本发明专利技术包括：MMIC(3)，该MMIC(3)具有信号源(4)、以及与信号源(4)相连接的导体图案(33)；基板，该基板形成有信号线和GND，并安装有MMIC(3)；信号用金属凸点(21)，该信号用金属凸点(21)形成于MMIC(3)和基板之间，用于连接MMIC(3)的导体图案(33)和基板的信号线；以及多个屏蔽用金属凸点(22)，该多个屏蔽用金属凸点(22)以与信号用金属凸点(21)一起包围信号源(4)和导体图案(33)的方式形成于MMIC(3)与基板之间，包含与信号用金属凸点(21)的间隔在内的相互间的间隔在信号源(4)发出的电磁波的半波长以下。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术包括：MMIC(3)，该MMIC(3)具有信号源(4)、以及与信号源(4)相连接的导体图案(33)；基板，该基板形成有信号线和GND，并安装有MMIC(3)；信号用金属凸点(21)，该信号用金属凸点(21)形成于MMIC(3)和基板之间，用于连接MMIC(3)的导体图案(33)和基板的信号线；以及多个屏蔽用金属凸点(22)，该多个屏蔽用金属凸点(22)以与信号用金属凸点(21)一起包围信号源(4)和导体图案(33)的方式形成于MMIC(3)与基板之间，包含与信号用金属凸点(21)的间隔在内的相互间的间隔在信号源(4)发出的电磁波的半波长以下。【专利说明】高频组件
本专利技术涉及高频组件。
技术介绍
近年来，可采用如下结构:利用使用焊料凸点的BGA(Ball Grid Array:球栅阵列)将MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit:单片微波集成电路)、高频组件基板等半导体装置以倒装芯片方式安装到其他基板上。此外，有时也使用金凸点来代替焊料凸点。 以往，即使利用导电性粘接剂等将半导体装置安装到基板上，但在通过金属覆层覆盖来进行气密密封的情况下、或者在即使金属覆层未气密密封但通气孔较小的情况下，来自半导体装置的高频信号也不会泄漏至外部，因此EMI (Electro MagneticInterference:电磁干扰)特性没有问题(参照专利文献I)。现有技术文献专利文献 专利文献1:日本专利特开2010 - 153477号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题 然而，在进行倒装芯片安装而未利用金属覆层进行电磁屏蔽的情况下，来自半导体装置的高频信号会向外部泄漏，从而成为导致EMI特性恶化、系统上的噪声增加的原因。 本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于得到一种不利用金属覆层来覆盖半导体装置也能减少高频信号向外部泄漏的高频组件。解决技术问题所采用的技术方案 为解决上述问题，达到目的，本专利技术的特征在于，包括:半导体装置，该半导体装置具有信号源、以及与信号源相连接的导体图案；基板，该基板形成有信号线和接地，并安装有半导体装置；信号用金属凸点，该信号用金属凸点形成于半导体装置与基板之间，用于连接半导体装置的导体图案与基板的信号线；以及多个屏蔽用金属凸点，该多个屏蔽用金属凸点以与信号用金属凸点一起包围信号源和导体图案的方式形成于半导体装置与基板之间，且包含与信号用金属凸点的间隔在内的相互间的间隔在信号源发出的电磁波的半波长以下。专利技术效果 根据本专利技术，获得以下效果:即使不利用金属覆层来覆盖半导体装置，也能减少高频信号向外部泄漏。 【专利附图】【附图说明】 图1是表示本专利技术所涉及的高频组件的实施方式的结构的侧视图。 图2是表示实施方式所涉及的高频组件的剖视图。 【具体实施方式】 下面，基于附图，对本专利技术所涉及的高频组件的实施方式进行详细说明。本专利技术并不由该实施方式所限定。 实施方式.图1是表示本专利技术所涉及的高频组件的实施方式的结构的侧视图。实施方式所涉及的高频组件10是在形成有信号线和GND (接地)的基板I上通过金属凸点2来安装MMIC3而得到的结构。对于金属凸点2的材料，可应用焊料或金。 图2是实施方式所涉及的高频组件10的剖视图，示出沿图1中的I1-1I线的剖面。MMIC3的下表面设置有布线用端子31和屏蔽用端子32。另外，在图2中，将金属凸点2划分为信号用金属凸点21和屏蔽用金属凸点22来进行图示。信号用金属凸点21是将导体图案33与形成于基板I的信号线相连接的凸点。屏蔽用金属凸点22是用于对从信号源4、导体图案33泄漏出的电磁波进行屏蔽的凸点。 布线用端子31包括信号端子31a和接地端子31b。信号端子31a经由导体图案33与信号源4 (例如FET =Field Effect Transistor:场效应晶体管)相连接，并连接至基板I的信号线。接地端子31b与基板I的GND相连接，并配置为夹住配置于MMIC3的边缘部的信号端子31a。由此，在丽IC3的边缘部，成为形成了所谓的GSG连接的状态，从而电磁波难以发生泄漏。 此外，屏蔽用端子32与基板I的GND相连接。 对于布线用端子31和屏蔽用端子32，将端子间隔设为从信号源4发出的电磁波的波长的一半以下，并以包围导体图案33的周围的方式进行配置。 在信号端子31a配置有信号用金属凸点21,信号端子31a经由信号用金属凸点21与基板I侧的信号线相连接。在接地端子31b配置有屏蔽用金属凸点22，接地端子31b经由屏蔽用金属凸点22与基板I侧的GND相连接。在屏蔽用端子32配置有屏蔽用金属凸点22，屏蔽用端子32经由屏蔽用金属凸点22与基板I侧的GND相连接。 在上述结构中，金属凸点2以从信号源4发出的电磁波的波长的一半以下的间隔来包围导体图案33，因此，金属凸点2起到电磁屏蔽的作用。因此，能够防止从信号源4发出的电磁波泄漏至由金属凸点2包围的区域的外部。由此，能够抑制EMI特性的恶化、噪声的增加。另外，若使布线用端子31和屏蔽用端子32的各端子间隔变窄，则屏蔽性变高。 本实施方式中，由于抑制了与相邻其他的丽IC之间的耦合，因此，能够防止噪声形成环路而振荡。例如，在丽IC3的前级串联连接其他丽IC的情况下，若丽IC3的输出与其他的MMIC的输入相叠加，则噪声会形成环路。然而，在本实施方式中，由于能够防止来自MMIC3的电磁波的泄漏，因此，能够抑制这种问题的产生。因此，能够提高高频组件10制造时的成品率。 在上述实施方式中，对于布线用端子31，以如下结构作为示例，S卩:以夹住信号端子31a的方式来配置接地端子31b，但并不一定要采用这种结构。此外，在上述实施方式中，以屏蔽用端子32与基板I的GND相连接的结构作为示例，但也可以采用屏蔽用端子32与基板I的信号线相连接的结构。此外，也可以采用屏蔽用端子32的一部分与基板I的GND相连接，剩余的一部分与基板I的信号线相连接的结构。另外，屏蔽用端子32与基板I的GND相连接的情况下，电磁屏蔽性较高。工业上的实用性 如上所述，本专利技术所涉及的高频组件，在下述方面是有用的，S卩:即使在未气密密封的状态下也能抑制电磁波的泄漏，特别适用于与靠近配置的其他高频组件串联连接来处理信号的情况。标号说明 I基板、2金属凸点、3 MMIC、4信号源、10高频组件、21信号用金属凸点、22屏蔽用金属凸点、31布线用端子、31a信号端子、31b接地端子、32屏蔽用端子、33导体图案。【权利要求】1.一种高频组件，其特征在于，包括: 半导体装置，该半导体装置具有信号源、以及与该信号源相连接的导体图案； 基板，该基板形成有信号线和接地，并安装有所述半导体装置； 信号用金属凸点，该信号用金属凸点形成于所述半导体装置与所述基板之间，用于将所述半导体装置的所述导体图案与所述基板的所述信号线相连接；以及 多个屏蔽用金属凸点，该多个屏蔽用金属凸点以与所述信号用金属凸点一起包围所述信号源和所述导体图案的方式形成于所述半导体装置与所述基板之间，包含与所述信号用金属凸点的间隔在内的相互间的间隔在所述信号源发出的电磁本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高频组件，其特征在于，包括：半导体装置，该半导体装置具有信号源、以及与该信号源相连接的导体图案；基板，该基板形成有信号线和接地，并安装有所述半导体装置；信号用金属凸点，该信号用金属凸点形成于所述半导体装置与所述基板之间，用于将所述半导体装置的所述导体图案与所述基板的所述信号线相连接；以及多个屏蔽用金属凸点，该多个屏蔽用金属凸点以与所述信号用金属凸点一起包围所述信号源和所述导体图案的方式形成于所述半导体装置与所述基板之间，包含与所述信号用金属凸点的间隔在内的相互间的间隔在所述信号源发出的电磁波的半波长以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：八十冈兴祐，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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