在支撑件的第一孔内，应力隔离构件限定了延伸穿过其中的第二孔，其中应力隔离构件由硅构成。传感器管芯结合到应力隔离构件。传感器管芯包括：硅基底，硅基底在硅基底的第一侧上具有绝缘层；以及布置在第一侧上的绝缘层中的感测电路，其中硅基底的第二侧暴露于应力隔离构件的第二孔并且第二侧与第一侧相反。【专利说明】具有硅应力隔离构件的集成SOI压力传感器
技术介绍
硅压力传感器提供了多种优点，包括小尺寸、良好的质量以及稳定的性能。此外，由于多个相同的传感器可以同时在单个晶片上制备，因此硅压力传感器对于制造而言也是成本有效的。在压力传感器的至少一个例子中，压敏电阻器在硅膜片上制备，使得当膜片对压力介质所施加的压力做出反应时压敏电阻器感测膜片中的应变。甚至当压力介质是洁净的干燥空气时，硅感测管芯也需要与环境的某种形式的隔离。对于绝对式传感器，这是通...
【技术保护点】
一种压力传感器，包括：壳体，壳体包括输入端口，输入端口配置为当壳体放置在包含介质的环境中时允许介质进入壳体内部；安装在壳体内的支撑件，支撑件限定了延伸穿过其中的第一孔；安装在支撑件的第一孔内的应力隔离构件，应力隔离构件限定了延伸穿过其中的第二孔，其中应力隔离构件由硅构成；结合到应力隔离构件的传感器管芯，传感器管芯包括：硅基底，硅基底在硅基底的第一侧上具有绝缘层；以及布置在第一侧上的绝缘层中的感测电路，其中硅基底的第二侧暴露于应力隔离构件的第二孔并且第二侧与第一侧相反；其中应力隔离构件包括延伸远离硅基底的第二侧的基座，其中第二孔纵向延伸穿过基座，传感器管芯安装到基座的第一端，...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：G·C·布朗，C·拉恩，
申请(专利权)人：霍尼韦尔国际公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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