本实用新型专利技术公开了一种用于低压保护快速熔断器的新型熔体，包括：导电基体和若干孔，所述导电基板折弯为若干折线形面和若干水平面交替相接，所述若干水平面上均设置有一排若干孔，所述导电基体的材质为银或者铜银复合带，所述若干孔之间的纵向间距相等。通过上述方式，本实用新型专利技术用于低压保护快速熔断器的新型熔体能使电流过载时在孔于孔之间的狭径处断裂,以达到切断电路保护电路或设备的目的，性能稳定、安全可靠、分断速度快，在用于低压保护快速熔断器的新型熔体的普及上有着广泛的市场前景。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种用于低压保护快速熔断器的新型熔体，包括：导电基体和若干孔，所述导电基板折弯为若干折线形面和若干水平面交替相接，所述若干水平面上均设置有一排若干孔，所述导电基体的材质为银或者铜银复合带，所述若干孔之间的纵向间距相等。通过上述方式，本技术用于低压保护快速熔断器的新型熔体能使电流过载时在孔于孔之间的狭径处断裂,以达到切断电路保护电路或设备的目的，性能稳定、安全可靠、分断速度快，在用于低压保护快速熔断器的新型熔体的普及上有着广泛的市场前景。【专利说明】一种用于低压保护快速熔断器的新型熔体
本技术涉及电力连接领域，特别是涉及一种用于低压保护快速熔断器的新型熔体。
技术介绍
熔断器是当电流超出规定值时，以本身产生的热量使熔体熔断、断开电路的一种电器，作为短路和过电流的保护器广泛使用于高低压配电系统、控制系统和用电设备中，而现有的熔断器结构复杂、反应延迟大、系统不稳定，不利于快速灵敏地对电路进行保护。
技术实现思路
本技术主要解决的技术问题是提供一种用于低压保护快速熔断器的新型熔体，通过采用特定的弯曲形状和狭小间距，增加了熔断器对电流的灵敏程度和反应快速度，性能稳定、安全可靠、分段速度快，在用于低压保护快速熔断器的新型熔体的普及上有着广泛的市场前景。 为解决上述技术问题，本技术提供一种用于低压保护快速熔断器的新型熔体，包括:导电基体和若干孔，所述导电基板折弯为若干折线形面和若干水平面交替相接，所述若干水平面上均设置有一排若干孔，所述导电基体的材质为银或者铜银复合带，所述若干孔之间的纵向间距相等。 在本技术一个较佳实施例中，所述导电基体的厚度为0.05、.35mm。 在本技术一个较佳实施例中，所述孔的孔径为2.32mm。 在本技术一个较佳实施例中，所述若干孔之间的纵向间距为0.18mm。 本技术的有益效果是:本技术用于低压保护快速熔断器的新型熔体能使电流过载时在孔于孔之间的狭径处断裂，以达到切断电路保护电路或设备的目的，性能稳定、安全可靠、分断速度快，在用于低压保护快速熔断器的新型熔体的普及上有着广泛的市场前景。 【专利附图】【附图说明】 为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中: 图1是本技术的用于低压保护快速熔断器的新型熔体一较佳实施例的立体结构示意图； 图2是图1所示用于低压保护快速熔断器的新型熔体的俯视结构示意图； 图3是图1所示用于低压保护快速熔断器的新型熔体的正视结构示意图； 附图中各部件的标记如下:1、导电基体，2、若干孔。 【具体实施方式】 下面将对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。 本技术实施例包括: 一种用于低压保护快速熔断器的新型熔体，包括:导电基体I和若干孔2。 所述导电基板I通过折弯模具折弯为若干折线形面和若干水平面交替相接，所述若干水平面上均设置有一排若干孔2，所述导电基体I的材质为银或者铜银复合带，所述若干孔2之间的纵向间距相等。 优选地，所述导电基体I的厚度为0.05、.35mm，具体的厚度和宽度需要根据实际加载的电流值来做出微调整。 优选地，所述孔2的孔径为2.32mm。最外侧两排若干孔2的中心距离导电基板I的外侧边缘的距离为12mm，每排若干孔2的中心距离为15mm。 优选地，所述若干孔2之间的纵向间距为0.18mm。当电流过载时，在孔于孔之间的狭径处断裂，以达到切断电路保护电路或设备的目的。 优选地，所述用于低压保护快速熔断器的新型熔体的工作电压为1250V，工作频率为45?62Hz。所述新型快速熔断器适用于交流45?62Hz，额定电压1250V的电路中，作为IGBT、整流二极管、晶闸管及其由半导体器件组成的成套装置的短路和某些不允许过电流的过载保护。 本技术用于低压保护快速熔断器的新型熔体的有益效果是: 一、通过采用特定的弯曲形状和狭小间距，增加了熔断器对电流的灵敏程度和反应快速度，性能稳定、安全可靠、分段速度快； 二、通过采用调整孔的排布和窄径尺寸和折弯样式使产品的分断能力提高到了300KA以上，有效的提高了产品的弧前I2t值和降低总的I2t值。 以上所述仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。【权利要求】1.一种用于低压保护快速熔断器的新型熔体，其特征在于，包括:导电基体和若干孔，所述导电基板折弯为若干折线形面和若干水平面交替相接，所述若干水平面上均设置有一排若干孔，所述导电基体的材质为银或者铜银复合带，所述若干孔之间的纵向间距相等。2.根据权利要求1所述的用于低压保护快速熔断器的新型熔体，其特征在于，所述导电基体的厚度为0.05、.35_。3.根据权利要求1所述的用于低压保护快速熔断器的新型熔体，其特征在于，所述孔的孔径为2.32mm。4.根据权利要求1所述的用于低压保护快速熔断器的新型熔体，其特征在于，所述若干孔之间的纵向间距为0.18mm。【文档编号】H01H85/08GK203967008SQ201420381155【公开日】2014年11月26日 申请日期:2014年7月11日 优先权日:2014年7月11日 【专利技术者】孟毓强, 苟阿鹏, 李涛, 南颖娟, 贾炜 申请人:浙江茗熔电器保护系统有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于低压保护快速熔断器的新型熔体，其特征在于，包括：导电基体和若干孔，所述导电基板折弯为若干折线形面和若干水平面交替相接，所述若干水平面上均设置有一排若干孔，所述导电基体的材质为银或者铜银复合带，所述若干孔之间的纵向间距相等。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孟毓强，苟阿鹏，李涛，南颖娟，贾炜，
申请(专利权)人：浙江茗熔电器保护系统有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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