【技术实现步骤摘要】
本专利技术大体上涉及电子电路，尤其是涉及限流电路。
技术介绍
电源电路通常会包括高边功率MOS晶体管(high side power MOS transistor)和低边功率MOS晶体管(low side power MOS transistor)。高边功率MOS晶体管可以耦连在用于接收电源电压的电源端和用于向外部负载提供电源电压的输出端之间。低边MOS晶体管可以耦合在所述输出端和用于接收参考电压的参考端之间，其中参考电压低于电源电压。这两种功率MOS晶体管可以被开启或关闭，从而有选择的将电源电压提供给外部负载。电感外部负载需要稳定的输出来避免振荡。因此，在限流电路被广泛的用于限制电源电路的输出电流。图1所示为现有的限流电路。如图1所示，高边功率PMOS晶体管Mp1耦合在电源电压VINHSD和用于向外部负载提供电源电压的输出节点HSD之间。电流源Ib1和电阻R2串联耦合在电源电压和地之间。电流源Ib1提供的电流由电阻R1(未示出)和带隙基准电压VBG来确定。R2和Ib1彼此耦合所在的节点G1处的电压经由电阻R3施加在Mp1的栅极。另外，PNP双极晶体管Q4与二极管D1以串联方式耦合，并作为一个整体与第二电阻R2并联，其中，Q4的发射极耦合到VINHSD。具有第一支路和第二支路的电流镜耦合在电源电压VINHSD和地电平之间。第一支路具有串联耦合的电阻R4、PNP双极晶体管Q1...
【技术保护点】
一种限制功率晶体管的输出电流的电路，包括：电流感应模块(20)，用来感应功率晶体管(Mp1)的输出电流(Iload)并产生与功率晶体管(Mp1)的输出电流(Iload)成比例的感应电流(IM1)；与所述电流感应模块(20)耦合的第一限流模块(30)，用于在所述功率晶体管(Mp1)的输出电流(Iload)的变化超过第一预定电流强度时，基于所述感应电流(IM1)产生第一限制电流；和与所述第一限流模块(30)和所述功率晶体管(Mp1)耦合的转换模块(50)，用于至少基于所述第一限制电流对所述功率晶体管(Mp1)的栅极电压进行控制。
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种限制功率晶体管的输出电流的电路，包括：
电流感应模块(20)，用来感应功率晶体管(Mp1)的输出电流
(Iload)并产生与功率晶体管(Mp1)的输出电流(Iload)成比例的感
应电流(IM1)；
与所述电流感应模块(20)耦合的第一限流模块(30)，用于在
所述功率晶体管(Mp1)的输出电流(Iload)的变化超过第一预定电
流强度时，基于所述感应电流(IM1)产生第一限制电流；和
与所述第一限流模块(30)和所述功率晶体管(Mp1)耦合的转
换模块(50)，用于至少基于所述第一限制电流对所述功率晶体管
(Mp1)的栅极电压进行控制。
2.如权利要求1所述的电路，进一步包括与所述电流感应模
块(20)耦合的第二限流模块(40)，用来在所述功率晶体管(Mp1)
的输出电流(Iload)的变化超过第二预定的电流强度时，基于所述感
应电流产生第二限制电流；
其中所述转换模块(50)与所述第二限流模块(40)耦合，用来
至少基于所述第一和/或第二限制电流控制所述功率晶体管(Mp1)
的栅极电压；
其中所述第二预定电流强度高于所述第一预定电流强度。
3.如权利要求2所述的电路，其中所述第一和第二限流模块
(30，40)经由第一电流镜(60)与所述电流感应模块(20)耦合，
所述第一电流镜(60)包括用来接收所述感应电流(IM1)的输入支
路、与所述第一限流模块(30)耦合的第一输出支路和与所述第二
限流模块(40)耦合的第二输出支路。
4.如权利要求1所述的电路，其中所述转换模块(50)包括
串联耦合的第一电阻(R2)和第一电流源(Iref1)，所述功率晶体管
(Mp1)的栅极耦合在所述第一电阻(R2)和所述第一电流源(Iref1)
耦合在一起的节点之处；
其中所述第一限流模块(30)包括
第二电流镜，包括与所述第一电流镜(60)的第一输出支路
耦合的输入支路，与所述第一电阻(R2)并联耦合的输出支路，
以及
与所述第二电流镜的输入支路并联耦合的第二电流源(Iref3)；
其中所述第一预定电流强度至少由所述第二电流源(Iref3)来确
定。
5.如权利要求2所述的电路，其中所述第二限流模块(40)
包括与所述第一电流镜(60)的第二输出支路耦合的输入支路，和
技术研发人员：曾妮，
申请(专利权)人：意法半导体研发深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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