光掩膜基板胶膜层及铬膜层的返工方法技术

本发明专利技术提供一种光掩膜基板胶膜层及铬膜层的返工方法。所述光掩膜基板胶膜层的返工方法包括：将待返工的光掩膜基板置于质量百分比为4％～10％的氢氧化钠溶液中浸泡多次，去除所述光掩膜基板的胶膜层；用纯水漂洗已去除胶膜层的光掩膜基板；用异丙醇胺溶液漂洗经纯水漂洗后的光掩膜基板；采用异丙醇胺蒸汽进行干燥，所述异丙醇胺蒸汽温度控制在45～70℃。所述光掩膜基板铬膜层的返工方法包括：将待返工的光掩膜基板置于质量百分比为4％～10％的氢氧化钠溶液中浸泡多次，去除所述光掩膜基板的胶膜层；用纯水漂洗已去除胶膜层的光掩膜基板；将所述光掩膜基板放入设定配比的硝酸铈铵和纯水的混合溶液中浸泡，去除所述光掩膜基板的铬膜层。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种。所述光掩膜基板胶膜层的返工方法包括：将待返工的光掩膜基板置于质量百分比为4%?10%的氢氧化钠溶液中浸泡多次，去除所述光掩膜基板的胶膜层；用纯水漂洗已去除胶膜层的光掩膜基板；用异丙醇胺溶液漂洗经纯水漂洗后的光掩膜基板；采用异丙醇胺蒸汽进行干燥，所述异丙醇胺蒸汽温度控制在45?70V。所述光掩膜基板铬膜层的返工方法包括：将待返工的光掩膜基板置于质量百分比为4%?10%的氢氧化钠溶液中浸泡多次，去除所述光掩膜基板的胶膜层；用纯水漂洗已去除胶膜层的光掩膜基板；将所述光掩膜基板放入设定配比的硝酸铈铵和纯水的混合溶液中浸泡，去除所述光掩膜基板的铬膜层。【专利说明】
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种光掩膜基板胶膜层及铬膜层的返工 方法。
技术介绍
光掩膜基板是集成电路及芯片制造过程中一种非常重要的基础性材料，其制备过 程为：首先通过反应磁控溅射或真空蒸发等方式在玻璃基片表面镀铬形成铬膜层，然后在 铬膜层上涂上相应的光刻胶形成胶膜层，再经过显影、曝光等一系列的光刻处理即制得成 品光掩膜基板。 由于光掩膜基板对生产过程中的洁净度、铬膜层、胶膜层等要求极其严格，导致光 掩膜基板一次成型良率低，因此需要对胶膜层或者铬膜层存在缺陷的光掩膜基板进行返工 处理，以减少资源的浪费，降低生产成本。但是，目前工业上尚未形成光掩膜基板的返工方 法，所以，只能重新对胶膜层或者铬膜层存在缺陷的光掩膜基板的玻璃基板进行抛光，或者 对整个存在缺陷的光掩膜基板进行报废，导致企业生产成本高。
技术实现思路
基于上述问题，本专利技术提供一种操作简单、返工效果明显的光掩膜基板胶膜层及 铬膜层的返工方法。 -种光掩膜基板胶膜层的返工方法，其中，所述光掩膜基板包括玻璃基板和依次 叠置在所述玻璃基板上的铬膜层、胶膜层，所述光掩膜基板胶膜层的返工方法包括： 步骤11 :将待返工的光掩膜基板置于质量百分比为4%?10%的氢氧化钠溶液中 浸泡多次，去除所述光掩膜基板的胶膜层； 步骤12 :用纯水漂洗已去除胶膜层的光掩膜基板； 步骤13 :用异丙醇胺溶液漂洗经纯水漂洗后的光掩膜基板； 步骤14 :采用异丙醇胺蒸汽进行干燥，所述异丙醇胺蒸汽温度控制在45?70°C。 作为上述实施方式的进一步改进，在步骤11中，待返工的所述光掩膜基板用氢氧 化钠溶液浸泡两次，其中，第一次用质量百分比为8%?10%的氢氧化钠溶液浸泡10分钟 以上，第二次用质量百分比为4%?5%的氢氧化钠溶液浸泡5?10分钟。 作为上述实施方式的进一步改进，所述光掩膜基板胶膜层的返工方法还包括：步 骤15 :在强光灯下检查所述铬膜层上的胶膜层是否清除干净，若是，则在所述铬膜层上进 行匀胶，若否，则重新执行步骤11至步骤14。 作为上述实施方式的进一步改进，在步骤15中，所述强光灯的强度为10?15万 勒克斯。 -种光掩膜基板铬膜层的返工方法，其中，所述光掩膜基板包括玻璃基板和依次 叠置在所述玻璃基板上的铬膜层、胶膜层，所述光掩膜基板铬膜层的返工方法包括： 步骤21 :将待返工的光掩膜基板置于质量百分比为4%?10%的氢氧化钠溶液中 浸泡多次，去除所述光掩膜基板的胶膜层； 步骤22 :用纯水漂洗已去除胶膜层的光掩膜基板； 步骤23 :将所述光掩膜基板放入设定配比的硝酸铈铵和纯水的混合溶液中浸泡， 去除所述光掩膜基板的铬膜层，剩下玻璃基板； 步骤24 :将所述玻璃基板置于纯水中浸泡； 步骤25 :将所述玻璃基板置于温水中采用温水慢抽拉的方式进行清洗，并干燥。 作为上述实施方式的进一步改进，所述光掩膜基板铬膜层的返工方法还包括：步 骤26 :在强光灯下检查所述玻璃基板上的铬膜层是否清除干净，若是，则在所述玻璃基板 上进行镀铬和匀胶，若否，则重新执行步骤23至步骤25。 作为上述实施方式的进一步改进，在步骤21中，待返工的所述光掩膜基板用氢氧 化钠溶液浸泡两次，其中，第一次用质量百分比为8%?10%的氢氧化钠溶液浸泡10分钟 以上，第二次用质量百分比为4%?5%的氢氧化钠溶液浸泡5?10分钟。 作为上述实施方式的进一步改进，在步骤23中，所述混合液中硝酸铈铵、纯水的 质量比为1:3?6。 作为上述实施方式的进一步改进，在步骤25中，所述温水的温度控制在60? 70。。。 作为上述实施方式的进一步改进，在步骤26中，所述强光灯的强度为10?15万 勒克斯。 相较于现有技术，本专利技术提供的操作简 单、返工效果明显，能够对胶膜层或铬膜层存在缺陷的光掩膜基板进行去胶、退铬返工处 理，通过化学反应的方式既可以充分去掉胶膜层或铬膜层，又不会对玻璃基板或铬膜层造 成损伤，同时该方法又能很好的处理去胶、退铬后的颗粒问题，确保后续重新镀膜及重新匀 胶的良率，有效的节约了成本。 【具体实施方式】 下面对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例 仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通 技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范 围。 所述光掩膜基板包括玻璃基板和依次叠置在所述玻璃基板上的铬膜层、胶膜层。 其中，所述玻璃基板为钠钙玻璃基片、石英玻璃基片、硼硅玻璃基片或白冕玻璃基片中的任 意一种。所述铬膜层是铬膜、铬的氮化物、铬的碳化物、铬的氮化物、铬与碳、氮、氧元素以任 意比例组合的化合物中的一种或多种组合。所述胶膜层可以是负性胶，也可以是正性胶，其 主要成分为树脂、感光剂、溶剂和添加剂。 当所述光掩膜基板的胶膜层存在缺陷时，则需要对其进行去除胶膜层的返工处 理，其中，所述光掩膜基板的胶膜层存在的缺陷包括： ⑴厚度异常，如胶厚偏高等； (2)外观结构、美观性等不合要求，如色差等； ⑶颗粒或印记异常，如胶班等； (4)其它需返工的缺陷。 本专利技术提供的一种去除光掩膜基板胶膜层的返工方法，包括： 步骤11 :将待返工的光掩膜基板置于质量百分比为4%?10%的氢氧化钠溶液中 浸泡多次，去除所述光掩膜基板的胶膜层； 具体地，将待返工的光掩膜基板置于氢氧化钠溶液中浸泡两次，其中，第一次用质 量百分比为8%?10%的氢氧化钠溶液浸泡10分钟以上，第二次用质量百分比为4%? 5 %的氢氧化钠溶液浸泡5?10分钟。 步骤12 :用纯水漂洗已去除胶膜层的光掩膜基板，所述漂洗时间在10分钟以上； 步骤13 :用异丙醇胺溶液漂洗经纯水漂洗后的光掩膜基板，所述漂洗时间控制在 5?10分钟； 步骤14 :采用异丙醇胺蒸汽进行干燥，以去除所述铬膜层表面的水分，所述异丙 醇胺蒸汽温度控制在45?70°C ; 步骤15 :在强光灯下检查所述铬膜层上的胶膜层是否清除干净，若是，则在所述 铬膜层上进行匀胶，若否，则重新执行步骤11至步骤14,其中，所述强光灯的强度为10? 15万勒克斯，所述匀胶的流程按现有的匀胶流程进行操作即可，在此不再赘述。 本实施方式中，选择活性相对较弱的氢氧化钠溶液作为去胶液，所述胶膜层的各 成分能够溶解于氢氧化钠溶液中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光掩膜基板胶膜层的返工方法，其中，所述光掩膜基板包括玻璃基板和依次叠置在所述玻璃基板上的铬膜层、胶膜层，其特征在于，所述光掩膜基板胶膜层的返工方法包括： 步骤11：将待返工的光掩膜基板置于质量百分比为4％～10％的氢氧化钠溶液中浸泡多次，去除所述光掩膜基板的胶膜层； 步骤12：用纯水漂洗已去除胶膜层的光掩膜基板； 步骤13：用异丙醇胺溶液漂洗经纯水漂洗后的光掩膜基板； 步骤14：采用异丙醇胺蒸汽进行干燥，所述异丙醇胺蒸汽温度控制在45～70℃。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐根，周志刚，陈社城，
申请(专利权)人：湖南普照信息材料有限公司，湖南电子信息产业集团有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43