本发明专利技术提供一种应用于电子装置的屏蔽装置，其主要结构分为三个部分，第一部分为抗静电层，第二部分为导电层，第三部分为电磁遮蔽层。此三层结构以导电层为中间层，其上黏贴抗静电层其下黏贴电磁遮蔽层。此外，还可以在电磁遮蔽层的底部外加一支撑层，以加强屏蔽的强度。本发明专利技术的一种应用于电子装置的屏蔽装置具有可简易安装、低成本、制作简单与不占空间的优点。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种应用于电子装置的屏蔽装置，其主要结构分为三个部分，第一部分为抗静电层，第二部分为导电层，第三部分为电磁遮蔽层。此三层结构以导电层为中间层，其上黏贴抗静电层其下黏贴电磁遮蔽层。此外，还可以在电磁遮蔽层的底部外加一支撑层，以加强屏蔽的强度。本专利技术的一种应用于电子装置的屏蔽装置具有可简易安装、低成本、制作简单与不占空间的优点。【专利说明】一种应用于电子装置的屏蔽装置
本专利技术涉及一种应用于电子装置的屏蔽装置(shielding device)。
技术介绍
随着电子、无线技术的快速进步，电子产品面临更多静电放电(ElectrostaticDischarge,ESD)和电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)的问题。静电可累积在人体、仪器、储放设备之中，甚至在制作或使用的过程中，电子组件本身也会累积静电，而人们在不知情的情况下，使这些物体相互接触，因而形成了一放电路径，造成电子组件或系统遭到过度电性应力(Electrical Overstress, EOS),进而使得电子产品工作不正常。 电磁干扰的来源包括微处理器、开关电路、静电放电以及电源本身或外部等，而这些噪声经由线路或组件本体辐射出来，耦合后容易形成共模噪声，影响电子产品的正常工作。 公知对于静电放电的防护方法大多在产品设计过程中在输入/输出(Input/Output)连接端口附近加上保护电路，或者将静电荷导入接地端等；而屏蔽电磁干扰的旧有的方法则是使用导电布、使用环状线圈(spring)或是黏贴导电衬垫(gasket)等。然而公知防护静电放电和电磁干扰的方式皆较占空间，且在成本上也耗费较多。
技术实现思路
根据本专利技术的较佳实施例，本专利技术提供一种应用于电子装置的屏蔽装置，包括一具有一抗静电剂及一第一成形材料的抗静电层，一具有一第一导电材料及一第二成形材料的导电层，以及一具有一导磁材料、一第三成形材料以及一第二导电材料的电磁遮蔽层，其中该抗静电层与该导电层互相紧密贴合且该导电层与该电磁遮蔽层互相紧密贴合。 根据本专利技术的另一较佳实施例，本专利技术提供一种应用于电子装置的屏蔽装置，包括一具有抗静电剂及一第一成形材料的抗静电层，以及一具有一导电材料及一第二成形材料的导电层，其中该抗静电层与该导电层互相紧密贴合。 根据本专利技术的另一较佳实施例，本专利技术提供一种应用于电子装置的屏蔽装置，包括一具有第一导电材料及一第一成形材料的导电层，以及一具有一导磁材料、一第二成形材料以及一第二导电材料的电磁遮蔽层，其中该导电层与该电磁遮蔽层互相紧密贴合。 根据本专利技术的另一较佳实施例，本专利技术提供一种应用于电子装置的屏蔽装置的制程，包括将一抗静电剂、一第一铁磁性材料、一第一溶剂与一第一成形材料，依序混合后，制成一抗静电层；将一第一导电材料、一第二铁磁性材料、一第一分散剂、一第二溶剂与一第二成形材料，依序混合后，制成一导电层；将一导磁材料、一第二导电材料、第二分散剂、一第三溶剂、一第三成形材料，依序混合后，制成一电磁遮蔽层；以及将该导电层的两面分别与该抗静电层和该电磁遮蔽层互相紧密贴合。 根据本专利技术的一个方面，提供了一种应用于电子装置的屏蔽装置，包括:一抗静电层，包括一抗静电剂及一第一成形材料；以及一导电层，包括一导电材料及一第二成形材料，其中所述抗静电层与所述导电层互相紧密贴合。 其中，所述第一成形材料以及所述第二成形材料包括聚氨基甲酸酯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯、尼龙或以上的组合。 其中，所述导电材料包括导电碳黑、纳米碳管或以上的组合。 其中，所述导电层中还包括铁磁性材料。 根据本专利技术的另一个方面，提供了一种应用于电子装置的屏蔽装置，包括:一导电层，包括一第一导电材料及一第一成形材料；以及一电磁遮蔽层，包括一导磁材料、一第二成形材料以及一第二导电材料，其中所述导电层与所述电磁遮蔽层互相紧密贴合。 其中，所述第一成形材料以及所述第二成形材料包括聚氨基甲酸酯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯、尼龙或以上的组合。 其中，所述第一导电材料包括导电碳黑、纳米碳管或以上的组合。 其中，所述导电层中还包括铁磁性材料。 其中，所述导磁材料包括一导磁系数大于1500韦伯/安培-圈数-米的材料。 其中，所述第二导电材料包括铜、铁、铝或以上的组合。 根据本专利技术的另一个方面，提供了一种应用于电子装置的屏蔽装置，包括:一抗静电层，包括一抗静电剂及一第一成形材料；一导电层，包括一第一导电材料及一第二成形材料；以及一电磁遮蔽层，包括一导磁材料、一第三成形材料以及一第二导电材料，其中所述抗静电层与所述导电层互相紧密贴合且所述导电层与所述电磁遮蔽层互相紧密贴合。 其中，所述第一成形材料、所述第二成形材料与所述第三成形材料包括聚氨基甲酸酯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯、尼龙或以上的组合。 其中，所述第一导电材料包括导电碳黑、纳米碳管或以上的组合。 其中，所述导电层中还包括铁磁性材料。 其中，所述导磁材料包括一导磁系数大于1500韦伯/安培-圈数-米的材料。 其中，所述第二导电材料包括铜、铁、铝或以上的组合。 其中，所述装置，还包括一支撑层，其中所述支撑层系与所述电磁遮蔽层紧密贴合。其中所述支撑层的材料包括聚氨基甲酸酯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯、尼龙或以上的组合。 根据本专利技术的另一个方面，提供了一种应用于电子装置的屏蔽装置的方法，包括以下步骤:将一抗静电剂、一第一铁磁性材料、一第一溶剂与一第一成形材料，依序混合后，制成一抗静电层；将一第一导电材料、一第二铁磁性材料、一第一分散剂、一第二溶剂与一第二成形材料，依序混合后，制成一导电层；将一导磁材料、一第二导电材料、第二分散剂、一第三溶剂、一第三成形材料，依序混合后，制成一电磁遮蔽层；以及将所述导电层的两面分别与所述抗静电层和所述电磁遮蔽层互相紧密贴合。 其中，所述第一导电材料、所述第二铁磁性材料与所述第二分散剂的混合方式是利用预分散机作上下左右四个方向的混合，使所述第一导电材料能够均匀分散成小颗粒，且所述预分散机底部配有一磁性材料，用以将所述第二铁磁性材料吸住。 其中，所述第一铁磁性材料以及所述第二铁磁性材料包括铁粉。 其中，所述第一导电材料包括碳黑、纳米碳管或以上的组合。 其中，所述导磁材料包括一导磁系数大于1500韦伯/安培-圈数-米的材料。 其中，所述第二导电材料包括铜、铁、铝或以上的组合。 其中，所述第一成形材料、所述第二成形材料与所述第三成形材料包括选自以下群组的材料:聚氨基甲酸酯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯、尼龙。 为了使贵审查员能更近一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图。然而所附的附图仅供参考与辅助说明之用，并非用来对本专利技术加以限制。 【专利附图】【附图说明】 图1所绘示的是一种应用于电子装置的屏蔽装置。 图2所绘示的是图1的一种应用于电子装置的屏蔽装置的变化型。 图3所绘示的为一种应用于电子装置的屏蔽装置。 图4所绘示的为一种应用于电子装置的屏蔽装置。 图5显示的是将本专利技术的一种应用于电子装置的屏蔽装置黏贴于干扰源后，对于码分多址系统850HMZ的电磁波强度测试本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种应用于电子装置的屏蔽装置，所述装置通过以下方法制得 ：将一抗静电剂、一第一铁磁性材料、一第一溶剂及一第一成形材料，依序混合后，制成一抗静电层 ；将一导电材料、一第二铁磁性材料、一分散剂、一第二溶剂及一第二成形材料，依序混合后，制成一导电层 ；以及将所述抗静电层与所述导电层互相紧密贴合，其中，所述导电材料、所述第二铁磁性材料与所述分散剂的混合方式是利用预分散机作上、下、左、右四个方向的混合，且所述预分散机底部配有一磁性产生装置，用以将所述第二铁磁性材料吸住，使所述导电材料能够均匀分散成小颗粒。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘健萍，
申请(专利权)人：刘健萍，
类型：发明
国别省市：广东;44
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