一种导电薄膜，包括层叠的TiO2-xFx层及Co3O4层。上述导电薄膜通过在TiO2-xFx层的表面沉积高功函的Co3O4层制备双层导电薄膜，既能保持TiO2-xFx层的良好的导电性能，又使导电薄膜的功函数得到了显著的提高。本发明专利技术还提供一种导电薄膜的制备方法及应用。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种导电薄膜，包括层叠的TiO2-xFx层及Co3O4层。上述导电薄膜通过在TiO2-xFx层的表面沉积高功函的Co3O4层制备双层导电薄膜，既能保持TiO2-xFx层的良好的导电性能，又使导电薄膜的功函数得到了显著的提高。本专利技术还提供一种导电薄膜的制备方法及应用。【专利说明】导电薄膜、其制备方法及应用
本专利技术涉及半导体光电材料，特别是涉及导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜 的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。
技术介绍
导电薄膜电极是有机电致发光器件（0LED)的基础构件，其性能的优劣直接影响着 整个器件的发光效率。其中，氧化镉的掺杂半导体是近年来研究最广泛的透明导电薄膜材 料，具有较高的可见光透光率和低的电阻率。但要提高器件的发光效率，要求透明导电薄膜 阳极具有较高的表面功函数。而铝、镓和铟掺杂的氧化锌的功函数一般只有4. 3eV，经过UV 光辐射或臭氧等处理之后也只能达到4. 5?5. leV，与一般的有机发光层的HOMO能级(典型 的为5. 7?6. 3eV)还有比较大的能级差距，造成载流子注入势垒的增加，妨碍发光效率的 提1?。
技术实现思路
基于此，有必要针对导电薄膜功函数较低的问题，提供一种纳米线的透明导电薄 膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光 器件。 -种导电薄膜，包括层叠的Ti02_xFx层及C〇 304层，其中，X为0. 1?0. 6。 所述导电薄膜是纳米线结构的导电薄膜，所述纳米线直径为30nm?500nm。 所述Ti02_xFx层的厚度为50nm?500nm，所述C〇 304层的厚度为5nm?80nm。 -种导电薄膜的制备方法，包括以下步骤： 将Ti02_xFx靶材及C 〇304靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真 空腔体的真空度为l.〇Xl(T 3Pa?1.0Xl(T5Pa，其中，X为0. 1?0. 6 ; 在所述衬底表面溅镀Ti02_xFx层，溅镀所述Ti0 2_xFx层的工艺参数为：基靶间距为 45mm?95mm，激光的能量为80W?300W，压强为3Pa?30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流 量为lOsccm?40sccm，衬底温度为250°C?750°C ; 在所述Ti02_xFx层表面溅镀C 〇304层，溅镀所述C〇304层的工艺参数为：基靶间距为 45mm?95mm，激光的能量为80W?300W，压强为3Pa?30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流 量为lOsccm?40sccm，衬底温度为250°C?750°C ;及 剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。 所述Ti02_xFx靶材由以下步骤得到：将Ti0 2和TiF4粉体混合均勻，将混合均匀的 粉体在900°C?1300°C下烧结制成靶材，其中，所述TiF 4粉体占所述混合物的摩尔百分数 为 2. 6% ?17. 6%。 一种有机电致发光器件的基底，包括依次层叠的衬底、层叠的Ti02_xF x层及C〇304 层。 所述基底中的导电薄膜是纳米线结构的导电薄膜，所述纳米线直径为30nm? 500nm〇 一种有机电致发光器件的基底的制备方法，包括以下步骤： 将Ti02_xFx靶材及C 〇304靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真 空腔体的真空度为1.0Xl(T 3Pa?1.0Xl(T5Pa，其中，X为0. 1?0. 6 ; 在所述衬底表面溅镀Ti02_xFx层，溅镀所述Ti0 2_xFx层的工艺参数为：基靶间距为 45mm?95mm，激光的能量为80W?300W，压强为3Pa?30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流 量为lOsccm?40sccm，衬底温度为250°C?750°C ; 在所述Ti02_xFx层表面溅镀C 〇304层，溅镀所述C〇304层的工艺参数为：基靶间距为 45mm?95mm，激光的能量为80W?300W，压强为3Pa?30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流 量为lOsccm?40sccm，衬底温度为250°C?750°C。 所述Ti02_xFx靶材由以下步骤得到：将Ti0 2和TiF4粉体混合均勻，将混合均匀的 粉体在900°C?1300°C下烧结制成靶材，其中，所述TiF 4粉体占所述混合物的摩尔百分数 为 2. 6% ?17. 6%。 -种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，所述阳极包括层 叠的Ti0 2_xFx层及C〇304层，其中，X为0.1?0.6。 上述导电薄膜通过在Ti02_xFx层的表面沉积C 〇304层制备双层导电薄膜，既能保 持Ti02_xF x层的良好的导电性能，又使导电薄膜的功函数得到了显著的提高，导电薄膜在 300?900nm波长范围可见光透过率85%?95%，方块电阻范围10?33 Ω / □，表面功函数 5. 2?5. 9eV ;上述导电薄膜的制备方法，采用激光烧蚀靶材，使靶材中的材料被烧蚀成原 子或离子团的粒子，粒子在基底上沉积的过程中，通过通入大量的惰性气体，使粒子钝化， 在基板上分散成核，然后在各个成核点垂直生长，形成柱状的纳米线；使用该导电薄膜作为 有机电致发光器件的阳极，导电薄膜的表面功函数与一般的有机发光层的HOMO能级之间 差距较小，降低了载流子的注入势垒，可显著的提高发光效率。 【专利附图】【附图说明】 图1为一实施方式的导电薄膜的结构示意图； 图2为一实施方式的有机电致发光器件的基底的结构不意图； 图3为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图； 图4为实施例1制备的导电薄膜的透射光谱谱图； 图5为器件实施例的电压与电流和亮度关系图； 图6为实施例1制备的导电薄膜的电镜扫描图。 【具体实施方式】 下面结合附图和具体实施例对导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电 致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件进一步阐明。 请参阅图1，一实施方式的导电薄膜100包括层叠的Ti02_xF x层10及C〇304层30。 所述导电薄膜100是纳米线结构的导电薄膜，所述纳米线直径为30nm?500nm，优 选为360nm。 所述Ti02_xFx层10的厚度为50nm?500nm，优选为250nm。 所述C〇304层30的厚度为5nm?80nm，优选为15nm。 上述导电薄膜100通过在Ti02_xFx层10的表面沉积C 〇304层30制备双层导电薄 膜，既能保持^(^^层10的良好的导电性能，又使导电薄膜100的功函数得到了显著的提 高，导电薄膜100在300?900nm波长范围可见光透过率85%?95%，方块电阻范围10? 33 Ω / □，表面功函数5. 2?5. 9eV。 上述导电薄膜100的制备方法，包括以下步骤： S110、将Ti02_xFx靶材及C〇30 4靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其 中，真空腔体的真空度为l.〇Xl(T3Pa?1.0Xl(T 5Pa，其中，X为0. 1?0. 6。 本实施方式中，所述Ti02_xFx靶材由以下步本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的TiO2‑xFx层及Co3O4层，其中，x为0.1～0.6。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，陈吉星，黄辉，王平，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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