一种降低KNbO3基PTCR材料烧结温度的方法技术

本发明专利技术旨在开发一种在氮气气氛下烧结的KNbO3基PTC陶瓷材料，使其大幅降低烧结温度后仍保持良好的PTC效应，该材料具体的配方为KNbO3+xM+aBaCO3+bAl2O3+cGeO2,其中,M为含有钒元素的氧化物或无机盐粉体,x=0~0.10,a=0~0.10;Al2O3和GeO2为烧结助剂，其含量b,c=0.0001~0.05。采用传统的陶瓷制备工艺，在氮气保护气氛中950~1550℃下保温10~240min烧结，可获得KNbO3基PTC材料。该KNbO3基材料掺入V2O5后烧结温度降低70℃，且PTC效应良好，升阻比Rmax/Rmin达到104，转变温度Tb均在40℃左右，最小电阻小于104Ω·cm，电阻温度系数α>10%/℃。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种KNbO3基PTCR陶瓷材料，该材料具体的配方为KNbO3+xM+aBaCO3+bAl2O3+cGeO2, 其中, M为含有钒元素的氧化物或无机盐粉体, x=0~0.10, a=0~0.10；Al2O3和GeO2为烧结助剂，其含量b,c = 0.0001~0.05。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱兴文，刘怡茵，钟史伟，朱欣然，姜文中，周晓，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：上海;31