导电薄膜、其制备方法及应用技术

一种导电薄膜，包括层叠的TiO2-xFx层及MoO3层，其中，x为0.1～0.6。上述导电薄膜通过在TiO2-xFx层的表面沉积及高功函的MoO3层制备双层导电薄膜，既能保持TiO2-xFx层的良好的导电性能，又使导电薄膜的功函数得到了显著的提高。本发明专利技术还提供一种导电薄膜的制备方法及应用。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种导电薄膜，包括层叠的TiO2-xFx层及MoO3层，其中，x为0.1～0.6。上述导电薄膜通过在TiO2-xFx层的表面沉积及高功函的MoO3层制备双层导电薄膜，既能保持TiO2-xFx层的良好的导电性能，又使导电薄膜的功函数得到了显著的提高。本专利技术还提供一种导电薄膜的制备方法及应用。【专利说明】导电薄膜、其制备方法及应用
本专利技术涉及半导体光电材料，特别是涉及导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。
技术介绍
导电薄膜电极是有机电致发光器件(OLED)的基础构件，其性能的优劣直接影响着整个器件的发光效率。其中，氧化镉的掺杂半导体是近年来研究最广泛的透明导电薄膜材料，具有较高的可见光透光率和低的电阻率。但要提高器件的发光效率，要求透明导电薄膜阳极具有较高的表面功函数。而铝、镓和铟掺杂的氧化锌的功函数一般只有4.3eV，经过UV光辐射或臭氧等处理之后也只能达到4.5~5.leV，与一般的有机发光层的HOMO能级(典型的为5.7~6.3eV)还有比较大的能级差距，造成载流子注入势垒的增加，妨碍发光效率的提闻。
技术实现思路
基于此，有必要针对导电薄膜功函数较低的问题，提供一种纳米线的透明导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。 一种导电薄膜，包括层叠的Ti02_xFx层及MoO3层，其中，X为0.1~0.6。 所述导电薄膜是纳米线结构的导电薄膜，所述纳米线直径为70nm~600nm。 所述Ti02_xFx层的厚度为30nm~550nm,所述MoO3层的厚度为0.5nm~5nm。 —种导电薄膜的制备方法，包括以下步骤: 将Ti02_xFx靶材及MoO3靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0X 1-3Pa~1.0X 1-5Pa,其中，X为0.1~0.6 ; 在所述衬底表面溅镀Ti02_xFx层，溅镀所述Ti02_xFx层的工艺参数为:基靶间距为45mm~95mm，激光的能量为80W~300W，压强为3Pa~30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为1sccm~40sccm,衬底温度为25CTC~75CTC ； 在所述Ti02_xFx层表面溅镀MoO3层，溅镀所述Pr2O3层的工艺参数为:基靶间距为45mm~95mm，激光的能量为80W~300W，压强为3Pa~30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为1sccm~40sccm,衬底温度为250°C~750°C ;及 剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。 所述Ti02_xFx靶材由以下步骤得到:将T12和TiF4粉体混合均匀，其中，所述TiF4占混合粉体的摩尔百分数为2.6%~17.6%，将混合均匀的粉体在900°C~1300°C下烧结制成靶材。 一种有机电致发光器件的基底，包括依次层叠的衬底、层叠的Ti02_xFx层及MoO3层，其中，X为0.1~0.6。 所述基底中的导电薄膜是纳米线结构的导电薄膜，所述纳米线直径为70nm~600nmo 一种有机电致发光器件的基底的制备方法，包括以下步骤: 将Ti02_xFx靶材及MoO3靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0X 1-3Pa~1.0X 1-5Pa,其中，X为0.1~0.6 ; 在所述衬底表面溅镀Ti02_xFx层，溅镀所述Ti02_xFx层的工艺参数为:基靶间距为45mm~95mm，激光的能量为80W~300W，压强为3Pa~30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为1sccm~40sccm,衬底温度为25CTC~75CTC ； 在所述Ti02_xFx层表面溅镀MoO3层，溅镀所述MoO3层的工艺参数为:基靶间距为45mm~95mm，激光的能量为80W~300W，压强为3Pa~30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为1sccm~40sccm,衬底温度为25CTC~75CTC。 所Ti02_xFx靶材由以下步骤得到:将T1JPTiF4粉体混合均匀，其中，所述TiF4占混合粉体的摩尔百分数为2.6%~17.6%，将混合均匀的粉体在900°C~1300°C下烧结制成靶材。 一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，所述阳极包括层叠的Ti02_xFx层及此03层，其中，X为0.1~0.6。 上述导电薄膜通过在Ti02_xFx层的表面沉积MoO3层制备双层导电薄膜，既能保持Ti02_xFx层的良好的导电性能，又使导电薄膜的功函数得到了显著的提高，导电薄膜在300~900nm波长范围可见光透过率88%~91%，方块电阻范围10~33 Ω / 口，表面功函数 5.2~5.9eV ;上述导电薄膜的制备方法，采用激光烧蚀靶材，使靶材中的材料被烧蚀成原子或离子团的粒子，粒子在基底上沉积的过程中，通过通入大量的惰性气体，使粒子钝化，在基板上分散成核，然后在各个成核点垂直生长，形成柱状的纳米线；使用该导电薄膜作为有机电致发光器件的阳极，导电薄膜的表面功函数与一般的有机发光层的HOMO能级之间差距较小，降低了载流子的注入势垒，可显著的提高发光效率。 【专利附图】【附图说明】 图1为一实施方式的导电薄膜的结构示意图； 图2为一实施方式的有机电致发光器件的基底的结构不意图； 图3为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图； 图4为实施例1制备的导电薄膜的透射光谱谱图； 图5为实施例1制备的导电薄膜的电镜扫描图； 图6为器件实施例的电压与电流和亮度关系图。 【具体实施方式】 下面结合附图和具体实施例对导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件进一步阐明。 请参阅图1，一实施方式的导电薄膜100包括层叠的10及MoO3层30，其中，X为0.1~0.6。 所述导电薄膜100是纳米线结构的导电薄膜,所述纳米线直径为70nm~600nm,优选为200nm。 所述Ti02_xFx层10的厚度为30nm~550nm，优选为130nm， 所述MoO3层30的厚度为0.5nm~5nm,优选为2nm。 上述导电薄膜100通过在Ti02_xFx层10的表面沉积MoO3层30制备双层导电薄膜，既能保持TiCVxFj^ 10的良好的导电性能，又使导电薄膜100的功函数得到了显著的提高，导电薄膜100在300~900nm波长范围可见光透过率88%~91%，方块电阻范围10~33 Ω / 口，表面功函数5.2~5.9eV。 上述导电薄膜100的制备方法，包括以下步骤: SllOJf Ti02_xFx靶材及MoO3靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0X 1-3Pa~1.0X 10_5Pa。 本实施方式中，所Ti02_xFx靶材由以下步骤得到:将T12和TiF4粉体混合均匀，其中，所述TiF4占混合粉体的摩尔百分数为2.6%~17.6%，将混合均匀的粉体在900°C~1300°C下烧结制成靶材。 衬底为玻璃衬底。优选的，衬底在使用前用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗。 本实施方式中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的TiO2‑xFx层及MoO3层，其中，x为0.1～0.6。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，陈吉星，冯小明，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44